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기판과,상기 기판 상에 순차로 형성된 n형층, 활성층 및 p형층으로 이루어진 반도체층 및상기 기판과 상기 활성층의 적어도 일부 사이에 복수의 섬 형태로 형성된 마스크 패턴을 포함하고,상기 반도체층에는 깊이 방향으로 폭이 점차 좁아지는 복수의 편향홈이 형성된 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 마스크 패턴은 상기 기판과 n형층 사이에 형성된 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 n형층은 상부 n형층과 하부 n형층을 포함하고,상기 마스크 패턴은 상부 n형층과 하부 n형층 사이에 형성된 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 마스크 패턴의 상부에 편향홈이 형성된 발광 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 반도체층의 측벽부에는 상기 기판의 외측 방향으로 하향되게 기울어진 편향면이 형성된 발광 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 반도체층에 전류를 인가하기 위한 전극 패드를 더 포함하는 발광 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 발광 소자는 상기 기판과 상기 n형층 사이에 버퍼층, DBR층 중 적어도 어느 하나의 층을 더 포함하는 발광 소자
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청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,상기 편향홈은 상기 반도체층의 발광 영역에 형성된 발광 소자
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청구항 8에 있어서,상기 편향홈은 주기적으로 배열된 발광 소자
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청구항 8에 있어서,상기 편향홈은 벌집 구조로 주기적으로 배열된 발광 소자
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청구항 8에 있어서,상기 편향홈은 다각형의 입구를 갖는 역피라미드 구조로 형성된 발광 소자
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기판을 마련하는 단계와,상기 기판 상에 섬 형태의 마스크 패턴을 형성하는 단계와,상기 마스크 패턴을 포함하는 전체 구조 상에 깊이 방향으로 폭이 점차 좁아지는 복수의 편향홈이 내재된 반도체층을 형성한 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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13
청구항 12에 있어서,상기 반도체층은 n형층, 활성층 및 p형층을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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청구항 12에 있어서,상기 마스크 패턴을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 하부 박막층을 형성하는 단계와,상기 하부 박막층을 포함하는 전체 구조상에 섬 형태의 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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청구항 14에 있어서,상기 하부 박막층은 하부 n형층을 포함하고,상기 반도체층은 상부 n형층, 활성층 및 p형층을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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청구항 14에 있어서,상기 마스크 패턴은 SiOx, SiNx, W, Pt로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나의 물질막으로 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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청구항 12에 있어서,상기 반도체층은 선택적 MOCVD 법으로 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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