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나노공진기 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014040289
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노공진기 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘기판(10) 상면에 희생층(20)을 증착시키는 단계; 상기 희생층(20) 상면에 공진층(35)을 증착시키는 단계; 상기 공진층(35) 상면에 포토레지스트(37)를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트(37) 상에서 공진부(30) 형상의 마스크(39)를 통해 리소그래피 방식으로 노광을 실시하여 공진부(30) 형상을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝 된 포토레지스트(37)를 현상하여 공진부(30) 형상이 드러나도록 하는 단계; 상기 공진부(30) 형상에 금속층(40)을 증착하는 단계; 상기 금속층(40)이 층착된 공진부(30) 형상을 갖도록 포토레지스트(37)를 완전히 제거하는 단계; 및 상기 금속층(40), 공진부(30) 및 희생층(20)에 대해 식각을 수행하는 단계를 포함하여 구성된다. 따라서, 공진기 구동시 에너지 손실을 최소화함은 물론 공진기의 작동 효율 및 공진기 주파수 특성의 안정성을 증가시킬 수 있도록 하는 등의 효과를 얻는다.
Int. CL H01P 7/08 (2006.01) H01P 7/00 (2006.01)
CPC H01P 7/08(2013.01) H01P 7/08(2013.01) H01P 7/08(2013.01)
출원번호/일자 1020100024800 (2010.03.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1099646-0000 (2011.12.21)
공개번호/일자 10-2011-0105584 (2011.09.27) 문서열기
공고번호/일자 (20111229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성찬 대한민국 서울특별시 서대문구
2 조준형 대한민국 서울특별시 송파구
3 정영모 대한민국 서울특별시 서대문구
4 김환균 대한민국 서울특별시 강남구
5 황석주 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0176552-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0035082-68
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0313691-90
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0610036-02
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0610037-47
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
8 등록결정서
Decision to grant
2011.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0741812-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
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실리콘기판(10) 상면에 희생층(20)을 증착시키는 단계;상기 희생층(20) 상면에 공진층(35)을 증착시키는 단계;상기 공진층(35) 상면에 포토레지스트(37)를 도포하는 단계;상기 포토레지스트(37) 상에서 공진부(30) 형상의 마스크(39)를 통해 리소그래피 방식으로 노광을 실시하여 공진부(30) 형상을 패터닝하는 단계;상기 패터닝 된 포토레지스트(37)를 현상하여 공진부(30) 형상이 드러나도록 하는 단계;상기 공진부(30) 형상에 금속층(40)을 증착하는 단계;상기 금속층(40)이 층착된 공진부(30) 형상을 갖도록 포토레지스트(37)를 완전히 제거하는 단계; 및상기 금속층(40), 공진부(30) 및 희생층(20)에 대해 식각을 수행하는 단계;를 포함하여 구성되는 나노공진기 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 포토레지스트(37) 타입은 빛을 쏘이는 부분의 포토레지스트(37)를 제외한 나머지 부분을 패터닝 할 수 있도록 하는 네가티브 방식이 적용되어 현상시 상기 공진부(30) 형상이 음각되도록 하는 것을 특징으로 하는 나노공진기 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 식각 단계에서는 건식 식각과 습식 식각을 같이 적용하여 공진부(30)를 완성하는 것을 특징으로 하는 나노공진기 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 식각 단계에서는 건식 식각을 수행하여 금속층으로 덮여 있는 공진층(35) 및 희생층(20) 부분이 직벽면을 갖도록 식각이 이루어지고 나서, 습식 식각을 수행하여 희생층(20) 만을 식각하는 것을 특징으로 하는 나노공진기 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 습식 식각시 희생층(20)은 공진부의 양단부를 제외한 나머지 부분이 식각 제거되어 공진부(30)의 중앙이 실리콘기판(10)과 일정거리 이격되는 브릿지(32) 구조가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 나노공진기 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 희생층(20)은 이산화실리콘(SiO2)을 증착하여 된 것을 특징으로 하는 나노공진기 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 공진층(35)은 실리콘 카바이드(SiC)를 증착하여 된 것을 특징으로 하는 나노공진기 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 금속층(40)은 알루미늄(Al)을 증착하여 되고 그 상면에 다시 산화막이 증착되는 것을 특징으로 하는 나노공진기 제조방법
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