1 |
1
기판과;상기 기판 상에 형성되고, 광활성층에서 생성되는 정공이 이동하여 오는 양극층과;상기 양극층 상에 형성되어, 광활성층으로부터 비롯되는 전자와 정공이 재결합하는 것을 방지하는 제1 재결합 방지층과;상기 재결합 방지층 상에 형성되어, 전자와 정공을 생성하는 광활성층과;상기 광활성층 상에 형성되고, 광활성층으로부터 비롯되는 전자와 정공이 재결합하는 것을 방지하는 제2 재결합 방지층과;광활성층에서 생성되는 전자가 이동하여 오는 음극층을 포함하고,상기 광활성층은 그 층을 구성하는 이종물질 중 p-type의 물질이 상기 제1 재결합 방지층 상에 선택적으로 석출되어, 상기 광활성층 내에서 p-type의 물질과 n-type의 물질이 선택적으로 상분리되어 있는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지
|
2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 광활성층은 그 층을 구성하는 이종 물질 중 p-type의 물질이 상기 제1 재결합 방지층과의 계면에 집중적으로 분포되고, n-type의 물질은 상기 제2 재결합 방지층과의 계면에 분포되는 수직 조성 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지
|
3 |
3
청구항 2에 있어서, 상기 제1 재결합 방지층의 계면에 선택적으로 석출되어 집중 분포되는 p-type의 물질은 상기 n-type의 물질의 이동을 제한하여, n-type 물질의 클러스터 크기를 억제하는 것을 특징으로 하는 이종 접합형 태양전지
|
4 |
4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광활성층은 poly(3-hexylthiophene)(P3HT) 및 [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM)으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지
|
5 |
5
청구항 4에 있어서, 상기 제1 재결합 방지층은 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):Poly(styrenesulfonate))으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지
|
6 |
6
(a) 기판을 준비하는 단계와;(b) 상기 기판 위에 광활성층에서 생성되는 정공이 이동하여 오는 양극층을 형성하는 단계와;(c) 광활성층으로부터 비롯되는 전자와 정공이 재결합하는 것을 방지하는 제1 재결합 방지층을 상기 양극층 상에 형성하는 단계와;(d) 상기 제1 재결합 방지층이 형성된 기판을 10℃ 미만의 저온 상태로 만드는 단계와;(e) 상기 저온 상태 하에서, 상기 제1 재결합 방지층 상에 전자와 정공을 생성하는 광활성층을 생성하는 단계와;(f) 상기 광활성층 상에 상기 광활성층으로부터 비롯되는 전자와 정공이 재결합하는 것을 방지하는 제2 재결합 방지층을 형성하는 단계와;(g) 상기 제2 재결합 방지층 상에 상기 광활성층으로부터 생성되는 전자가 이동하여 오는 음극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지의 제조 방법
|
7 |
7
청구항 6에 있어서, 상기 (d) 단계에 있어서, 상기 기판을 0℃ ~ -40℃ 범위의 저온 상태로 만드는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지의 제조 방법
|
8 |
8
청구항 6에 있어서, 상기 (d) 단계에 있어서, 상기 기판을 액체 질소를 이용하여 상기 저온 상태로 만드는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지의 제조 방법
|
9 |
9
청구항 6 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (e) 단계에 있어서, 상기 광활성층을 스핀 코팅 프로세스에 의해 형성하며, 이때 형성되는 광활성층은 상온 분위기에서 형성한 것과 비교하여 더 큰 결정성을 갖는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지의 제조 방법
|
10 |
10
청구항 9에 있어서, 상기 (e) 단계에 있어서, 상기 광활성층을 스핀 코팅 프로세스에 따라 형성할 때, 상기 광활성층을 구성하는 이종물질 중 p-type의 물질이 상기 제1 재결합 방지층 상에 선택적으로 석출되어, 상기 광활성층 내에서 p-type의 물질과 n-type의 물질이 선택적으로 상분리되는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지의 제조 방법
|
11 |
11
청구항 10에 있어서, 상기 (e) 단계에 있어서, 상기 광활성층을 스핀 코팅 프로세스에 따라 형성할 때, 상기 광활성층을 구성하는 이종 물질 중 p-type의 물질이 상기 제1 재결합 방지층과의 계면에 집중적으로 분포되고, n-type의 물질은 상기 제2 재결합 방지층과의 계면에 분포되는 수직 조성 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지의 제조 방법
|
12 |
12
청구항 11에 있어서, 상기 제1 재결합 방지층과의 계면에 집중 분포되는 p-type의 물질은 상기 n-type의 물질의 이동을 제한하여, n-type 물질의 클러스터 크기를 억제하는 것을 특징으로 하는 이종 접합형 태양전지의 제조 방법
|
13 |
13
청구항 10에 있어서, 상기 광활성층은 poly(3-hexylthiophene)(P3HT) 및 [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM)으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지의 제조 방법
|
14 |
14
청구항 13에 있어서, 상기 제1 재결합 방지층은 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):Poly(styrenesulfonate))으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지의 제조 방법
|
15 |
15
투명 양극층이 형성된 기판과;상기 양극층 상에 형성되어, 광활성층으로부터 비롯되는 전자와 정공이 재결합하는 것을 방지하는 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):Poly(styrenesulfonate))으로 이루어지는 제1 재결합 방지층과;상기 제1 재결합 방지층 상에 형성되어, 전자와 정공을 생성하는 광활성층으로서, 양극성을 띠는 p-type 물질인 poly(3-hexylthiophene)(P3HT) 및 음극성을 띠는 n-type 물질인 [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM)으로 이루어지는 광활성층과;상기 광활성층 상에 형성되고, 광활성층으로부터 비롯되는 전자와 정공이 재결합하는 것을 방지하는 제2 재결합 방지층과;광활성층에서 생성되는 전자가 이동하여 오는 음극층을 포함하고,상기 광활성층은 그 층을 구성하는 이종물질 중 상기 P3HT가 상기 PEDOT:PSS 상에 선택적으로 석출되어, 상기 광활성층 내에서 P3HT와 PCBM이 상분리되어, P3HT가 상기 PEDOT:PSS 상에 집중 분포되고, 상기 PCBM은 상기 제2 재결합 방지층 쪽으로 분포되는 수직 조성 구조를 형성하는 광 변환 효율 개선 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 벌크 이종접합형 태양전지
|
16 |
16
청구항 15에 있어서, 상기 PEDOT:PSS와의 계면에 선택적으로 석출되어 집중 분포되는 P3HT는 상기 PCBM 물질의 이동을 제한하여, PCBM의 응집을 억제하여, 그 클러스터 크기를 제한하는 것을 특징으로 하는 이종 접합형 태양전지
|