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전자파 차폐 및 흡수용 탄소재-고분자 복합재 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014040704
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전자파 차폐 및 흡수용 탄소재-고분자 복합재 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 전자파 차폐 및 흡수용 탄소재-고분자 복합재의 제조방법은, (1) 탄소재에 불소 처리를 하여 탄소재에 불소 관능기를 도입하는 제1단계; (2) 상기 제1단계를 통하여 불소 관능기가 도입된 탄소재와 비공유 전자쌍을 가지는 고분자의 용액을 혼합 및 교반하여 화학결합시키는 제2단계; 및 (3) 상기 제2단계를 통하여 얻어진 혼합물을 전기방사하는 제3단계;를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의할 경우, 불소 처리에 의하여 탄소재에 불소 관능기가 도입되고, 상기 불소 관능기가 도입된 탄소재와 비공유 전자쌍을 갖는 고분자의 용액을 혼합 및 교반함으로써, 탄소재가 고분자의 용액내에서 고르게 분산됨과 아울러 화학결합된다. 따라서 제조되는 전자파 차폐 및 흡수용 복합재에 탄소재가 고르고 강하게 결합되어 분포되므로 균일한 전자파 차폐 및 흡수 성능, 내구성의 증가 및 우수한 전자파 차폐 및 흡수 성능을 구현할 수 있게 된다.
Int. CL C08K 9/04 (2006.01) C08L 101/00 (2006.01) C08K 3/04 (2006.01) H05K 9/00 (2006.01)
CPC C08K 9/02(2013.01) C08K 9/02(2013.01) C08K 9/02(2013.01) C08K 9/02(2013.01) C08K 9/02(2013.01) C08K 9/02(2013.01) C08K 9/02(2013.01) C08K 9/02(2013.01) C08K 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020100076824 (2010.08.10)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1183696-0000 (2012.09.10)
공개번호/일자 10-2012-0014696 (2012.02.20) 문서열기
공고번호/일자 (20120914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영석 대한민국 대전광역시 유성구
2 김종구 대한민국 대전광역시 서구
3 임지선 대한민국 대전광역시 대덕구
4 정철호 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동희 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, *층 (송파동, 옥명빌딩)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0513543-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0013107-34
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0192819-85
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0192817-94
6 등록결정서
Decision to grant
2012.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0508196-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1) 탄소재에 불소 처리를 하여 탄소재에 불소 관능기를 도입하는 제1단계;(2) 상기 제1단계를 통하여 불소 관능기가 도입된 탄소재와 비공유 전자쌍을 가지는 고분자의 용액을 점도가 100 내지 800cP가 되도록 혼합 및 교반하여 화학결합시키는 제2단계;(3) 상기 제2단계를 통하여 얻어진 혼합물을 전기방사하는 제3단계;를 포함하여 이루어지는 전자파 차폐 및 흡수용 탄소재-고분자 복합재의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1단계에서 불소 처리되는 탄소재는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 흑연, 흑연섬유, 탄소섬유, 카본블랙 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 및 흡수용 탄소재-고분자 복합재의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 이루어지는 불소 처리는, 불소가스 단독 또는 불소가스와 비활성가스의 혼합가스를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 및 흡수용 탄소재-고분자 복합재의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 불소가스 단독으로 불소 처리를 하는 경우, 불소 가스의 압력은 0
5 5
제3항에 있어서, 상기 불소가스와 비활성가스의 혼합가스를 이용하여 불소 처리를 하는 경우, 불소 가스의 부분압은 0
6 6
제3항에 있어서, 상기 불소가스는 불소(F2), 삼불화질소(NF3), CF4(사불화탄소), CHF3(삼불화탄소), C3F8(팔분화삼탄소), C4F8(팔불화사탄소) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 및 흡수용 탄소재-고분자 복합재의 제조방법
7 7
제3항에 있어서,상기 비활성가스는, 헬륨, 아르곤, 질소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 및 흡수용 탄소재-고분자 복합재의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 비공유 전자쌍을 갖는 고분자는 폴리 아닐린, 폴리 아세틸렌, 폴리 피롤, 폴리티오펜, 2,5-디아미노벤조니트릴(2,5-diaminobenzonitrile), 2-(트리플루오로메틸)-1,4-벤젠디아민(2-(trifluoromethyl)-1,4-benzenediamine),p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 2-클로로-1,4-벤젠디아민(2-chloro-1,4-benzenediamine), 2-플루오로-1,4-벤젠디아민(2-fluoro-1,4-benzenediamine), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), 2,5-디아미노톨루엔(2,5-diaminotoluene), 2,6-디아미노톨루엔(2,6-diaminotoluene), 4,4''-디아미노바이페닐(4,4''-diaminobiphenyl), 3,3''-디메틸-4,4''-디아미노바이페닐(3,3''-dimethyl-4,4''-diaminobiphenyl), 3,3''-디메톡시-4,4''-디아미노바이페닐(3,3''-dimethoxy-4,4''-diaminobiphenyl), 디아미노디페닐메탄(diaminodiphenylmethane), 디아미노디페닐 에테르(diaminodiphenyl ether), 2,2-디아미노디페닐프로판(2,2-diaminodiphenylpropane), 비스(3,5-디에틸-4-아미노페닐)메탄((bis(3,5-diethyl-4-aminophenyl)methane), 디아미노디페닐술폰(diaminodiphenylsulfone), 디아미노나프탈렌(diaminonaphthalene), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene), 4,4''-디아미노벤조페논(4,4''-diaminobenzophenone), 3,4''-디아미노벤조페논(3,4''-diaminobenzophenone), 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠(1,4-bis(4-aminophenyl)benzene), 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센(9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), 4,4''-비스(4-아미노페녹시)디페닐술폰(4,4''-bis(4-aminophenoxy)diphenylsulfone), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판(2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane ), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane), 비스(4-아미노싸이클로헥실)메탄(bis(4-aminocyclohexyl)methane), 테트라메틸렌디아민(tetramethylenediamine), 헥사메틸렌 디아민(hexamethylene diamine), 비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산(bis(3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane), 피리딘(pyridine), 피리다진(pyridazine), 피리미딘(pyrimidine), 트리아진(triazine), 테트라진(tetrazine), 옥사진(oxazine), 싸이아진(thiazine), 쎌레나진(selenazine), 피롤(pyrrole), 피라졸(pyrazole), 이미다졸(imidazole), 다이하이드로싸이아졸(dihydrothiazole), 다이하이드로옥사졸(dihydrooxazole), 다이하이드로쎌레나졸(dihydroselenazole), 트리아졸(triazole), 다이하이드로옥사디아졸(dihydrooxadiazole), 다이하이드로싸이아디아졸(dihydrothiadiazole), 다이하이드로쎌레나디아졸(dihydroselenadiazole), 싸이오펜(thiophene), 이소싸이아졸(isothiazole), 싸이아졸(thiazole), 디싸이올(dithiole), 옥사싸이올(oxathiole), 싸이아쎌레놀(thiaselenole), 싸이아디아졸(thiadiazole), 옥사싸이아졸(oxathiazole), 디싸이아졸(dithiazole) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 및 흡수용 탄소재-고분자 복합재의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 제2단계의 불소 관능기가 도입된 탄소재와 비공유 전자쌍을 갖는 고분자의 혼합비율은 상기 고분자 100 중량부에 대하여 상기 탄소재 1 내지 200 중량부인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 및 흡수용 탄소재-고분자 복합재의 제조방법
10 10
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11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.