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파장가변 필터

  • 기술번호 : KST2014039876
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 적은 수의 제조 단계를 통하여 열광학적 현상을 이용한 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터를 제조하는 방법과 그 방법에 의하여 제조되고 높은 전송율로 데이터를 전송할 수 있는 열광학 현상을 이용한 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터에 관한 것으로서, 파브리-페로 파장가변 필터를 제조하는 방법은 실리콘 웨이퍼에 감광막을 도포하고, 그 감광막이 도포된 실리콘 웨이퍼 위에 임프린팅을 수행하여 소정의 패턴을 형성하며, 임프린팅에 의하여 감광막이 제거된 부분의 실리콘 웨이퍼를 식각하고 그 식각된 공간에 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.파브리-페로, 파장가변, 필터, 열광학 현상
Int. CL G02F 1/383 (2006.01)
CPC G02F 1/383(2013.01) G02F 1/383(2013.01) G02F 1/383(2013.01)
출원번호/일자 1020050104487 (2005.11.02)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0732005-0000 (2007.06.19)
공개번호/일자 10-2007-0047596 (2007.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20070627) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.02)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재종 대한민국 대전 서구
2 박수연 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강정만 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 ** *층(역삼동, 성보빌딩)(뉴서울국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0631545-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.10.17 수리 (Accepted) 9-1-2006-0069469-02
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0674460-10
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0045391-69
6 의견서
Written Opinion
2007.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0045348-16
7 등록결정서
Decision to grant
2007.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0194811-41
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
입사빛의 파장을 가변하여 가변된 파장의 빛을 출력하는 필터부를 형성하는 단계와,상기 입사빛을 상기 필터부에 공급하기 위한 광섬유(30-1)와 상기 필터부로부터 출력되는 출사빛을 출력하는 출사빛 광섬유(30-2)를 고정시킬 수 있는 쐐기형 골(V-groove)부와, 필터부(10)에 열을 가하는 가열부를 상기 필터부의 부착시키기 위한 부착부분을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,여기서, 상기 필터부를 형성하는 단계는,공진기를 형성하는 기판부(10-1)와 그 기판부로부터 소정의 층부(10-2, 10-3)가 형성될 실리콘 웨이퍼(1)에 감광막을 도포하는 단계와,상기 감광막이 도포된 실리콘 웨이퍼(1) 위에, 원하는 선폭의 패턴이 형성되도록 임프린팅을 함으로써 패터닝(50)을 수행하는 단계와,상기 패터닝을 수행하는 단계에 의하여 감광막이 제거된 감광막 부분에 식각을 수행하는 단계와,식각 후 남아 있는 감광막을 제거하는 단계와,상기 식각된 부분에 산화막을 성장시키는 단계를 포함하고;상기 감광막을 도포하는 단계는스핀 코팅에 의하여 감광막을 상기 웨이퍼에 도포하는 것을 특징으로 하는 열광학적 현상을 이용한 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터의 제조방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 패턴은상기 실리콘 웨이퍼에 형성할 모양의 본이 미리 형성된 스템프를 이용한 임프린트 장비에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 열광학적 현상을 이용한 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터의 제조방법
4 4
제2 항에 있어서, 상기 식각단계는상기 실리콘 딥 에처(deep etcher)에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열광학적 현상을 이용한 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터의 제조방법
5 5
제4항에서 있어서, 상기 산화막을 성장시키는 단계는상기 식각된 부분은 산화막으로 채워지고, 상기 층부의 일부분만 산화막이 성장되는 것을 특징으로 하는 열광학적 현상을 이용한 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터의 제조방법
6 6
제4 항에 있어서,상기 입사빛 광섬유(30-1)를 통해 입사되는 빛과 상기 필터부의 각도를 조절할 수 있는 액츄에이터를 더 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열광학적 현상을 이용한 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터의 제조방법
7 7
삭제
8 8
입사빛의 파장을 가변하는 필터부(10)와,상기 필터부(10)의 둘레를 둘러싸여 부착되어 그 필터부(10)에 열을 가하는 가열기(20)와,상기 필터부(10)의 양쪽 면의 중심에 각각 부착된 입사빛 광섬유(30-1)와, 필터부(10)를 거쳐 출사된는 빛을 외부로 출력하는 출사빛 광섬유(30-2)를 포함하는 것을 특징으로 하고;여기서, 상기 필터부(10)는소정의 두께(D)를 가지고 공진기를 형성하는 기판부(10-1)와,기판부(10-1)를 중심으로 그 양쪽으로 소정의 거리만큼 떨어져서 형성된 층부(10-2, 10-3)와,상기 기판부(10-1)와 층부(10-2, 10-3) 사이에 형성된 공간에 채워지는 산화막층(10-4, 10-5)을 포함하고;상기 층부(10-2, 10-3)와 산화막층(10-4, 10-5)은 기판부(10-1)를 중심으로 그 양쪽으로 복수의 층이 형성되는 것을 특징으로 하는 열광학적 현상을 이용한 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터
9 9
제8 항에 있어서,상기 입사빛 광섬유(30-1)를 통해 입사되는 빛과 상기 필터부의 각도를 조절할 수 있는 액츄에이터가 더 부착되는 것을 특징으로 하는 열광학적 현상을 이용한 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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