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리튬 이온 커패시터용 탄소계 음극 재료 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014039308
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소계 재료를 음극 활물질로 사용하는 리튬 이온 커패시터의 출력 특성을 개선하기 위한 것으로, 특히, 본 발명은 팽창 흑연의 분쇄물로 평균 입자 크기가 11 ㎛ 이하인 리튬 이온 커패시터용 탄소계 음극 활물질 및 그의 제조 방법, 이를 포함하는 리튬 이온 커패시터에 관한 것이다.
Int. CL H01G 9/058 (2006.01) H01G 9/042 (2006.01)
CPC H01G 11/34(2013.01) H01G 11/34(2013.01) H01G 11/34(2013.01)
출원번호/일자 1020110043456 (2011.05.09)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1173673-0000 (2012.08.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용남 대한민국 서울특별시 관악구
2 김영준 대한민국 경기 용인시 기흥구
3 김점수 대한민국 경기도 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0341411-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0030941-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0239078-31
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0488032-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0488031-23
7 등록결정서
Decision to grant
2012.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0423170-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
흑연 층간 삽입 원소의 함유량이 5,000 ppm 이상인 팽창 흑연을 500 ℃ 이상의 온도로 열처리하는 단계, 및상기 열처리된 팽창 흑연을 평균 입자 크기 11 ㎛ 이하로 분쇄하는 단계를 포함하는 리튬 이온 커패시터용 탄소계 음극 활물질의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 팽창 흑연은 500 ℃ 이상의 온도에서 탈리되는 흑연 층간 삽입 원소를 포함하는 리튬 이온 커패시터용 탄소계 음극 활물질의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 팽창 흑연은 질소, 황, 리튬, 및 칼륨으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 흑연 층간 삽입 원소로 포함하는 리튬 이온 커패시터용 탄소계 음극 활물질의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 팽창 흑연은 결정층간 거리 d(002)의 하한값이 0
6 6
팽창 흑연의 분쇄물로 평균 입자 크기 11 ㎛ 이하이며, 0V 내지 5V의 전압영역에서 리튬 이온을 가역적으로 삽입 또는 탈리하는 리튬 이온 커패시터용 탄소계 음극 활물질
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 전자부품연구원 신기술융합형 성장동력사업 에너지 하이브리형 통합 셀 개발