맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

열전모듈 제조기술

  • 기술번호 : KST2014039864
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
SMK 보기 상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유연성을 갖는 폴리머 기판 이용하여 기판 위에 N형 반도체 패턴과 P형 반도체 패턴을 형성함으로써 유연성을 갖는 박막형 열전 모듈 제조하는 공정에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 강성 기판 위에 열전 물질을 고온 증착 또는 열처리하여 열전성능이 향상된 N형 반도체 패턴과 P형 반도체 패턴을 형성한 후 이를 박리하여 별도의 폴리머 기판과 접착함으로써, 유연성을 가지면서도 열전성능이 우수한 박막형 유연 열전 모듈 제조하는 공정에 관한 것이다. 박막, 열전, 반도체, 박리, 폴리머, 유연
Int. CL H01L 35/34 (2006.01) H01L 35/32 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020090101418 (2009.10.23)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0984108-0000 (2010.09.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100928) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.23)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 현승민 대한민국 대전광역시 유성구
2 한승우 대한민국 대전광역시 유성구
3 장봉균 대한민국 대전광역시 유성구
4 김정엽 대한민국 대전광역시 유성구
5 박현성 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0651712-05
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0090365-19
3 우선심사신청관련 서류제출서
Submission of Document Related to Request for Accelerated Examination		 2010.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0171703-82
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0169870-31
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0404151-88
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0477817-76
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0540706-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0540705-28
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0412107-68
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
강성 기판(10) 위에 희생층(11)을 형성하는 단계, 상기 희생층(11) 위에 제 1 반도체(12)를 증착하고, 상기 제 1 반도체(12)를 열처리하는 단계, 열처리된 상기 제 1 반도체를 패터닝하는 단계, 패터닝한 상기 제 1 반도체를 이용하여 제 1 반도체 패턴(13)을 형성하는 단계, 상기 강성 기판(10)에서 상기 제 1 반도체 패턴(13)의 상부를 스탬프(14)로 잡아준 후 상기 희생층(11)을 제거하여 상기 제 1 반도체 패턴(13)을 박리하는 단계, 박리된 제 1 반도체 패턴을 유연성 기판(16) 위에 형성된 하부전극(15)에 접착하는 단계, 상기와 동일한 방법으로 강성기판 위에 제 1 반도체와 반대 타입의 제 2 반도체 패턴(17)을 형성한 후 박리하여 상기 제 1 반도체 패턴이 접착된 유연성 기판위의 하부전극에 접착함으로써 제 1 및 제 2 반도체 패턴이 쌍을 이루어 배치되어지는 단계, 상기 하부전극 위에 접착된 제 1 또는 제 2 반도체 패턴과 인접한 다른 하부전극 위에 배치된 다른 타입의 반도체 패턴을 쌍으로 하여 그 상부에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
2 2
강성 기판(10) 위에 희생층(11)을 형성하는 단계, 상기 희생층(11) 위에 제 1 반도체(12)를 증착하고, 상기 제 1 반도체(12)를 열처리하는 단계, 열처리된 상기 제 1 반도체를 패터닝하는 단계, 패터닝한 상기 제 1 반도체를 이용하여 제 1 반도체 패턴(13)을 형성하는 단계, 상기 강성 기판(10)에서 상기 제 1 반도체 패턴(13)의 상부를 스탬프(14)로 잡아준 후 상기 희생층(11)을 제거하여 상기 제 1 반도체 패턴(13)을 박리하는 단계, 박리된 제 1 반도체 패턴을 유연성 기판(16) 위에 형성된 하부전극(15)에 접착하는 단계, 상기와 동일한 방법으로 강성기판 위에 제 1 반도체와 반대 타입의 제 2 반도체 패턴(17)을 형성한 후 박리하여 유연성 기판(20) 위에 형성된 상부전극(18)에 접착하는 단계, 상기 유연성 기판(16) 상의 제 1 반도체 패턴(12)의 노출된 상부면은 유연성 기판(20) 위의 상부전극(18)에 접착하고, 상기 유연성 기판(20) 상의 제 2 반도체 패턴(17)의 노출된 상부면은 유연성 기판(16) 위의 하부전극(15)에 접착함으로써 제 1 및 제 2 반도체 패턴이 쌍을 이루어 배치되어지는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 열처리된 반도체를 패터닝하는 단계는 상기 열처리된 반도체 위에 포토레지스트를 코팅하는 단계와 마스크를 이용하여 코팅된 포토레지스트를 노광함으로써 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
4 4
청구항 3에 있어서, 패터닝한 반도체를 이용하여 반도체 패턴을 형성하는 단계는 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 반도체를 식각 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서, 박리된 반도체 패턴을 유연성 기판 위에 형성된 하부전극(15) 또는 상부전극(18)에 접착하는 단계는 상기 스탬프로 잡아준 반도체 패턴을 상기 유연성 기판 위에 형성된 하부전극(15) 또는 상부전극(18)에 접착한 후 스탬프를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 상부전극은 파형의 형상으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 에너지자원기술개발사업 열전 나노구조체 박막소재 및 모듈화 기술개발