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트라이 페닐 아민을 주쇄로 하는 폴리이미드 고분자, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014039274
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학식 1로 표시되는 트라이 페닐 아민을 주쇄로 하는 폴리이미드 고분자, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 제품에 관한 것이다. 상기식에서, X는 -CH-, N또는 P이고; Y는 COOH 또는 OH이고;  Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되어지는 방향족 또는 지방족 유도체이다.
Int. CL C08G 73/10 (2006.01) C08L 79/08 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01)
CPC C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01)
출원번호/일자 1020090014549 (2009.02.20)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1149713-0000 (2012.05.18)
공개번호/일자 10-2010-0095322 (2010.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20120608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.20)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이문호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 박삼대 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김동민 대한민국 부산광역시 동래구
4 김진철 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 최준만 대한민국 부산광역시 동래구
6 이택준 대한민국 서울 노원구
7 함석규 대한민국 경상북도 경주
8 권원상 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
9 김경태 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0108068-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.11.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2009-0067718-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0025967-63
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0183701-51
6 보정요구서
Request for Amendment
2011.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0024765-15
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0273480-99
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0207935-80
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0360323-58
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0448060-86
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2011.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0052688-09
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0542864-50
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0542807-68
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0054561-44
15 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.02.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0009579-69
16 등록결정서
Decision to grant
2012.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0240939-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
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2 2
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3 3
삭제
4 4
활성층이 하기 화학식 1로 표현되는 트라이 페닐 아민을 주쇄로 하는 폴리이미드 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 폴리이미드는 하기 화학식 (2)(2)로 표현되는 유기 메모리 소자
6 6
제4항에 있어서, 상기 유기 메모리 소자는하부 전극; 상기 하부전극 위에 형성된 활성층; 및 상부 전극을 포함하는 유기 메모리 소자
7 7
제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 활성층은 전극, P-N다이오드, 또는 쇼트키 다이오드로 연결 되는 유기 메모리 소자
8 8
제6항에 있어서, 상기 전극은 Al, Au, Cu, Pt, Co, Sn, Mg, Pd, Ti, Ag, ITO (indium-tin-oxide), IZO (indium-zinc-oxide)로 이루어진 유기 메모리 소자
9 9
제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 유기 메모리 소자는 기판 위에 형성되는 유기 메모리 소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 기판은 유기, 무기계, 또는 플렉서블 기판인 유기 메모리 소자
11 11
제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 활성층은 용매에 용해시켜 코팅한 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
12 12
제11항에 있어서, 상기 유기 활성층은 1 내지 1000nm 두께의 박막인 유기 메모리 소자
13 13
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18 18
하기 화학식 1로 표현되는 트라이 페닐 아민을 주쇄로 하는 폴리이미드 고분자를 활성층으로 포함하는 반도체 소자
19 19
제18항에 있어서, 상기 반도체 소자는 메모리 소자인 반도체 소자
20 20
기판 상에 형성된 하부 전극 위에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 활성층은 하기 화학식 1로 표현되는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
21 21
제 20항에 있어서, 상기 방법으로 얻어진 메모리 소자의 양단에 전압을 가하여 활성층 안으로 전자와 홀을 유입시켜, 활성층 내부에 필라멘트를 통하여 전류가 흐르도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제작 방법
22 22
제 21항에 있어서, 고분자 활성층을 형성 단계는 고분자를 포함하는 용매를 코팅하는 단계임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
23 23
제 22항에 있어서, 상기 코팅 단계는 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 정전기 코팅, 딥코팅, 블레이트 코팅, 잉크젯 코팅 및 롤 코팅 중 하나 이상의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.