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P형층 및 N형층으로 구성된 기판 상부에 홀 구조를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 홀 구조를 이용하여 상기 기판 상부에 금속이온을 증착하는 단계;상기 금속이온이 증착된 영역 이외의 영역에 대하여 무전해 금속 식각(EMD: Electroless Metal Deposition)을 수행하여, 나노선을 형성하는 단계; 및상기 형성된 나노선의 상부 및 상기 기판의 하부에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 나노선 다이오드 생성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상부에 홀 구조를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 리소그래피()를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노선 다이오드 생성 방법
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제2항에 있어서,상기 포토레지스트 물질은 SU-8인 것을 특징으로 하는 나노선 다이오드 생성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상부에 홀 구조를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 반응 이온 식각(RIE: Reactive Ion Etching)을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노선 다이오드 생성 방법
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제4항에 있어서,상기 포토레지스트 물질은 실리콘 화합물인 것을 특징으로 하는 나노선 다이오드 생성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속이온이 증착된 영역 이외의 영역에 대하여 무전해 금속 식각(EMD: Electroless Metal Deposition)을 수행하여, 나노선을 형성하는 단계는 무전해 금속 식각의 반응시간을 이용하여 식각의 깊이를 제어하는 것을 특징으로 하는 나노선 다이오드 생성 방법
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제1항에 있어서,상기 무전해 금속 식각은 HF/AgNO3 용액을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 나노선 다이오드 생성 방법
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제1항에 있어서,상기 형성된 나노선의 상부 및 상기 기판의 하부에 전극을 형성하는 단계는 상기 형성된 나노선의 상부 및 상기 기판의 하부에 각각 다른 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노선 다이오드 생성 방법
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제1항에 있어서,상기 무전해 금속 식각을 이용하여 생성된 나노선은 상기 P형층 및 N형층 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노선 다이오드 생성 방법
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제1항에 있어서,상기 무전해 금속 식각을 이용하여 생성된 나노선은 상기 P형층 및 N형층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노선 다이오드 생성 방법
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