요약 | 본 발명은 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 전극; 상기 제1 전극과 마주하는 제 2 전극; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층을 구비하고, 상기 제2 전극은 유기 반도체층, 금속층 및 금속 산화물층이 순차적으로 적층되어 있는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 우수한 전기적, 광학적 특성을 갖는 바, 이를 이용하면 광출력 및 효율 특성이 향상된 평판 디스플레이를 얻을 수 있으며 제조 전 공정이 열증착만으로 이루어지기 때문에 추가적인 제조 설비의 확충 없이 대면적 디스플레이 소자 제작이 가능하여 제조 원가를 낮출 수 있으며 제조 효율을 향상시킬 수 있다. |
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Int. CL | H01L 51/54 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01) |
CPC | H01L 51/5221(2013.01) H01L 51/5221(2013.01) H01L 51/5221(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100038848 (2010.04.27) |
출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1371407-0000 (2014.03.03) |
공개번호/일자 | 10-2011-0119245 (2011.11.02) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20140312) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | 심판사항 |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.04.27) |
심사청구항수 | 10 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이종람 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
2 | 김기수 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
3 | 홍기현 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
4 | 정관호 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
5 | 김성준 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
6 | 이일환 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0271532-94 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.09.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0532784-63 |
3 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0919729-36 |
4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.12.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1013187-18 |
5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0056832-12 |
6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0131969-51 |
7 | 지정기간연장관련안내서 Notification for Extension of Designated Period |
2012.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0016622-08 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.03.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0224571-42 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.03.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0224572-98 |
10 | 보정요구서 Request for Amendment |
2012.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0032636-12 |
11 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.03.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0234028-51 |
12 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2012.08.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0499825-62 |
13 | 심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner |
2012.11.13 | 수리 (Accepted) | 7-8-2012-0036586-19 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
15 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.02.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0107794-76 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 유리 기판상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극과 대향하게 배치된 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 유기 화합물층을 포함하고,상기 제2 전극은 유기 반도체층, 금속층, 및 금속 산화물층이 순차적으로 적층되어 있으며, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 유기 화합물층이 열증착 공정을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체 층이 Bphen, ADN, TAZ 및 BCP로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 금속층이 Ag, Al, Au, Cu 및 Pt로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물층이 WO3, MoO3, V2O5, NiO 및 RuO로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체층의 두께는 5 ~ 500Å인 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 금속층의 두께는 30 ~ 300Å인 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물층의 두께는 5 ~ 500Å인 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체 층에 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 금속 산화물 또는 전자주개 특성을 갖는 유기 화합물이 도핑되어 있는 구조를 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고 상기 제2 전극은 음극인 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
11 |
11 유리 기판상에 반사전극을 형성하는 단계;상기 반사전극 표면에 산화물층을 형성하기 위해 UV-오존 처리를 수행하는 단계;상기 반사전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 정공 방지층을 형성하는 단계;상기 정공 방지층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자 수송층 상에 유기 반도체층, 금속층 및 금속 산화물층으로 이루어진 다층 박막의 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 모든 단계가 열증착을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 소자의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 지식 경제부 | 한국화학연구원 | 21세기 프론티어사업 | 대면적 Flexible Display를 위한 Laser Lift-off |
특허 등록번호 | 10-1371407-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20100427 출원 번호 : 1020100038848 공고 연월일 : 20140312 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140214 청구범위의 항수 : 5 유별 : H01L 51/54 발명의 명칭 : 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2014년 03월 04일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2017년 01월 02일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 135,800 원 | 2018년 01월 02일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 75,000 원 | 2019년 01월 02일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 145,000 원 | 2020년 01월 02일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0271532-94 |
2 | 의견제출통지서 | 2011.09.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0532784-63 |
3 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0919729-36 |
4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.12.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1013187-18 |
5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0056832-12 |
6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0131969-51 |
7 | 지정기간연장관련안내서 | 2012.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0016622-08 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.03.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0224571-42 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.03.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0224572-98 |
10 | 보정요구서 | 2012.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0032636-12 |
11 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.03.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0234028-51 |
12 | 거절결정서 | 2012.08.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0499825-62 |
13 | 심사관의견요청서 | 2012.11.13 | 수리 (Accepted) | 7-8-2012-0036586-19 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
15 | 등록결정서 | 2014.02.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0107794-76 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
기술번호 | KST2014039280 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 포항공과대학교 산학협력단 |
기술명 | 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
기술개요 |
본 발명은 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 전극; 상기 제1 전극과 마주하는 제 2 전극; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층을 구비하고, 상기 제2 전극은 유기 반도체층, 금속층 및 금속 산화물층이 순차적으로 적층되어 있는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 우수한 전기적, 광학적 특성을 갖는 바, 이를 이용하면 광출력 및 효율 특성이 향상된 평판 디스플레이를 얻을 수 있으며 제조 전 공정이 열증착만으로 이루어지기 때문에 추가적인 제조 설비의 확충 없이 대면적 디스플레이 소자 제작이 가능하여 제조 원가를 낮출 수 있으며 제조 효율을 향상시킬 수 있다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | ㅡ |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스 |
사업화적용실적 | ㅡ |
도입시고려사항 | ㅡ |
과제고유번호 | 1345063087 |
---|---|
세부과제번호 | 2005-005-J13102 |
연구과제명 | 정보발생용 나노포토닉스 신소재 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
성과제출연도 | 2007 |
연구기간 | 200512~200811 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345135399 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0094037 |
연구과제명 | 나노포토닉스 신소재 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 포항공과대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200512~201411 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415111110 |
---|---|
세부과제번호 | F0004090-2010-33 |
연구과제명 | 대면적 flexible display를 위한 laser lift-off 기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200806~201205 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
[1020110091764] | 전면 발광형 유기 발광 다이오드 | 새창보기 |
---|---|---|
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[1020110091761] | 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020110091759] | 유기 발광 다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
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[KST2015170238][포항공과대학교 산학협력단] | 유기발광다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014042764][포항공과대학교 산학협력단] | 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
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[KST2022021710][포항공과대학교 산학협력단] | 표시 장치의 제조장치 | 새창보기 |
[KST2015168921][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014064040][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 섬유를 이용하여 패턴이 분리된 유기전자소자 제조방법, 및 유기 섬유를 포함하는 유기소자 | 새창보기 |
[KST2015169630][포항공과대학교 산학협력단] | 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2016009542][포항공과대학교 산학협력단] | 태양전지를 구비한 발광다이오드 및 이의 제조방법(LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME) | 새창보기 |
[KST2016010294][포항공과대학교 산학협력단] | 페로브스카이트 나노결정입자 및 이를 이용한 광전자 소자(Perovskite nanocrystal particle and optoelectronic device using the same) | 새창보기 |
[KST2016010297][포항공과대학교 산학협력단] | 엑시톤 버퍼층을 포함하는 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법(Perovskite light emitting device including exciton buffer layer and manufacturing method thereof) | 새창보기 |
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[KST2015170046][포항공과대학교 산학협력단] | 전자소자 어레이 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015169963][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015169549][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 발광 다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
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[KST2015169611][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015169988][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
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1 | 2012101008396 | 2012원8396 | 2010년 특허출원 제0038848호 거절결정불복 | 2012.09.27 | 2014.01.23 |