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전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014039280
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 전극; 상기 제1 전극과 마주하는 제 2 전극; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층을 구비하고, 상기 제2 전극은 유기 반도체층, 금속층 및 금속 산화물층이 순차적으로 적층되어 있는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 우수한 전기적, 광학적 특성을 갖는 바, 이를 이용하면 광출력 및 효율 특성이 향상된 평판 디스플레이를 얻을 수 있으며 제조 전 공정이 열증착만으로 이루어지기 때문에 추가적인 제조 설비의 확충 없이 대면적 디스플레이 소자 제작이 가능하여 제조 원가를 낮출 수 있으며 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 51/54 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/5221(2013.01) H01L 51/5221(2013.01) H01L 51/5221(2013.01)
출원번호/일자 1020100038848 (2010.04.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1371407-0000 (2014.03.03)
공개번호/일자 10-2011-0119245 (2011.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20140312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김기수 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 홍기현 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 정관호 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 이일환 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0271532-94
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0532784-63
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0919729-36
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-1013187-18
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0056832-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0131969-51
7 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2012.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0016622-08
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0224571-42
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0224572-98
10 보정요구서
Request for Amendment
2012.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0032636-12
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0234028-51
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0499825-62
13 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2012.11.13 수리 (Accepted) 7-8-2012-0036586-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
15 등록결정서
Decision to grant
2014.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0107794-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
유리 기판상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극과 대향하게 배치된 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 유기 화합물층을 포함하고,상기 제2 전극은 유기 반도체층, 금속층, 및 금속 산화물층이 순차적으로 적층되어 있으며, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 유기 화합물층이 열증착 공정을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체 층이 Bphen, ADN, TAZ 및 BCP로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 금속층이 Ag, Al, Au, Cu 및 Pt로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물층이 WO3, MoO3, V2O5, NiO 및 RuO로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체층의 두께는 5 ~ 500Å인 전면 발광형 유기 발광 다이오드
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 금속층의 두께는 30 ~ 300Å인 전면 발광형 유기 발광 다이오드
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물층의 두께는 5 ~ 500Å인 전면 발광형 유기 발광 다이오드
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체 층에 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 금속 산화물 또는 전자주개 특성을 갖는 유기 화합물이 도핑되어 있는 구조를 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고 상기 제2 전극은 음극인 전면 발광형 유기 발광 다이오드
11 11
유리 기판상에 반사전극을 형성하는 단계;상기 반사전극 표면에 산화물층을 형성하기 위해 UV-오존 처리를 수행하는 단계;상기 반사전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 정공 방지층을 형성하는 단계;상기 정공 방지층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자 수송층 상에 유기 반도체층, 금속층 및 금속 산화물층으로 이루어진 다층 박막의 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 모든 단계가 열증착을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 소자의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식 경제부 한국화학연구원 21세기 프론티어사업 대면적 Flexible Display를 위한 Laser Lift-off