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태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014040153
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지는 기판, 제1 도전형 반도체층, 진성 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다. 기판에는 복수의 나노 구조물이 형성되고, 나노 구조물들을 커버하도록 제1 도전형 반도체층이 형성되고, 제1 도전형 반도체층 상에 진성 반도체층이 형성되며, 진성 반도체층 상에 제2 도전형 반도체층이 형성된다. 제1 전극은 제2 도전형 반도체층 상에 형성된다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01)
CPC H01L 31/075(2013.01) H01L 31/075(2013.01) H01L 31/075(2013.01)
출원번호/일자 1020100047053 (2010.05.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1116857-0000 (2012.02.08)
공개번호/일자 10-2011-0127518 (2011.11.25) 문서열기
공고번호/일자 (20120306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.19)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김도영 대한민국 서울특별시 마포구
2 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
3 강혜민 대한민국 전라남도 여수시
4 윤재홍 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0322432-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0310150-97
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0609421-42
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0609419-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0024245-84
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판;상기 투명 기판상에 형성된 나노구조물;상기 나노 구조물을 커버하는 제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 구비된 진성 반도체층; 그리고 상기 진성 반도체층 상에 구비된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층은 상기 나노 구조물들의 외형을 따라 막 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제2항에 있어서, 상기 진성 반도체층은 상면에 상기 제1 도전형 반도체층의 단차가 나타나지 않도록 평탄하게 구비되는 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 투명기판과 상기 나노 구조물들 사이에 구비된 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제4항에 있어서, 상기 도전층은 투명 전도성 산화물인 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제4항에 있어서, 상기 도전층 상에 구비되어 상기 나노 구조물들을 성장시키는 복수의 시드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제6항에 있어서, 상기 나노 구조물들은 상기 시드들 중 하나의 시드에 네 개의 나노 구조물이 위치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제1항에 있어서, 상기 투명기판은 투명한 재질의 유리 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제1항에 있어서, 상기 나노 구조물들은 나노 막대 또는 나노 와이어 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층은 P형인 수소화된 비정질 실리콘층이고, 상기 진성 반도체층은 수소화된 비정질 실리콘 층이며, 상기 제2 도전형 반도체 층은 N형인 수소화된 비정질 실리콘층인 것을 특징으로 하는 태양전지
11 11
투명기판을 제공하는 단계;상기 투명기판 상에 나노구조물을 성장시키는 단계;상기 나노 구조물들을 커버하도록 제1도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1도전형 반도체층 상에 진성반도체층을 형성하는 단계; 및상기 진성 반도체층 상에 제2도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층은 상기 나노 구조물들의 외형을 따라 막 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 진성 반도체층은 상면에 상기 제1 도전형 반도체층의 단차가 나타나지 않도록 평탄하게 구비되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 투명기판과 상기 나노 구조물들 사이에 도전층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 도전층은 투명 전도성 산화물인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 도전층 상에 상기 나노 구조물들을 성장시키는 복수의 시드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 나노 구조물들은 상기 시드들 중 하나의 시드에 네 개의 나노 구조물이 위치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
18 18
제11항에 있어서, 상기 투명기판은 투명한 재질의 유리 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
19 19
제11항에 있어서, 상기 나노 구조물들은 나노 막대 또는 나노 와이어 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
20 20
제11항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층은 P형인 수소화된 비정질 실리콘층이고, 상기 진성 반도체층은 수소화된 비정질 실리콘 층이며, 상기 제2 도전형 반도체 층은 N형인 수소화된 비정질 실리콘층인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.