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모재,상기 모재에 접하고, 상호 중첩된 에지면들을 포함하는 적어도 하나의 분리막, 및상기 에지면들 사이에 위치하고, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 합금층을 포함하고,상기 분리막은 상기 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 이원 상태도(phase diagram) 상에서 상기 제1 금속의 중량비가 감소함에 따라 상기 합금층의 융점이 증가하는 부분이 존재하는 가스포집모듈
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제1항에 있어서,상기 제1 금속의 융점은 150℃ 내지 400℃인 가스포집모듈
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제3항에 있어서,상기 제1 금속은 주석(Sn), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 인듐(In) 및 실리콘(Si)으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 가스포집모듈
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제4항에 있어서,상기 제1 금속은 주석(Sn)을 포함하는 가스포집모듈
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제5항에 있어서,상기 주석(Sn)의 양은 70wt% 이상이고 100wt% 미만인 가스포집모듈
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제1항에 있어서,상기 제2 금속은 팔라듐(Pd)인 가스포집모듈
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제1항에 있어서,상기 모재는 원통형 도관이고, 상기 분리막은 상기 원통형 도관의 내면에 접하는 가스포집모듈
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제8항에 있어서,상기 분리막을 상기 원통형 도관의 내면에 접합시키는 접합층을 더 포함하고, 상기 접합층은 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속을 포함하는 가스포집모듈
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제1항에 있어서,상기 분리막의 판면은 상기 모재가 뻗은 방향과 교차하고, 상기 분리막은 상기 모재의 일단에 부착된 가스포집모듈
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제10항에 있어서,상기 모재의 일단에 위치하고, 상기 분리막과 상기 모재를 상호 부착시키는 접합층을 더 포함하는 가스포집모듈
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모재를 제공하는 단계,상호 대향하는 제1 에지면 및 제2 에지면을 포함하는 적어도 하나의 분리막을 제공하는 단계,상기 제1 에지면 및 상기 제2 에지면 사이에 제1 금속을 포함하는 접합 부재를 제공하는 단계,상기 분리막을 열처리하여 상기 분리막에 포함된 제2 금속이 상기 접합 부재측으로 확산되면서 상기 접합 부재가 합금층으로 변환되고, 상기 제1 에지면 및 상기 제2 에지면이 상기 합금층과 접합되는 단계, 및상기 분리막을 상기 모재에 접합시키는 단계를 포함하는 가스포집모듈의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 분리막을 열처리하는 단계는,상기 분리막을 기설정된 온도까지 가열하는 단계, 및상기 가열된 분리막을 상기 기설정된 온도로 유지하는 단계를 포함하는 가스포집모듈의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 기설정된 온도는 150℃ 내지 300℃인 가스포집모듈의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 접합 부재를 제공하는 단계에서, 상기 접합 부재를 상기 제1 에지면 위에 증착 또는 도포하는 가스포집모듈의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 분리막을 제공하는 단계에서, 상기 분리막을 말아서 제1 에지면 및 상기 제2 에지면을 상호 중첩시키는 가스포집모듈의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 분리막을 열처리하는 단계에서, 상기 분리막을 진공 챔버 내에서 가열하는 가스포집모듈의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 분리막을 제공하는 단계에서, 상기 적어도 하나의 분리막은 복수의 분리막들을 포함하고, 상기 제1 에지면 및 상기 제2 에지면은 각각 상기 복수의 분리막들 중 상호 다른 분리막들에 각각 존재하는 가스포집모듈의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 분리막을 열처리하는 단계에서, 상기 제1 금속과 상기 제2 금속의 이원 상태도상에서 상기 제1 금속의 중량비가 감소함에 따라 상기 합금층의 융점이 증가하는 부분이 존재하는 가스포집모듈의 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 제1 금속은 주석(Sn), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 인듐(In) 및 실리콘(Si)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 가스포집모듈의 제조 방법
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