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a) 포토레지스트(PR; Photo Resist)가 도포된 플렉서블(flexible) 기재에 마스크(mask)를 이용하여 광을 조사하고 현상하여 포토레지스트를 관통하는 기공의 패턴을 형성하는 패턴형성 단계;b1) 기공 패턴이 형성된 기재에 금속을 증착한 후, 포토레지스트를 제거하여 금속 범프의 패턴이 형성된 기재를 제조하는 범프형성 단계;b2) 상기 금속 범프에 확산방지막(diffusion barrier)을 형성하는 단계;c1) 관통 비아(via) 패턴이 형성된 반도체 기판을 산소의 존재하에 열처리하여 절연막을 형성한 후 연마하여, 상기 관통 비아의 표면에 절연막을 형성하는 단계;c2) 상기 관통 비아에 형성된 절연막 상에 솔더 젖음층을 형성하는 단계;c3) 절연막 및 솔더 젖음층이 형성된 관통 비아의 패턴을 갖는 반도체 기판과 금속 범프 패턴이 형성된 기재를 정렬 및 체결하여 상기 관통 비아에 상기 금속 범프를 삽입하는 체결 단계;d) 웨이브 솔더링(wave soldering)을 이용하여 상기 관통 비아에 상기 금속 범프를 솔더로 부착하여, 반도체 기판과 기재의 복합체를 제조하는 부착 단계; 및e) 상기 복합체로부터 물리적인 뜯어냄에 의해 상기 기재를 제거하고, 기재가 제거된 복합체를 연마하는 연마 단계;를 포함하여 수행되는 관통 전극의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 관통 전극의 제조방법은, 상기 a) 단계 전, a1) 상기 기재에 금속 박막을 형성하는 단계를 더 포함하고, a) 단계의 상기 포토레지스트는 상기 금속 박막 상부에 도포되며, 상기 e) 단계의 연마시 상기 금속 박막이 제거되는 것을 특징으로 하는 관통 전극의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 관통 전극의 제조방법은, 상기 a1) 단계 전, a2) 상기 기재에 금속산화물 박막 또는 내열성 폴리머 박막인 탈착 박막을 형성하는 단계를 더 포함하고, a1) 단계의 상기 금속 박막은 상기 탈착 박막 상부에 형성되며, 상기 e) 단계의 연마시 상기 탈착 박막이 제거되는 것을 특징으로 하는 관통 전극의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 d) 단계에서, 상기 웨이브 솔더링(wave soldering)에 의해 상기 관통 비아에 삽입된 상기 금속 범프와 상기 관통 비아간의 공극이 솔더에 의해 채워지는 것을 특징으로 하는 관통 전극의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 b1)의 금속의 증착은 전해도금에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 관통 전극의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 금속 범프는 Cu, Ag, Au, Pt 또는 Al인 것을 특징으로 하는 관통 전극의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 금속 박막은 Cu, Ag, Au, Pt 또는 Al인 것을 특징으로 하는 관통 전극의 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 금속 산화물 박막은 CuO, AgO, SiO2, Al2O3 또는 MgO이며, 상기 내열성 폴리머 박막은 테프론 또는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 관통 전극의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 확산 방지막은 Ti-W, W-C-N, W-N 또는 Ta-N인 것을 특징으로 하는 관통 전극의 제조방법
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