| 1 |
1
메탈 기판과; 상기 메탈 기판의 제1 영역에 형성된 절연층과;상기 메탈 기판의 제2 영역에 형성된 제1 도전층과;상기 절연층 상에 형성된 제2 도전층과;상기 제1 도전층 상에 형성된 제1 리드 프레임과;상기 제2 도전층 상에 형성된 제2 리드 프레임과;상기 제1 및 제2 리드 프레임 상에 배치되는 발광다이오드 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 발광다이오드 소자의 일부는,상기 제1 도전층 및 상기 제1 리드 프레임을 통해 상기 메탈 기판에 연결되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 절연층은,상기 메탈 기판의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 발광다이오드 소자는, 상기 제1 및 제2 리드 프레임 상에 본딩되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 메탈 기판은 알루미늄 기판이며, 상기 도전층은 구리 층인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 절연층은,상기 메탈 기판의 산화막인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 7 |
7
제1면에 형성된 반사각을 포함하는 메탈 기판과;상기 반사각 내부에 위치하고, 상기 메탈 기판의 상기 제1 면상에 형성된 발광다이오드 소자와;상기 발광다이오드 소자의 양전극 및 음전극을 형성하기 위해, 상기 발광다이오드 소자에 인접하고, 상기 메탈 기판을 관통하는 제1 및 제2 관통홀과;상기 제1 및 제2 관통홀의 내부 표면 및 상기 메탈 기판의 제2면상에 형성된 절연층과;상기 제1 관통홀에 인접하고, 상기 제2 면상에 형성된 절연층의 일부에 형성된 제1 도전층과;상기 제2 관통홀에 인접하고, 상기 제2면상에 형성된 절연층의 다른 일부에 형성된 제2 도전층과;상기 제1 관통홀로부터 상기 제1 도전층까지 연장되는 제1 커넥터 핀과;상기 제2 관통홀로부터 상기 제2 도전층까지 연장되는 제2 커넥터 핀과; 상기 제1 및 제2 커넥터 핀과 상기 발광다이오드 소자를 서로 연결하는 리드 프레임을 포함하며, 상기 제1면과 상기 제2면은 서로 반대 방향인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 커넥터 핀은,''ㄱ''자 형상의 커넥터 핀인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 리드 프레임은,상기 발광다이오드 소자의 양전극 및 음전극에 상기 커넥터 핀을 각각 전기적으로 연결하는 와이어인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 10 |
10
메탈 기판과; 상기 메탈 기판에 형성되는 제1 및 제2 관통홀과; 상기 제1 및 제2 관통홀의 내부 표면, 상기 메탈 기판의 제1면 및 상기 제1 및 제2 관통홀 사이의 상기 메탈 기판의 제2면 일부에 형성된 절연층과; 상기 제1 관통홀에 인접하고, 상기 제1면상에 형성된 절연층의 일부에 형성된 제1 도전층과;상기 제2 관통홀에 인접하고, 상기 메탈 기판의 제1 표면상에 형성된 절연층의 다른 일부에 형성된 제2 도전층과;상기 제1 관통홀로부터 상기 제1 도전층까지 연장되는 제1 커넥터 핀과;상기 제2 관통홀로부터 상기 제2 도전층까지 연장되는 제2 커넥터 핀과; 상기 제1 및 제2 관통홀 사이에 위치한 상기 메탈 기판의 제2면에 형성되고, 상기 제1 커넥터 핀과 연결되는 제1 리드 프레임과;상기 메탈 기판의 제2면 일부에 형성된 절연층 상에 형성되고, 상기 제2 커넥터 핀과 연결되는 제2 리드 프레임과;상기 제1 및 제2 관통홀 사이에 위치한 상기 메탈 기판의 제2면, 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임 상에 위치하는 발광다이오드 소자를 포함하며, 상기 제1면과 상기 제2면은 서로 반대 방향인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 발광다이오드 소자는,상기 제1 및 제2 관통홀 사이에 위치한 상기 메탈 기판의 제2면에 접촉되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 메탈 기판은 알루미늄 기판인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 13 |
13
제10항에 있어서, 상기 절연층은,상기 메탈 기판의 산화막인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
| 14 |
14
제10항에 있어서, 상기 발광다이오드 소자의 일부는 상기 제1 및 제2 관통홀 사이에 위치한 상기 메탈 기판의 제2면에 접촉되고, 상기 발광다이오드 소자의 다른 일부는 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임 상에 접촉되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈
|
