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연속흐름반응법을 이용한 화합물 태양전지용 ＣｕＩｎＳ２ 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014040799
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 연속흐름반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInSe2 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 본 발명은 (i) 구리 공급원 및 인듐 공급원을 물에 용해시켜 스트림 A를 준비하는 단계; (ii) 셀레늄 공급원을 물에 용해시켜 스트림 B를 준비하는 단계; (iii) 상기 반응물 흐름 A와 반응물 흐름 B를 혼합한 후, 혼합물을 기판 상에 연속흐름반응법을 이용하여 증착시키는 단계; 및 (iv) 증착된 박막을 진공 또는 질소 분위기 하에서 열처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 연속흐름반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInSe2 박막의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/0749 (2014.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020100011685 (2010.02.08)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1121476-0000 (2012.01.29)
공개번호/일자 10-2011-0092173 (2011.08.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류시옥 대한민국 경상북도 경산시
2 김채린 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0085102-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0240061-56
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0510278-10
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0510276-29
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0011195-95
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(i) 구리 공급원 및 인듐 공급원을 물에 용해시켜 반응물 A를 준비하는 단계;(ii) 셀레늄 공급원을 물에 용해시켜 반응물 B를 준비하는 단계;(iii) 상기 반응물 A와 반응물 B를 혼합한 후, 혼합물을 기판 상에 연속흐름식 반응법을 이용하여 증착시키는 단계; 및 (iv) 증착된 박막을 진공 또는 질소 분위기 하에서 열처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInSe2 박막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 구리 공급원은 염화구리, 황산구리, 질산구리 또는 초산구리 수화물에서 선택되고, 상기 인듐 공급원은 염화인듐, 황산인듐, 인듐아세테이트 또는 인듐트리설파이드에서 선택되며, 상기 셀레늄 공급원은 소듐 셀레노설파이트, 셀레늄 파우더, 소듐 셀레나이트, 셀레노우레아 또는 디메틸 셀레노우레아에서 선택되는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInSe2 박막의 제조방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 증착 단계는 100-300℃에서 혼합물을 기판 상에 증착시키는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInSe2 박막의 제조방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 증착 단계는 1-10 ml/초의 유속으로 혼합물을 기판 상에 증착시키는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInSe2 박막의 제조방법
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 증착 단계는 1-10분 동안 혼합물을 기판 상에 증착시키는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInSe2 박막의 제조방법
6 6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 열처리 단계는 진공 또는 질소 분위기 하 100-600℃에서 1-3 시간 동안 열처리하는, 연속흐름식 반응법을 이용한 화합물 태양전지용 CuInSe2 박막의 제조방법
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국가 R&D 정보가 없습니다.