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하기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드 고분자 화합물: (Ⅰ)여기서, X는 -CH-, N또는 P이고;R은 탄소수 1 내지 20의 알킬이며;Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되어 지는 방향족 또는 지방족 유도체이다
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제1항에 있어서, 상기 폴리이미드 고분자는 중량평균 분자량이 5,000 내지 500,000인 폴리이미드 고분자 화합물
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하기 화학식(2)의 다이안하이드라이드화합물과 (Ⅱ)하기 화학식 3의 다이아민 화합물(Ⅲ)여기서, X는 -CH-, N또는 P이고; R은 탄소수 1 내지 20의 알킬이고;Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되는 방향족 또는 지방족 유도체를 반응시키는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 고분자를 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 화학식 3의 화합물은 하기 화학식 4의 다이이미드 화합물을 하이드라진 모노하이드레이트 촉매하에서 가수분해하여 얻는 것을 특징으로 하는 방법
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제4항에 있어서, 상기 화학식 4의 화합물은 하기 화학식 5와 하기 화학식 6을 트리페닐포스핀과 다이아이소프로필 아조디카르복실레이트 존재하에서 미츠노부반응을 하여 제조하는 것을 특징으로 하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 화학식 5의 화합물은 하기 화학식 7과 프탈릭안하이드라이드를 이소퀴놀린 촉매하에서 반응시킴으로서 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법
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하기 화학식 3로 표시되는 다이아민 화합물: (Ⅲ)여기서, X는 -CH-, N또는 P이고;R은 탄소수 1 내지 20의 알킬이다
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하기 화학식 4로 표시되는 다이이미드 화합물: (Ⅳ) 여기서, X는 -CH-, N또는 P이고;R은 탄소수 1 내지 20의 알킬이다
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하기 화학식 1의 폴리이미드 고분자로 구성되는 활성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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제9항에 있어서, 상기 메모리 소자는 활성층의 상부에 상부 전극을 형성하고, 여기서, 상기 상부 전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄, 또는 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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제 9항에 있어서, 상기 메모리 소자는 활성층의 하부에 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄, 또는 이들의 하나 이상의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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제 9항에 있어서, 상기 고분자 활성층은 전극과 다이오드로 연결되는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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기판상에 형성된 하부 전극을 위에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하며,여기서 상기 활성층은 하기 화학식으로 표현되며,(Ⅰ)여기서, X는 -CH-, N또는 P이고;R은 탄소수 1 내지 20의 알킬이며;Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되어 지는 방향족 또는 지방족 유도체이다
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제13항에 있어서, 메모리 소자의 양단에 전압을 가하여 활성층 안으로 전자와 홀을 유입시켜, 활성층 내부에 필라멘트를 통하여 전류가 흐르도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
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제 13항에 있어서, 고분자 활성층을 형성 단계는 고분자 용액을 코팅하는 단계임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 코팅은 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 정전기 코팅, 딥코팅, 블레이트 코팅, 잉크젯 코팅 및 롤 코팅으로 중 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
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제1항에 따른 폴리이미드 고분자 화합물로 이루어진 반도체 활성층
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