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태양전지 및 태양전지 제조방법

  • 기술번호 : KST2014040154
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 및 태양전지의 제조방법에 관한 것으로써, 전극 형성을 위한 소성공정(firing) 처리 후 패시베이션효과가 감소되는 것을 막기 위해, 원자층증착법(ALD)를 이용하여 TiO2 패시베이션층을 형성하는 태양전지의 제조방법이 제공된다. 이를 통해 전자-정공 쌍의 재결합에 의한 표면손실을 줄임으로써 에너지변환 효율이 높은 태양전지를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020110026350 (2011.03.24)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1195040-0000 (2012.10.22)
공개번호/일자 10-2012-0109036 (2012.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20121029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김도영 대한민국 서울특별시 마포구
2 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
3 김우희 대한민국 서울특별시 성북구
4 김민규 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0216048-18
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0990224-91
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0243450-63
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0467053-91
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0467052-45
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0577846-28
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1도전형 기판에 제2도전형의 접합층을 형성하는 단계;상기 제2도전형의 접합층 위에 전자-정공 쌍의 재결합에 의한 표면손실을 줄이기 위한 TiO2층을 형성하는 단계; 및상기 제2도전형의 접합층 위에 위치하는 전면전극 및 상기 제1도전형 기판의 후면에서 상기 제1도전형 기판과 접촉하는 후면전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 태양전지 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 TiO2층은 원자층 증착법(ALD)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전면전극 및 후면전극을 형성하는 단계는 소성공정(firing)을 포함하며, 상기 소성공정(firing) 시에 상기 TiO2층의 고정전하(fixed charge)의 수명시간(lifetime)을 증가시키는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 소성공정(firing)은 벨트로(belt furnace)를 사용하여 800oC 내지 1000oC에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
5 5
제1도전형 기판;상기 제1도전형 기판 위에 위치하고, 상기 제1도전형 기판과 반대의 제2도전형의 접합층; 및전자-정공 쌍의 재결합에 의한 표면손실을 줄이기 위한 TiO2층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제1도전형 기판은 n형 또는 p형 도전형 기판이고, 상기 제2도전형의 접합층은 상기 제1도전형 기판과 다른 도전형을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제 5 항에 있어서,상기 제1도전형 기판이 n형인 경우, 상기 제1도전형 기판의 전면에 TiO2층을 포함하고, 상기 제1도전형 기판이 p형인 경우, 상기 제1도전형 기판의 후면에 TiO2층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 일반연구자지원(기본연구) 롤투롤 원자층 증착 공정을 이용한 유연 소자용 고성능 투명 산화막 연구 (2/3)
2 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 신기술융합형 성장동력사업 ALD기반 그래핀 FET 및 solid-state device 응용 연구 (1/3,3-5 차년도 참여)
3 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 미래기반기술개발사업(나노분야) 원자층 증착법을 이용한 반도체 나노선 어레이의 특성 향상과 고효율 소자에의 응용 (2/3)
4 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(핵심연구사업) 테라헤르츠 기반 초민감 다중 분자 검지 시스템 (1/3)