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가스센서용 조성물, 이를 포함하는 가스센서 및 가스센서용 조성물의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014039316
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 가스센서용 조성물은, N형 반도체에 전이금속을 도핑(doping)하여 생성된 물질을 포함한다. 또한, N형 반도체는 ZnO일 수 있다. 또한, 전이금속은 코발트(Co)일 수 있다. 또한, 생성된 물질은 Zn(1-x)MxO (M:전이금속)이며, x는 0 초과 0.2 이하일 수 있다. 또한, 생성된 물질은 10~100nm 두께의 박막으로 마련될 수 있다. 본 발명의 가스센서용 조성물의 제조방법은, 조성물을 생성시키는 단계는 펄스 레이저 박막증착(PLD)방법 및 레이저 분자빔 에피탁시(LMBE)방법을 통하여 박막으로 생성하는 단계일 수 있다. 또한, 생성된 박막을 대기분위기에서 10시간 내지 24시간 동안 섭씨 900도 내지 1200도로 유지하면서 소결시키는 단계를 포함할 수 있다.ZnO, 가스센서, 전이금속
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) C04B 35/453 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090059215 (2009.06.30)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1131702-0000 (2012.03.22)
공개번호/일자 10-2010-0098266 (2010.09.06) 문서열기
공고번호/일자 (20120403) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090016657   |   2009.02.27
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정윤희 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이효진 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양문옥 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0399702-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2010-0067972-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0262897-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0552668-97
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0552669-32
7 등록결정서
Decision to grant
2011.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0760189-43
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
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ZnO, Sn2O 또는 TiO2중 어느 하나의 물질로 마련되는 N형 반도체를 준비시키는 단계;상기 N형 반도체에 15% 내지 20%의 코발트를 도핑시키는 단계;상기 N형 반도체를 펄스 레이저 박막증착(PLD)방법 및 레이저 분자빔 에피탁시(LMBE)방법으로 10nm 내지 100nm의 박막을 증착시켜 조성물을 생성하는 단계;를 포함하는 가스센서용 조성물의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 조성물은 Zn(1-x)MxO (M:전이금속)이며, x는 0 초과 0
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제7항에 있어서,상기 조성물을 대기분위기에서 10시간 내지 24시간 동안 섭씨 900도 내지 1200도로 유지하면서 소결시키는 단계를 포함하는 가스센서용 조성물의 제조방법
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