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펌핑 신호를 발생시키는 펌핑 광원;상기 펌핑 광원으로부터 상기 펌핑 신호가 입사될 때 어븀 원자들을 펌핑시켜 자발방출(ASE, Amplified Spontaneous Emission) 스펙트럼을 방출하는 어븀 첨가 광섬유(EDF, Erbium Doped Fiber)와, 상기 어븀 첨가 광섬유가 감기는 중공 상태의 실린더 하우징을 구비하는 온도 센서; 및상기 어븀 첨가 광섬유로부터 방출되는 상기 자발방출 스펙트럼의 특정 파장대의 파워를 측정하여 외부 온도를 측정하는 파워 디텍터;를 포함하며,상기 실린더 하우징에는 상기 어븀 첨가 광섬유가 인입되어 감김으로써 외부 노출 또는 외부 섭동을 방지하도록 하는 권선홈이 함몰 형성되며,상기 자발방출 스펙트럼은 중심파장 1500 내지 1560나노미터(nm)에서 반치폭 25 내지 35나노미터(nm)를 가지며, 외부 온도를 낮추는 경우, 균질 확산(homogeneous broadening) 효과가 억제되어 상기 반치폭이 감소되고 첨두 파워가 증가되는데, 이때 상기 파워 디텍터가 상기 첨두 파워를 측정함으로써 상기 외부 온도를 측정하는 온도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 펌핑 광원은 상기 펌핑 신호로서 레이저 다이오드(laser diode)를 발산하는 온도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 실린더 하우징의 외면에는 상기 어븀 첨가 광섬유를 보호하기 위한 세라믹(ceramic) 재질의 실드가 장착되는 온도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 어븀 첨가 광섬유의 일부 구간에는 파이버 브래그 격자(FBG, Fiber Bragg Grating)가 배치되며, 상기 파이버 브래그 격자의 적어도 일측면에는 테플론(Teflon) 재질의 테플론층이 마련되는 온도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 어븀 첨가 광섬유의 일부 구간에는 측면이 연마된 측면 연마 파이버(Side-polished fiber)가 배치되며, 상기 측면 연마 파이버의 적어도 일측면에는 테플론 재질의 테플론층이 마련되는 온도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 온도 센서 및 상기 파워 디텍터 사이에 마련되어 상기 어븀 첨가 광섬유로부터의 상기 자발방출 스펙트럼을 선형 편광하는 인라인 편광부; 및상기 인라인 편광부와 상기 파워 디텍터 사이에 배치되어 상기 인라인 편광부에 의해 선형 편광된 상기 자발방출 스펙트럼의 특정 파장을 컷오프(cutoff)하는 단일 편광 파이버(Single Polarization Fiber)를 더 포함하는 온도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 어븀 첨가 광섬유는 사냑 루프(Sagnac loop)에 포함되며,상기 사냑 루프의 전후를 연결시키는 3dB 광파워 분할기를 더 포함하는 온도 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 어븀 첨가 광섬유의 일부 구간에 광섬유 장주기 격자가 배치되는 온도 측정 장치
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펌핑 광원으로부터, 온도 센서에 구비되는 중공 상태의 실린더 하우징에 함몰 형성된 권선홈에 감김으로써 외부 노출 또는 외부 섭동이 방지되는 어븀 첨가 광섬유로 펌핑 신호(pumping signal)를 입사하는, 펌핑 신호 입사 단계;상기 펌핑 신호에 반응하여 상기 어븀 첨가 광섬유가 어븀 원자들을 펌핑시켜 자발방출(ASE, Amplified Spontaneous Emission) 스펙트럼을 방출하는, 스펙트럼 방출 단계; 및파워 디텍터에 의해 상기 자발방출 스펙트럼의 특정 파장대의 파워를 측정하여 외부 온도를 측정하는, 온도 측정 단계;를 포함하며,상기 스펙트럼 방출 단계에서 방출되는 상기 자발방출 스펙트럼은 중심파장 1500 내지 1560나노미터(nm)에서 반치폭 25 내지 35나노미터(nm)를 가지며, 상기 온도 측정 단계에서, 외부 온도를 낮추는 경우, 균질 확산(homogeneous broadening) 효과가 억제되어 상기 반치폭이 감소되고 첨두 파워가 증가되는데, 이때 상기 파워 디텍터가 상기 첨두 파워를 측정함으로써 상기 외부 온도를 측정하는 온도 측정 장치의 온도 측정 방법
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제11항에 있어서,상기 펌핑 신호 입사 단계에서 상기 어븀 첨가 광섬유로 입사되는 상기 펌핑 신호는 레이저 다이오드(laser diode)인 온도 측정 장치의 온도 측정 방법
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