맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

태양 전지용 광흡수층 Ｃｕ(Ｉｎ, Ｇａ)(Ｓｅ, Ｓ)2 필름 제조를 위한 샘플 트레이 및 상기 샘플 트레이를 이용한 반도체 필름의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014040811
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIS, CIGS, CIGSS 등의 태양전지의 광흡수층 필름의 제조에 관한 기술로서, 본 발명의 샘플트레이를 사용함으로써, 유해한 H2Se, Se 등의 가스의 사용량을 줄이면서도, 빠른 시간 안에 RTP를 통하여 광흡수층 필름을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01)
출원번호/일자 1020100115941 (2010.11.22)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1111047-0000 (2012.01.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.22)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김우경 대한민국 대구광역시 수성구
2 박현욱 대한민국 경상북도 영천시 강남길 **
3 김성철 대한민국 대구광역시 달서구
4 구자석 대한민국 경상북도 경산시 솔숲길 ***,

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0759358-57
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0762857-00
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0015971-10
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091396-91
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0030691-19
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
IB족 금속으로 Cu과, ⅢA족 금속으로 In 및 Ga 중 어느 하나 이상을 포함하는 전구체를 준비하여 샘플트레이 내부 공간에 넣고, 상기 샘플트레이를 RTP가 가능한 반응기에 넣어, RTP를 통해 VIA족 화합물인 Se 및 S 중 어느 하나 이상과 상기 전구체를 반응시켜 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름을 제조하는데 사용되는 샘플트레이에 있어서, 전체적인 외형이 육각형 상자 구조를 이루고, 상기 육각형 상자의 일측면만이 개방된 구조를 이루며, 내부 천정면에는 Se, Se화합물, S 및 S화합물 중 어느 1종 이상이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 샘플트레이
2 2
제1항에서, 상기 샘플트레이는 외측면에 봉 형상의 돌출된 고정지지대를 더 갖는 것을 특징으로 하는 샘플트레이
3 3
제1항 또는 제2항에서, 상기 샘플트레이는 바닥면 외부로 돌출된 형태의 고정받침대를 더 갖는 것을 특징으로 하는 샘플트레이
4 4
제3항에서, 상기 고정받침대는 단면의 형상이 "L" 또는 "I"인 것을 특징으로 하는 샘플트레이
5 5
제1항에서, 상기 샘플트레이는 쿼츠(quartz) 재질인 것을 특징으로 하는 샘플트레이
6 6
IB족 금속으로 Cu와, ⅢA족 금속으로 In 및 Ga 중 어느 하나 이상을 포함하는 전구체층을 기판 위에 제조하는 단계(I); 퍼지가스의 출구 방향으로만 개방된 구조를 갖으며, 내부공간의 천정면에 Se, Se 화합물, S 및 S 화합물 중 어느 하나 이상이 코팅되어 있는 샘플트레이의 내부공간에 상기 단계(I)의 기판을 놓는 단계(II); 및 퍼지가스가 입출구를 통하여 연속적으로 흐르며 RTP(Rapid Thermal Process)를 위한 열원이 구비된 RTP반응기 안에 상기 단계(II)의 샘플트레이를 놓고 RTP를 진행하는 단계(III)를 포함하는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 (여기서, 0≤x, y≤1) 필름의 제조방법
7 7
제6항에서, 상기 단계(I)의 전구체층은 VIA족 원소로 Se 및 S 중 어느 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
8 8
제6항 또는 제7항에서, 상기 단계(I)의 전구체층은 다층인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
9 9
제6항에서, 상기 단계(I)에서 기판상에 전구체층을 제조하는 방법은 스퍼터링, 전기도금, 나노입자의 스크린프린팅, 동시증발 및 용액공정 중 어느 하나의 방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
10 10
제6항에서, 상기 단계(I)의 기판은 유리, 알루미나, 폴리이미드, 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈륨, 티타늄, 알루미늄, 니켈 및 흑연 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
11 11
제6항에서, 상기 단계(I)의 기판은 전도성 배면전극이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
12 12
제11항에서, 상기 전도성 배면전극은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 금(Au) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
13 13
제6항에서, 상기 샘플트레이는 전체적인 외관이 육면체 상자형상인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
14 14
제6항에서, 상기 샘플트레이는 재질이 쿼츠(quartz)인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
15 15
제6항에서, 상기 샘플트레이는 퍼지가스 입구쪽으로 봉 형상의 돌출된 고정지지대를 갖고, 상기 고정지지대를 RTP 반응기의 퍼지가스 입구 쪽에 고정시키는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
16 16
제6항에서, 상기 샘플트레이는 바닥면 외측으로 돌출된 형태의 고정받침대를 더 갖아 RTP반응기의 내부 바닥면에 고정되는 것을 특징으로 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
17 17
제6항에서, 상기 단계(Ⅲ)의 RTP 온도는 400 ~ 600℃인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
18 18
제6항에서, RTP 시간은 1 ~ 30 분인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
19 19
제6항에서, 상기 단계(Ⅲ)에서 RTP반응기는 IR램프에 의하여 RTP 온도까지 승온하는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 영남대학교 그린에너지선도산업인재양성센터 광역경제권 선도산업 인재양성사업 R＆D 공동연구과제 셀렌함유 전구체의 열처리를 통한 CIGS 생성공정개발