| 1 |
1
탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT) 배열체층 및 ZnO 박막층을 포함하는 태양전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 배열체층이 p-형이고, 상기 ZnO 박막층이 n-형인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 태양전지가 투명한 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,탄소나노튜브 배열체층이 기판상에 형성되고, 상기 ZnO 박막층이 탄소나노튜브 배열체상에 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 ZnO 박막층 상에 Al, In, Ga, B 및 F 로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속이 도핑된 ZnO 박막층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 태양전지
|
| 6 |
6
(a) 기판상에 p-형 탄소나노튜브 배열을 형성하는 단계;(b) 배열된 탄소나노튜브 양끝에 전극을 형성하는 단계;(c) 정렬된 탄소나노튜브 위에 n-형 ZnO 박막층을 형성하는 단계; (d) 후열처리 하는 단계; 및(e) 후열처리된 ZnO 박막층 위에 금속이 도핑된 ZnO 박막층 및 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 기판이 투명 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 단계 (b)의 금속이 Cr, Au, Pd, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속이거나, 또는 ITO (Indium tin Oxide), IZO (Indium zinc oxide), AZO (Aluminum zinc oxide), GZO (Gallium zinc oxide), GIT (Gallium-Indium tin oxide) 및 ZTO (Zinc tin oxide)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 산화금속인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
|
| 9 |
9
제6항에 있어서,후열처리가 300 ℃ 내지 900 ℃의 온도범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
|
| 10 |
10
제6항에 있어서,후열처리시 공기 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
|
| 11 |
11
제6항에 있어서,상기 단계 (e)에서, 금속이 도핑된 ZnO 박막층으로, Al, In, Ga, B 및 F로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속이 도핑된 ZnO 박막층을 사용하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 금속이 도핑된 ZnO 박막층이 AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), IGZO(In:Ga doped ZnO), BZO(Boron-doped ZnO) 및 FZO(Fluorine-doped ZnO)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
|
| 13 |
13
제6항 내지 제12항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 태양전지
|
