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오존을 이용한 폐수 처리 장치 및 그 처리 방법

  • 기술번호 : KST2014040818
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 오존을 이용한 폐수 처리 장치 및 그 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 오존 발생 장치의 오존 이용 효율을 높이기 위한 오존 포화기 및 산화접촉조에서 폐수와 용존 오존이 충분한 접촉 시간을 유지하도록 하여 폐수 중의 오염물질 함유량을 획기적으로 저감시킬 수 있는 폐수 처리 장치 및 그 처리 방법에 관한 것이다.본 발명의 폐수 처리 장치 및 그 처리 방법은 고액 분리 단계(고액분리기), 분리된 폐수 중의 오염물질의 함량 조절을 위한 폐수 희석 단계(희석조), 폐수 중의 오염물질을 산화하기에 충분한 양의 오존을 폐수에 혼입하는 단계(오존포화기), 폐수 중의 오염물질이 완전히 처리될 수 있도록 폐수와 오존이 접촉하는 산화 접촉단계(산화접촉조)를 포함한다. 본 발명의 폐수 처리 장치 및 그 처리방법에 의한 폐수 처리 효과는 기존 오존 산화 처리 공정에 비해 10배 내지 15배의 효과를 갖는다.폐수처리, 오존, 오존 포화기, 산화 접촉조, 히드록시 라디칼
Int. CL C02F 1/78 (2006.01)
CPC C02F 1/78(2013.01) C02F 1/78(2013.01) C02F 1/78(2013.01)
출원번호/일자 1020000061130 (2000.10.17)
출원인 주식회사 에네트, 김종국
등록번호/일자 10-0377481-0000 (2003.03.12)
공개번호/일자 10-2002-0030463 (2002.04.25) 문서열기
공고번호/일자 (20030326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.10.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 김종국 대한민국 서울특별시 강남구
2 주식회사 에네트 대한민국 경기도 시흥시 군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종국 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤항식 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)(특허법인다나)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에네트 경기도 시흥시 군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2000-5314871-92
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2002.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2002-5009503-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.07.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.08.20 수리 (Accepted) 9-1-2002-0016954-65
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0313194-09
6 의견서
Written Opinion		 2002.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0356676-09
7 등록결정서
Decision to grant		 2003.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0061052-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2004-5048532-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.28 수리 (Accepted) 4-1-2005-5029324-52
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2007-5118799-59
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.16 수리 (Accepted) 4-1-2009-5048819-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2011-5062073-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5066625-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5087535-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-0076270-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

오존을 이용한 폐수처리장치에 있어서, 폐수에 함유되어 있는 고형분을 분리하기 위한 고액 분리기(101); 상기 고액 분리기(101)에서 분리된 폐수를 저장하기 위한 집수조(102); 폐수의 오염물질의 농도를 조절하기 위한 희석조(105); 폐수에 고농도 오존을 혼합(또는 용존)시키고, 혼합 오존을 초 미세기포화시켜 히드록시 라디칼(OH·)의 생성을 개시하는 오존 포화기(111); 오존포화기(111)에 벤츄리(109)를 통해 오존을 공급하는 오존 발생기(110); 상기 오존 포화기(111)의 폐수와 오존의 혼합물이 연쇄적으로 히드록시 라디칼(OH·)을 생성시켜 오염물질의 산화를 진행하는 산화 접촉조(113); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 오존을 이용한 폐수처리장치

2 2

제 1항에 있어서, 오존 포화기(111) 내부의 상부에 오존을 초 미세기포화시키는 충돌판(202)과 상기 충돌판(202)의 하부에 방해판(203)을 구비한 오존을 이용한 폐수처리장치

3 3

제 1항에 있어서, 산화 접촉조(113)가 격판으로 분리된 격실(303)(304)(305)(306)을 구성하고, 상기 격실(303)(304)(305)(306)의 내부에 폐수의 유속조절과 산화 반응 촉진용 방해판(302)을 45°각도로 다수 구비한 오존을 이용한 폐수처리장치

4 4

제 1항 또는 제 3항에 있어서, 산화 접촉(113)조의 격판으로 분리된 격실(303)(304)(305)(306)을 폐수가 순차적으로 상향·하향 자연 유하되도록 구성하는 것을 특징으로 하는 오존을 이용한 폐수 처리 장치

5 5

오존을 이용한 폐수처리방법에 있어서, 폐수 중에 함유된 고형분과 폐수를 분리하는 단계; 분리된 폐수를 희석하는 단계; 희석된 폐수에 오존을 벤츄리를 통해 혼입하는 단계; 폐수에 혼입된 오존을 오존포화기에 의해 초 미세기포화시켜 폐수에 혼합(또는 용존)시키는 단계; 폐수에 혼합(또는 용존)된 초 미세기포화된 오존에 의해 히드록시 라디칼(OH·)을 연쇄적으로 생성을 개시시키는 단계; 연쇄적으로 생성되는 히드록시 라디칼(OH·)에 의해 폐수 중의 오염물질을 다수의 격실로 구성된 산화접촉조에서 오존을 접촉·산화시키는 단계; 로 구성되는 오존을 이용한 폐수처리방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.