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은이온 교환된 양극산화 표면을 포함하는 임플란트 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014040109
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 티타늄 또는 티타늄 합금을 포함하는 본체 및 상기 본체의 표면에 코팅된 인산은 티타네이트(Ag3PO4TiO2) 산화막을 포함하는 임플란트 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 높은 생활성(bioactivity) 및 항균성(antimicrobial activity)을 가지면서 빠르고 강력한 골유착(osseointegration) 및 골유도성(osseoinductive surface properties)을 유도하여 치과, 정형외과, 구강외과 및 성형외과 등의 영역에서 환자에게 시술되는 인체 삽입형 의료기기에 유용하게 이용될 수 있다.
Int. CL A61L 27/06 (2006.01) A61L 27/32 (2006.01) A61L 27/30 (2006.01) A61C 8/00 (2006.01)
CPC A61L 27/06(2013.01) A61L 27/06(2013.01) A61L 27/06(2013.01) A61L 27/06(2013.01) A61L 27/06(2013.01)
출원번호/일자 1020100014329 (2010.02.17)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1188443-0000 (2012.09.27)
공개번호/일자 10-2011-0094745 (2011.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20121005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.17)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상배 대한민국 서울특별시 서대문구
2 김경남 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김광만 대한민국 경기도 고양시 일산서구
4 이용근 대한민국 서울특별시 서초구
5 안현욱 대한민국 경상북도 경산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양부현 대한민국 서울특별시 송파구 오금로 **, 태원빌딩 **층, 특허팀(주식회사씨젠)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0104528-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0065391-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0508815-83
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0869464-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0869456-60
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2012.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0222630-48
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0307673-70
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.04.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0307740-31
11 등록결정서
Decision to grant
2012.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0484083-40
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
티타늄 또는 티타늄 합금을 포함하는 본체 및 상기 본체의 표면에 코팅된 다공성 구조(pore structure)로 이루어진 윗층 및 배리어(barrier) 산화막으로 이루어진 아래층을 포함하는 이중층 구조(bilayer structure)인 인산은 티타네이트(Ag3PO4TiO2) 산화막을 포함하는 임플란트
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 인산은 티타네이트 산화막은 두께가 1000 nm - 20 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 임플란트
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 임플란트는 치과, 정형외과, 구강외과 또는 성형외과용 인체 삽입물인 것을 특징으로 하는 임플란트
6 6
다음의 단계를 포함하는 임플란트의 제조방법:(a) 티타늄 또는 티타늄 합금을 포함하는 임플란트 본체를 칼슘 및 인 이온이 포함된 전해질 용액에 침지하는 단계; (b) 상기 침지된 임플란트 본체에 칼슘 및 인 이온을 포함하는 티타네이트 산화막을 피복시키는 단계; 및 (c) 상기 임플란트 본체를 은염 용액에 침지하여 티타늄 또는 티타늄 합금을 포함하는 본체 및 상기 본체의 표면에 코팅된 다공성 구조(pore structure)로 이루어진 윗층 및 배리어(barrier) 산화막으로 이루어진 아래층을 포함하는 이중층 구조(bilayer structure)인 인산은 티타네이트(Ag3PO4TiO2) 산화막을 포함하는 임플란트를 수득하는 단계
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 양극산화법에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 양극산화법은 20 - 600 V 의 전압 하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 (b) 단계와 (C) 단계 사이에 임플란트 본체 표면을 열처리하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 열처리는 100 - 700 ℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제 6 항에 있어서, 상기 (C) 단계 이후에 임플란트 본체 표면을 열처리하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 열처리는 100 - 700 ℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제 6 항에 있어서, 상기 (c) 단계의 은염 용액은 질산은(AgNO3), 인산은(Ag3PO4), 황산은(Ag2SO4), 요오드화은(AgI), 수산화은(AgOH) 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 은염 용액인 것을 특징으로 하는 방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 은염 용액은 질산은(AgNO3) 용액인 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.