요약 | 본 발명은 기존의 플렉서블 기판의 낮은 공정 가능 온도, 높은 표면거칠기, 높은 열팽창 계수, 나쁜 핸들링 특성의 문제에 따른 플렉서블 전자소자의 성능 및 수율 저하의 문제점을 해결하기 위한 것이다.본 발명에 따른 플렉서블 전자소자의 제조방법은, 모기판 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 기판의 항복 강도보다도 상기 모기판과 상기 플렉서블 기판 사이의 계면 결합력이 작은 상기 플렉서블 기판과 모기판의 계면을 물리적으로 분리시키는 단계 및 상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 단계를 포함하는 플렉서블 전자소자의 제조방법. 포함하는 것을 특징으로 한다. |
---|---|
Int. CL | H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01) |
CPC | H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100067533 (2010.07.13) |
출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1147988-0000 (2012.05.15) |
공개번호/일자 | 10-2012-0006844 (2012.01.19) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20120524) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.07.13) |
심사청구항수 | 21 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이종람 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
2 | 김기수 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 주식회사 포스코 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.07.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0451954-14 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.06.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.07.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0062170-11 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.09.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0562223-19 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.11.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0892510-78 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.11.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0892512-69 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.04.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0245581-82 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 모기판 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;상기 플렉서블 기판을 상기 모기판으로부터 분리시키는 단계; 및상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 기판의 분리면에 전자소자를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 플렉서블 기판과 모기판 사이의 계면결합력이 상기 플렉서블 기판의 항복강도보다 작게 되도록 하고, 물리적인 힘을 통해 상기 플렉서블 기판을 상기 모기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
2 |
2 모기판 위에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;일면에 접착층이 형성된 임시기판을 상기 접착층을 이용하여 상기 플렉서블 기판 상에 부착하는 단계;상기 임시기판이 부착된 플렉서블 기판을 상기 모기판으로부터 분리시키는 단계; 및상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 플렉서블 기판과 모기판 사이의 계면결합력이 플렉서블 기판의 항복강도보다 작게 되도록 하고, 물리적인 힘을 통해 상기 플렉서블 기판을 상기 모기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
3 |
3 모기판 상에 박리층을 형성하는 단계;상기 박리층 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;일면에 접착층이 형성된 임시기판을 상기 접착층을 이용하여 상기 플렉서블 기판 상에 부착하는 단계;상기 박리층을 이용하여 상기 임시기판이 부착된 플렉서블 기판을 모기판으로부터 분리시키는 단계; 및상기 박리층과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 박리층과 플렉서블 기판의 계면결합력은 상기 플렉서블 기판보다 작게 되도록 하고, 물리적인 힘을 통해 상기 플렉서블 기판을 모기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 기판의 두께는 5㎛ ~ 500㎛인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
5 |
5 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 임시 기판을 포함하는 플렉서블 기판의 두께가 5㎛ ~ 500㎛인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
6 |
6 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 기판과 모기판 사이에 평탄화층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
7 |
7 제 3 항에 있어서,상기 박리층의 일면 또는 양면에 평탄화층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
8 |
8 제 2 항에 있어서,상기 임시기판과 접착층의 사이에 분리층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
9 |
9 제 2 항에 있어서,추가로 상기 임시기판을 플렉서블 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
10 |
10 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 기판이 형성되는 모기판 면의 표면거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0003c#Rms003c#100㎚, 0003c#Rp-v003c#1000㎚인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
11 |
11 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 모기판의 형상은 평판, 반원통형 또는 원통형인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
12 |
12 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 모기판은 유리, 금속 또는 고분자 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
13 |
13 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은, 2 이상의 서로 다른 재료로 적층한 복합구조인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
14 |
14 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
15 |
15 제 14 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In |
16 |
16 제 2 항에 있어서,상기 접착층은, 에폭시, 실리콘, 또는 아크릴 계열의 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 고분자 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
17 |
17 제 6 항에 있어서,상기 평탄화층은 폴리이미드(Polyimide:PI) 또는 폴리이미드를 포함하는 공중합체, 폴리아크릴산(polyacrylic acid) 또는 폴리아크릴산을 포함하는 공중합체, 폴리스티렌(polystyrene) 또는 폴리스티렌을 포함하는 공중합체, 폴리설파이트(polysulfate) 또는 폴리설파이트를 포함하는 공중합체, 폴리아믹산(polyamicacid) 또는 폴리아믹산을 포함하는 공중합체, 폴리아민(polyamine) 또는 폴리아민을 포함하는 공중합체, 폴리비닐 알콜(Polyvinylalcohol; PVA), 폴리 알릴아민(Polyallyamine) 및 폴리아크릴산(polyacrylic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
18 |
18 제 7 항에 있어서,상기 평탄화층은 폴리이미드(Polyimide:PI) 또는 폴리이미드를 포함하는 공중합체, 폴리아크릴산(polyacrylic acid) 또는 폴리아크릴산을 포함하는 공중합체, 폴리스티렌(polystyrene) 또는 폴리스티렌을 포함하는 공중합체, 폴리설파이트(polysulfate) 또는 폴리설파이트를 포함하는 공중합체, 폴리아믹산(polyamicacid) 또는 폴리아믹산을 포함하는 공중합체, 폴리아민(polyamine) 또는 폴리아민을 포함하는 공중합체, 폴리비닐 알콜(Polyvinylalcohol; PVA), 폴리 알릴아민(Polyallyamine) 및 폴리아크릴산(polyacrylic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
19 |
19 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 주조법, 전자선 증착법, 열 증착법, 스퍼터 증착법, 화학기상 증착법 또는 전기 도금법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
20 |
20 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전자소자는, 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display:OLED), 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 전기영동장치(Electrophoretic display: EPD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma displaypanel: PDP), 박막 트랜지스터(thin-film transistor: TFT), 마이크로 프로세서(microprocessor) 및 램(Random access memory: RAM)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
21 |
21 제 2 항에 있어서,상기 접착층은 SiO2, MgO, ZrO2, Al2O3, Ni, Al 및 운모로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 물질을 포함하며 사용온도가 450℃ 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
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지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN103140953 | CN | 중국 | FAMILY |
2 | EP02595211 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
3 | JP05879343 | JP | 일본 | FAMILY |
4 | JP25546156 | JP | 일본 | FAMILY |
5 | US20130105203 | US | 미국 | FAMILY |
6 | WO2012008683 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
7 | WO2012008683 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN103140953 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
2 | CN103140953 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
3 | EP2595211 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
4 | EP2595211 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
5 | JP2013546156 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
6 | JP5879343 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
7 | US2013105203 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
8 | WO2012008683 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
9 | WO2012008683 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식 경제부 | 한국화학연구원 | 21세기 프로티어사업 | 대면적 Flexible Display를 위한 Laser Lift-off |
특허 등록번호 | 10-1147988-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20100713 출원 번호 : 1020100067533 공고 연월일 : 20120524 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120426 청구범위의 항수 : 21 유별 : H01L 51/56 발명의 명칭 : 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
2 |
(의무자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
2 |
(권리자) 주식회사 포스코 경상북도 포항시 남구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 432,000 원 | 2012년 05월 16일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 502,000 원 | 2015년 05월 13일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 502,000 원 | 2016년 05월 12일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 502,000 원 | 2017년 05월 12일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 898,000 원 | 2018년 05월 11일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 898,000 원 | 2019년 05월 14일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.07.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0451954-14 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.06.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2011.07.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0062170-11 |
4 | 의견제출통지서 | 2011.09.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0562223-19 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.11.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0892510-78 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.11.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0892512-69 |
7 | 등록결정서 | 2012.04.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0245581-82 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
기술번호 | KST2014039949 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 포항공과대학교 산학협력단 |
기술명 | 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판 |
기술개요 |
본 발명은 기존의 플렉서블 기판의 낮은 공정 가능 온도, 높은 표면거칠기, 높은 열팽창 계수, 나쁜 핸들링 특성의 문제에 따른 플렉서블 전자소자의 성능 및 수율 저하의 문제점을 해결하기 위한 것이다.본 발명에 따른 플렉서블 전자소자의 제조방법은, 모기판 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 기판의 항복 강도보다도 상기 모기판과 상기 플렉서블 기판 사이의 계면 결합력이 작은 상기 플렉서블 기판과 모기판의 계면을 물리적으로 분리시키는 단계 및 상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 단계를 포함하는 플렉서블 전자소자의 제조방법. 포함하는 것을 특징으로 한다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | ㅡ |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스 |
사업화적용실적 | ㅡ |
도입시고려사항 | ㅡ |
과제고유번호 | 1415118318 |
---|---|
세부과제번호 | F0004090-2011-34 |
연구과제명 | 대면적 flexible display를 위한 laser lift-off 기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200806~201205 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415111110 |
---|---|
세부과제번호 | F0004090-2010-33 |
연구과제명 | 대면적 flexible display를 위한 laser lift-off 기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200806~201205 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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[KST2014064040][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 섬유를 이용하여 패턴이 분리된 유기전자소자 제조방법, 및 유기 섬유를 포함하는 유기소자 | 새창보기 |
[KST2015169630][포항공과대학교 산학협력단] | 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2016013445][포항공과대학교 산학협력단] | 태양전지를 구비한 발광다이오드 및 이의 제조방법(LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME) | 새창보기 |
[KST2016009542][포항공과대학교 산학협력단] | 태양전지를 구비한 발광다이오드 및 이의 제조방법(LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME) | 새창보기 |
[KST2014055763][포항공과대학교 산학협력단] | 일체형 전도성 기판을 채용한 유기 발광 소자 | 새창보기 |
[KST2017016736][포항공과대학교 산학협력단] | 전자소자용 금속 기판의 제조 방법(MANUFACTURING MATHOD OF METAL SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICE) | 새창보기 |
[KST2016014900][포항공과대학교 산학협력단] | 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 트랜지스터 및 이의 제조방법(ORGANIC-INORGANIC HYBRID PEROVSKITE LIGHT EMITTING TRANSISTER AND METHOD OF FABRICATING THEREOF) | 새창보기 |
[KST2015169700][포항공과대학교 산학협력단] | 투명 전극, 이를 구비한 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2016010297][포항공과대학교 산학협력단] | 엑시톤 버퍼층을 포함하는 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법(Perovskite light emitting device including exciton buffer layer and manufacturing method thereof) | 새창보기 |
[KST2015169665][포항공과대학교 산학협력단] | 고효율 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015169579][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015169638][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 발광 다이오드용 기판, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 다이오드 | 새창보기 |
[KST2015169549][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 발광 다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015170157][포항공과대학교 산학협력단] | 전극 및 이를 포함한 전자 소자 | 새창보기 |
[KST2014042763][포항공과대학교 산학협력단] | 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014055762][포항공과대학교 산학협력단] | 일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자 | 새창보기 |
[KST2016013444][포항공과대학교 산학협력단] | 표시 장치 및 이의 제조 방법(Display device and manufacturing method thereof) | 새창보기 |
[KST2019034539][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2018001565][포항공과대학교 산학협력단] | 불화고분자산 도핑된 그래핀 전극 및 이의 제조방법(Graphene Electrode Doped by Fluorinated Polymeric Acid and Method Forming The Same) | 새창보기 |
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