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제 1 시간 동안 광 감지소자에서 광전자를 생성하는 단계;상기 제 1 시간 보다 짧은 제 2 시간 동안 상기 광 감지소자에서 광전자를 생성하는 단계; 및상기 광 감지소자에서 생성된 광전자를 감지하는 단계를 포함하며,상기 광 감지소자에 연결된 전달 트랜지스터의 게이트 전압은 상기 제 1 시간 및 제 2 시간 동안 다르게 설정되는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전달 트랜지스터의 게이트 전압은 상기 제 1 시간 동안 접지 전압보다 높고 상기 전달 트랜지스터를 턴 온 시키는 전압보다 낮은 전달 조정 전압으로 설정되는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 2 항에 있어서,상기 전달 트랜지스터의 게이트 전압은 상기 제 2 시간 동안 상기 전달 조정 전압보다 낮은 전압으로 설정되는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 3 항에 있어서,상기 제 2 시간 동안 상기 전달 게이트 전압은 접지 전압인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 시간 동안 생성된 광전자는 상기 광 감지소자에 축적되는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 시간 동안 생성된 광전자는 상기 제 1 시간 동안 생성된 광전자가 축적된 상기 광 감지소자에 축적되는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전달 트랜지스터의 소스 및 드레인은 각각 상기 광 감지소자 및 부유 확산 노드에 연결되며,상기 광 감지소자에서 생성된 광전자를 감지하는 단계는상기 부유 확산 노드를 전원 전압으로 리셋하는 단계; 및상기 제 1 및 제 2 시간 동안 생성된 광전자를 상기 부유 확산 노드에 전달하는 단계를 포함하는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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씨모스 이미지 센서의 동작 방법에 있어서:상기 씨모스 이미지 센서는 광 감지소자; 및 상기 광 감지소자 및 부유 확산 노드 사이에 전하 통로를 형성하는 전달 트랜지스터를 포함하며,상기 광 감지소자에서 광전자가 생성되는 동안에 상기 전달 트랜지스터의 게이트 전압 레벨은 변경되는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 8 항에 있어서,상기 전달 트랜지스터의 게이트 전압 레벨은상기 광 감지소자에서 광전자가 생성되는 동안에 제 1 전압에서 상기 제 1 전압보다 낮은 제 2 전압으로 변경되는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 전압은 상기 전달 트랜지스터를 턴 온 시키는 전압보다 낮고 접지 전압보다 높은 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제 2 전압은 접지 전압인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 전압은 제 1 시간 동안 상기 전달 트랜지스터의 게이트에 인가되며, 상기 제 2 전압은 상기 제 1 시간 보다 짧은 제 2 시간 동안 상기 전달 트랜지스터의 게이트에 인가되는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 시간 동안 생성된 광전자는 상기 광 감지소자에 축적되는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 시간 동안 상기 광 감지소자에 축적된 광전자는 상기 부유 확산 노드에 전달되는 씨모스 이미지 센서의 동작 방법
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제 1 및 제 2 시간 동안에 광전자를 생성하는 광 감지소자; 및전달 신호에 응답하여, 상기 광 감지소자 및 부유 확산 노드 사이에 전하 통로를 형성하는 전달 트랜지스터를 포함하며,상기 전달 신호의 전압 레벨은 상기 제 1 및 제 2 시간 동안 각각 다르게 설정되는 씨모스 이미지 센서
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제 15 항에 있어서,상기 전달 신호의 전압 레벨은상기 제 1 시간 동안 상기 전달 트랜지스터를 턴 온 시키는 전압보다 낮고 접지 전압보다 높은 제 1 전압이며, 상기 제 2 시간 동안 상기 제 1 전압보다 낮은 제 2 전압인 씨모스 이미지 센서
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제 16 항에 있어서,상기 제 1 시간은 상기 제 2 시간에 비하여 긴 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서
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제 15 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 시간에 생성된 광전자는 상기 광 감지소자의 웰(well)에 축적되는 씨모스 이미지 센서
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제 1 시간 및 상기 제 1 시간보다 짧은 제 2 시간 동안에 광전자를 생성하는 광 감지소자; 및상기 광 감지소자 및 부유 확산 노드 사이에 연결되며, 전달 신호에 응답하여 전하 통로를 형성하는 제 1 트랜지스터를 포함하며,상기 부유 확산 노드 및 전원 전압 사이에 연결되며, 리셋 신호에 응답하여 전하 통로를 형성하는 제 2 트랜지스터를 포함하며,상기 제 1 시간 동안 상기 전달 신호의 레벨은 상기 제 1 트랜지스터를 턴 온 시키는 전압보다 낮은 전달 조정 전압이고 상기 리셋 신호의 레벨은 상기 제 2 트랜지스터를 턴 온 시키는 리셋 활성화 전압인 씨모스 이미지 센서
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제 19 항에 있어서,상기 제 2 시간 동안 상기 전달 신호의 레벨은 상기 전달 조정 전압보다 낮은 전압인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서
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제 19 항에 있어서,전원 전압에 연결되며, 상기 부유 확산 노드의 전압에 응답하여 전하 통로를 형성하는 제 3 트랜지스터; 및상기 제 3 트랜지스터에 연결되며, 선택 신호에 응답하여 전하 통로를 형성하는 제 4 트랜지스터를 포함하며,상기 선택 신호는 상기 제 1 및 제 2 시간 동안 접지 전압인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서
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