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유기 태양 전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014039271
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법이 제공된다.
Int. CL H01L 51/42 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100098996 (2010.10.11)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1181227-0000 (2012.09.04)
공개번호/일자 10-2012-0037316 (2012.04.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.11)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 최미리 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0656252-89
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0026498-83
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0069925-83
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0005678-49
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0179222-88
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0179221-32
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0437981-34
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0340532-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1전극; 제2전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 광활성층; 및 상기 광활성층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 추출층;을 포함하고, 상기 전자 추출층은 극성 고분자를 포함한, 유기 태양 전지
2 2
제1항에 있어서,상기 극성 고분자의 쌍극자 모멘트는 0
3 3
제1항에 있어서,상기 극성 고분자가 하기 화학식 1A로 표시되는 치환기를 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지:003c#화학식 1A003e# 상기 화학식 1A 중a는 0 내지 10의 정수이고;L1은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴렌기이고;p는 1 내지 10의 정수이고;A1은 -OH, -NH2 및 하기 화학식 2A 중 하나인 극성 그룹(polar group)이고;003c#화학식 2A003e#상기 화학식 2A 중,B1 및 B2는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C5알케닐렌기이고;X는 C 또는 N이다
4 4
제3항에 있어서,L1이 페닐렌기, 나프틸렌기 또는 안트릴렌기인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
5 5
제3항에 있어서,B1 및 B2가 서로 독립적으로, 단일 결합, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기 또는 부틸렌기인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
6 6
제3항에 있어서,X가 N인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
7 7
제1항에 있어서,상기 극성 고분자가 하기 화학식 3A로 표시되는 반복 단위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지:003c#화학식 3A003e#상기 화학식 3A 중,R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소 (H), 니트로기(-NO2), 시아노기(-CN), 히드록실기(-OH), 카르복실산기(-COOH), 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C20사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴에스테르기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴에스테르기, -N(Q1)(Q2), 또는 하기 화학식 1A로 표시되는 치환기이되(여기서, Q1 내지 Q2는 서로 독립적으로, 수소, C1-C30알킬기, C6-C30아릴기 또는 C2-C30헤테로아릴기임), 상기 R1 내지 R4 중 적어도 하나는 하기 화학식 1A로 표시되는 치환기인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지:003c#화학식 1A003e# 상기 화학식 1A 중a는 0 내지 10의 정수이고;L1은 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C20헤테로아릴렌기이고;p는 1 내지 10의 정수이고;A1은 -OH, -NH2 및 하기 화학식 2A 중 하나인 극성 그룹(polar group)이고;003c#화학식 2A003e#상기 화학식 2A 중,B1 및 B2는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C5알케닐렌기이고;X는 C 또는 N이다
8 8
제7항에 있어서,상기 R1 내지 R3가 수소이고, 상기 R4가 상기 화학식 1로 표시되는 치환기인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
9 9
제1항에 있어서,상기 극성 고분자가 화학식 4A의 폴리(4-비닐페놀)(PHS), 화학식 4B의 폴리비닐알콜(PVA) 또는 화학식 4C의 폴리비닐피롤리돈인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지:003c#화학식 4A003e# 003c#화학식 4B003e# 003c#화학식 4C003e# 상기 화학식 4A 내지 4C 중 n1 내지 n3는 서로 독립적으로, 10 내지 1,000,000이다
10 10
제1항에 있어서,상기 극성 고분자의 중량 평균 분자량(Mw)은 1,000 내지 90,000,000인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
11 11
제1항에 있어서,상기 전자 추출층의 두께가 0
12 12
제1항에 있어서,상기 전자 추출층의 일면과 상기 제2전극의 일면이 서로 접촉한 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
13 13
기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극 상에 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층 상에 극성 고분자를 포함한 전자 추출층을 형성하는 단계; 및상기 전자 추출층 상에 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 전자 추출층 형성 단계는 상기 극성 고분자 및 용매를 포함한 혼합물로 이루어진 제1층을 형성하는 공정 및 상기 제1층 중 상기 용매를 제거하여 상기 전자 추출층을 형성하는 공정을 포함하는, 유기 태양 전지의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 전자 추출층 형성 단계 중 상기 제1층 형성 공정을 스핀 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 노즐 프린팅법, 딥 코팅법, 전기영동증착법, 테이프 캐스팅법, 스크린 프린팅법, 닥터 블레이드 코팅법, 그래비어 프린팅법, 그래비어 오프셋 프린팅법, 랭뮈어-블로제트(Langmuir-Blogett)법, 또는 다층 박막 자기 조립법(layer-by-layer self-assembly)을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조 방법
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1 CN102447068 CN 중국 FAMILY
2 JP24084889 JP 일본 FAMILY
3 US20120085412 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102447068 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 DE102011054245 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 JP2012084889 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2012085412 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 기후변화대응기초원천기술 용액공정을 통한 고효율탠덤유기태양전지구현을 위한 원천기술연구
2 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 일반_신진연구 고효율 및 장수명을 위한 유기 태양 전지의 전하추출층 및 계면 조절 연구
3 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 일반_기본_개인 유기 반도체 나노 와이어 전자 소자 연구 개발