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고분자 조성물을 이용한 전기, 열 전도성 박막 후처리 공정 방법 및 그 조성물

  • 기술번호 : KST2014039297
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 박막에 간단한 후처리 공정을 적용하여 전도막의 내화학성, 환경안정성을 크게 개선시키는 방법을 제공한다. 이 방법은 다양한 방법으로 형성된 전도성 박막에 쉽게 적용할 수 있고, 박막의 물성을 효율적으로 향상시킬 수 있기 때문에 보편적으로 알려진 탄소나노튜브를 포함한 전도막 형성 방법과 함께 결합되어 다양한 제품 분야에 탄소나노튜브를 포함한 전도막이 적용될 수 있게 한다. 탄소나노튜브, polyelectrolyte, 후처리, 고분자 조성물
Int. CL H01B 1/12 (2006.01) H01L 21/4763 (2006.01) H01B 1/24 (2006.01)
CPC H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090081680 (2009.08.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1186801-0000 (2012.09.24)
공개번호/일자 10-2011-0023650 (2011.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20120928) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.31)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한종훈 대한민국 경기도 고양시 일산서구
2 신권우 대한민국 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)신한진공 경기도 부천시 신흥로***번길 *
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0536476-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.11.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0071541-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0358666-46
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0669193-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0669191-20
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0096461-50
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0312094-62
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0312092-71
10 등록결정서
Decision to grant
2012.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0558986-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자 조성물을 이용한 전기 열 전도성 박막 후처리 공정에 따른 조성물에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 형성된 탄소나노튜브를 포함하는 전도성 박막; 및 상기 전도성 박막 상에 양이온성 고분자전해질(polyelectrolyte) 및 음이온성 고분자전해질의 조합을 가지는 후처리 공정 용액을 이용하여 용액 공정 방법으로 형성한 고분자 박막;을 포함하며,상기 기판에 피라나(Piranha) 용액 처리, 산 처리, 염기 처리, 플라즈마 처리, 상압 플라즈마 처리, 오존 처리, UV 처리, SAM(self assembled monolayer) 처리, 및 고분자 또는 단분자 코팅 방법 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 표면 처리를 수행하고,상기 양이온성 고분자전해질은 polyaniline이고, 상기 음이온성 고분자전해질은 polyarmic acid이고, 상기 고분자 박막에 대해, 상기 용액 공정을 수행한 후, 400℃ 이하의 열처리를 수행하거나, 상기 용액 공정 수행 중 또는 용액 공정 수행 후 후처리 공정 조성물의 경화제 또는 촉매 물질을 포함한 화학 물질 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 조성물을 이용한 전기 열 전도성 박막 후처리 공정에 따른 조성물
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 고분자 박막은 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 후처리 공정 용액에서 상기 양이온성 고분자전해질 및 상기 음이온성 고분자전해질 각각의 무게 농도는 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 용액 공정은, 딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 도롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅, 바코팅(bar coating) 중 어느 하나의 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 조성물을 이용한 전기, 열 전도성 박막 후처리 공정에 따른 조성물
7 7
제1항에 있어서, 상기 용액 공정은, 적어도 1 종류의 양이온성 고분자전해질(polyelectrolyte)을 포함하는 후처리 공정 용액을 이용한 용액 공정과, 적어도 1 종류의 음이온성 고분자전해질을 포함하는 후처리 용액을 이용한 용액 공정을 순서에 무관하게 순차로 각각 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 조성물을 이용하여 형성한 전기, 열 전도성 박막 후처리 공정에 따른 조성물
8 8
제7항에 있어서, 상기 각각 수행하는 용액 공정 후, 물 또는 용매를 이용한 세척을 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 조성물을 이용한 전기, 열 전도성 박막 후처리 공정에 따른 조성물
9 9
제1항에 있어서, 상기 용액 공정은 반복해서 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 조성물을 이용한 전기, 열 전도성 박막 후처리 공정에 따른 조성물
10 10
제 1항에 있어서, 상기 기판은, 유리, 석영(quartz), 글라스 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 투명 및 불투명 플라스틱 기판, 투명 및 불투명 고분자 필름 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 고분자 조성물을 이용한 전기, 열 전도성 박막 후처리 공정에 따른 조성물
11 11
제 1항에 있어서, 상기 전도성 박막은, 단일벽 탄소나노튜브, 기능화된 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 기능화된 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 기능화된 다중벽 탄소나노튜브 중 적어도 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 고분자 조성물을 이용한 전기, 열 전도성 박막 후처리 공정에 따른 조성물
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삭제
13 13
삭제
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고분자 조성물을 이용한 전기, 열 전도성 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 준비하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소노튜브를 포함하는 전도성 박막을 형성하는 과정과, 상기 전도성 박막 상에 양이온성 고분자전해질(polyelectrolyte) 및 음이온성 고분자전해질의 후처리 공정 용액을 이용하여 용액 공정 방법으로 양이온성 고분자전해질 및 음이온성 고분자전해질의 조합을 가지는 고분자 박막을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 기판을 준비하는 과정은,상기 기판에 피라나(Piranha) 용액 처리, 산 처리, 염기 처리, 플라즈마 처리, 상압 플라즈마처리, 오존 처리, UV 처리, SAM(self assembled monolayer) 처리, 및 고분자 또는 단분자 코팅 방법 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 표면 처리를 수행하는 과정을 포함하고,상기 고분자 박막을 형성하는 과정에서,상기 양이온성 고분자전해질은 polyaniline이고, 상기 음이온성 고분자전해질은 polyarmic acid이고, 상기 고분자 박막에 대해, 상기 용액 공정을 수행한 후, 400℃ 이하의 열처리를 수행하거나, 상기 용액 공정 수행 중 또는 용액 공정 수행 후 후처리 공정 조성물의 경화제 또는 촉매 물질을 포함한 화학 물질 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 조성물을 이용한 전기 열 전도성 박막 후처리 공정 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 전도성 박막을 형성하는 과정 및 상기 고분자 박막을 형성하는 과정을 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 조성물을 이용한 전기 열 전도성 박막 후처리 공정 방법
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패밀리정보가 없습니다
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