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자성입자의 충격자극이 가능한 물리적자극기가 통합된 세포배양장치

  • 기술번호 : KST2014040426
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유도자장 발생부인 전자석의 컨덕터 코일에 펄스파 입력전류를 가하여 세포자극을 위한 자성입자의 가속에 필요한 교번자장을 발생시키는 동시에, 전자석의 컨덕터에서 발생하는 열(주울열)을 이용하여 세포자극 시 배양챔버 내 온도를 최적온도로 유지할 수 있는 세포배양용 자극장치에 관한 것이다. 이때 세포배양용 자극장치의 최적온도는 전산모델의 열흐름(heat flow) 분석을 통하여 칩과 배양챔버의 온도 분포를 통해 얻을 수 있다.본 발명에 따른 세포배양장치는 실리콘웨이퍼; 상기 실리콘웨이퍼의 상부에 형성되며, 세포시료와 자성입자가 주입되는 유로채널과 배양챔버를 구비한 메인 유로채널; 및 상기 실리콘웨이퍼의 하부에 형성되며, 상기 메인 유로채널로 펄스파 교번자장을 발생시켜 상기 메인 유로채널로 투입된 자성입자를 가속시켜 상기 자성입자를 상기 세포시료와 충돌시켜 상기 세포시료에 자극을 줄 수 있는 펄스파 교번자장 유도발생부; 를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C12M 3/00 (2006.01) C12M 1/42 (2006.01) C12N 13/00 (2006.01) C12M 1/38 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100014910 (2010.02.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1232554-0000 (2013.02.05)
공개번호/일자 10-2011-0095442 (2011.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.20)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정효일 대한민국 서울특별시 서초구
2 송석흥 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 민혜정 대한민국 서울특별시 송파구 오금로 **, ***호(방이동, 잠실리시온)(스텔라국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0108672-98
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0249391-81
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0250906-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0075225-27
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0552751-25
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0938829-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-1038504-29
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0067148-58
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0155795-65
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0180632-18
13 보정요구서
Request for Amendment		 2012.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0024246-76
14 직권수리안내서
Notification of Ex officio Acceptance		 2012.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0025921-55
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0245950-80
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0246113-60
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0493635-54
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.09.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0775158-77
19 보정요구서
Request for Amendment		 2012.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0122975-18
20 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0813517-46
21 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0674282-86
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘웨이퍼;상기 실리콘웨이퍼의 상부에 형성되며, 세포시료와 자성입자가 주입되는 미세유로 채널 주입구와, 세포시료와 자성입자(마그네틱 마이크로비즈)가 배출되는 미세유로 채널 배출구와, 세포배양을 위한 미세유로 챔버를 포함하는 메인 유로채널; 및 전자석으로 이루어지며, 상기 실리콘웨이퍼의 하부에 위치되어, 펄스파 교번자장을 발생시키는 수단으로, 상기 메인 유로채널로 투입된 자성입자에 펄스파 교번자장을 유도하여 자성입자가 세포시료와 충돌하게 하여 세포의 성장 속도를 가속화하게 하는 유도자장 발생부;를 구비하는 세포배양장치에 있어서,냉각채널 및 열감지센서를 더 구비하여, 열감지센서로부터 측정된 온도값을 수신하여 기설정된 목표온도가 되도록 냉각채널의 냉각수를 조절하며,상기 실리콘웨이퍼와 상기 유도자장 발생부 사이에는 실리콘 산화막이 형성되어있으며,상기 전자석은, 입력전류를 가하여 필요한 유도자장을 발생시키는 컨덕터 코일; 상기 컨덕터 코일의 하부에 위치되는 절연층; 상기 절연층 하부에 위치되는 강자성체판;을 포함하여 이루어지며, 상기 컨덕터 코일은 평면코일(planar type coil)인 것을 특징으로 하는 세포배양장치
2 2
제1항에 있어서,상기 냉각채널은 메인 채널을 둘러싸도록 위치되는 것을 특징으로 하는 세포배양장치
3 3
삭제
4 4
세포의 성장 속도를 가속화하기 위한 미세유체 세포자극기부를 구비하는 세포배양장치에 있서, 상기 세포 자극기부는배양되기 위한 세포시료가 증착되며 자성입자(마그네틱 마이크로비즈)가 투여되는 미세유로 챔버;상기 미세유로 챔버의 하부(배면)에 위치되되, 전자석으로 이루어진 유도자장 발생부;를 구비하는 세포배양장치에 있어서,냉각채널 및 열감지센서를 더 구비하여, 열감지센서로부터 측정된 온도값을 수신하여 기설정된 목표온도가 되도록 냉각채널의 냉각수를 조절하도록 이루어지며,미세유로채널 주입구는 상기 미세유로 챔버를 포함하는 메인 유로채널의 일측에 위치되며, 미세유로채널 배출구는 상기 메인 유로채널에서 상기 미세유로채널 주입구와 반대방향에 위치되며,상기 전자석은, 입력전류를 가하여 필요한 유도자장을 발생시키는 컨덕터 코일; 상기 컨덕터 코일의 하부에 위치되는 절연층; 상기 절연층 하부에 위치되는 강자성체판;을 포함하여 이루어지며, 상기 컨덕터 코일은 평면코일(planar type coil)인 것을 특징으로 하는 세포배양장치
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
펄스파 교번자장을 유도하여 자성입자(마그네틱 마이크로비즈)가 세포시료와 충돌하게 하여 세포의 성장 속도를 가속화하게 하는 세포 자극기부;상기 세포 자극기부의 양측에 위치되는 냉각채널;상기 미세유체 세포자극기부 주변에 위치되는 열감지센서;상기 열감지센서로부터 측정된 온도값을 수신하여 기설정된 목표온도가 되도록 냉각채널의 냉각수를 조절하는 제어부;를 구비하는 하는 세포배양장치에 있어서,상기 세포 자극기부는,상기 실리콘웨이퍼의 상부에 형성되며, 세포시료와 자성입자가 주입되는 미세유로 채널 주입구와, 세포시료와 자성입자(마그네틱 마이크로비즈)가 배출되는 미세유로 채널 배출구와, 세포배양을 위한 미세유로 챔버를 포함하는 메인 유로채널; 및 전자석으로 이루어지며, 상기 실리콘웨이퍼의 하부에 위치되어, 펄스파 교번자장을 발생시키는 수단으로, 상기 메인 유로채널로 투입된 자성입자에 펄스파 교번자장을 유도하여 자성입자가 세포시료와 충돌하게 하여 세포의 성장 속도를 가속화하게 하는 유도자장 발생부; 를 포함하며,상기 전자석은, 입력전류를 가하여 필요한 유도자장을 발생시키는 컨덕터 코일; 상기 컨덕터 코일의 하부에 위치되는 절연층; 상기 절연층 하부에 위치되는 강자성체판;을 포함하여 이루어지며, 상기 컨덕터 코일은 평면코일(planar type coil)인 것을 특징으로 하는 세포배양장치
8 8
제4항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,미세유체 세포자극기부는 다수개 구비되는 것을 특징으로 하는 세포배양장치
9 9
삭제
10 10
제1항 또는 제4항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,냉각채널의 일단에 냉각을 위한 유체를 주입하기 위한 냉각채널 주입구와,상기 냉각채널의 다른 일단에 냉각채널을 흐른 냉각을 위한 유체를 배출하기 위한 냉각채널 배출구를 구비하되,상기 냉각채널 주입구와 상기 냉각채널 배출구는 세포배양장치 상에서 미세유로채널 주입구와 같은 측에 위치되되, 미세유로채널 주입구의 좌우 양측에 대칭되게 위치되어 지는 것을 특징으로 하는 세포배양장치
11 11
제1항 또는 제4항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 미세유로채널과 미세유로 챔버사이에 위치된 다수의 분지로, 미세유로채널을 통해 투입된 세포 또는 자성입자를 미세유로 챔버에 골고루 투입하게 하는 미세유로채널 분지부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 세포배양장치
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
제1항 또는 제4항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,컨덕터 코일은 8각형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 세포배양장치
16 16
제1항 또는 제4항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,컨덕터 코일의 한쪽 끝은 리드와 연결되어있고 다른 한쪽 끝은 강자성체판에 연결되어 입력전류가 가해지는 것을 특징으로 하는 세포배양장치
17 17
제16항에 있어서, 입력전류는 주파수 발생기, 구형파 발생기 중 어느 하나에 의해 가하여 지는 것을 특징으로 하는 세포배양장치
18 18
제1항 또는 제4항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,유도자장 발생부는 전자석 어레이로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세포배양장치
19 19
제1항과 제7항 중 어느 한 항에 있어서,전자석은 세포배양장치의 하부(배면)에 미세유로 챔버에 대응되는 위치에 위치되는 것을 특징으로 하는 세포배양장치
20 20
제19항에 있어서,세포배양장치는 다수개의 미세유로 챔버를 구비하며, 다수개의 미세유로 챔버에 각기 대응되는 다수개의 전자석을 구비하는 것을 특징으로 하는 세포배양장치
21 21
제20항에 있어서,다수개의 전자석은 개별적 또는 전체적으로 동시 제어가 가능한 것을 특징으로 하는 세포배양장치
22 22
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23 23
제1항 또는 제4항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 목표온도는 37℃ 인 것을 특징으로 하는 세포배양장치
24 24
제23항에 있어서,열감지센서로서 J-타입 열전쌍(J-type thermocouple)를 사용하는 것을 특징으로 하는 세포배양장치
25 25
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26 26
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27 27
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28 28
제19항에 있어서,전자석은 60Hz에서 1MHz까지의 주파수를 가지는 펄스파형으로 구동되는 것을 특징으로 하는 세포배양장치
29 29
제17항에 있어서, 상기 컨덕터 코일의 권선수는 60~80회인 것을 특징으로 하는 세포배양장치
30 30
제29항에 있어서, 상기 컨덕터 코일의 폭, 두께 및 코일 사이의 간격은 각각 8~12㎛, 23~27㎛, 18~22㎛인 것을 특징으로 하는 세포배양장치
31 31
삭제
32 32
제1항 또는 제4항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 세포배양장치는 하나의 칩으로 이루어진 것을 특징으로 하는 세포배양장치
33 33
제4항에 있어서, 미세유로 챔버는 사각형인 것을 특징으로 하는 세포배양장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.