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가공대상물(10)의 표면에 희생층(21)을 형성하는 희생층 형성단계(S2);상기 희생층(21)에 제1금속박막층(22)을 적층형성하는 가공표층 형성단계(S3);상기 제1금속박막층(22)과 희생층(21)을 관통하게 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 조사하여, 상기 가공대상물(10)에 홈(11)을 가공하는 베이스홈 형성단계(S4);상기 홈(11)이 형성된 상기 가공대상물(10)의 일측부에 금속층을 재형성하여 상기 홈(11) 내부에 상기 제2금속박막층(23)을 형성하는 베이스판 형성단계(S5);상기 희생층(21)을 상기 가공대상물(10) 표면에서 제거하는 희생층 제거단계(S6); 및집속이온빔을 조사하여, 상기 가공대상물(10) 내부에 형성된 제2금속박막층(23)에 나노사이즈의 개구(nano aperture)(30) 또는 그루브(groove)를 형성하는 나노개구 형성단계(S7);를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 희생층 형성단계(S2), 가공표층 형성단계(S3), 베이스판 형성단계(S5)는,진공상태에서 금속이나 화합물을 가열, 증발시키고 그 증기로 상기 가공대상물(10) 표면에 막을 입히는 증착에 의해 상기 희생층(21), 제1금속박막층(22), 제2금속박막층(23) 각각을 형성하는 것을 특징으로 하는 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스판 형성단계(S5)는,상기 제2금속박막층(23)이 형성되는 상기 가공대상물(10)의 일측부가, 상기 홈(11) 둘레에 형성된 상기 제1금속박막층(22)을 포함하는 것을 특징으로 하는 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 희생층 제거단계(S6)는,용제(solvent)에 용해되는 소재로 구성된 상기 희생층(21)에 용제를 공급하면서 이루어지는 것을 특징으로 하는 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 희생층 제거단계(S6)는,상기 희생층(21)을 제거하는 것에 의해, 상기 희생층(21)에 증착된 상기 제1, 2금속박막층(22, 23)을 함께 상기 가공대상물(10) 표면에서 제거하는 것을 특징으로 하는 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스홈 형성단계(S4)는,상기 제1금속박막층(22), 희생층(21), 가공대상물(10) 각각의 이차전자 수율(secondary electron yield)을 실시간으로 감지하면서, 이차전자 수율의 차에 의해 상기 제1금속박막층(22), 희생층(21), 가공대상물(10)간의 경계를 확인하며 이루어지는 것을 특징으로 하는 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 베이스홈 형성단계(S4) 이전에, 집속이온빔의 조사에 의한 상기 가공대상물(10) 소재의 이차전자 수율을 실험, 측정하여, 집속이온빔의 가공변수 제어에 따른 상기 가공대상물(10)의 가공특성을 예측하는 베이스홈 가공속도 예측단계(S1-1);를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 베이스홈 형성단계(S4)는,상기 베이스홈 가공속도 예측단계(S1-1)에서 예측된 상기 가공대상물(10) 소재의 가공특성을 적용하여 상기 가공대상물(10)을 가공하는 것을 특징으로 하는 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노개구 형성단계(S7) 이전에, 집속이온빔의 조사에 의한 상기 제2금속박막층(23) 소재의 이차전자 수율을 실험, 측정하여, 집속이온빔의 가공변수 제어에 따른 상기 제2금속박막층(23)의 가공특성을 예측하는 나노개구 가공속도 예측단계(S1-2);를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 나노개구 형성단계(S7)는,상기 나노개구 가공속도 예측단계(S1-2)에서 예측된 상기 제2금속박막층(23) 소재의 가공특성을 적용하여 상기 가공대상물(10)을 가공하는 것을 특징으로 하는 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법
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제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 집속이온빔의 가공변수는,스캔방법, 가속전압, 단위면적당 이온빔전류량(ion beam current), 드웰타임(dwell time), 오버랩(overlap), 이온도즈(ion dose) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법
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나노사이즈의 공정에 사용되는 나노 소자에 있어서,제1항에 의한 상기 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법에 의해 제조되어, 나노사이즈의 개구(aperture) 또는 그루브(groove)를 가지고 가공대상물 내부에 형성되는 금속막;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 소자
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고체침지렌즈(SIL, soild immersion lens)와 같은 광학렌즈에 있어서,제1항에 의한 상기 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법에 의해 제조되어, 내부에 나노사이즈의 개구(aperture) 또는 그루브(groove)가 형성된 금속막을 가지는 것을 특징으로 하는 광학렌즈
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플라즈모닉 광학헤드(plasmonic optical head)에 있어서,제1항에 의한 상기 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법에 의해 제조되어, 내부에 나노사이즈의 개구(aperture) 또는 그루브(groove)가 형성된 금속막을 가지는 광학렌즈;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광학헤드
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