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이중 반사 방지막을 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2014041191
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	이중 반사 방지막을 포함하는 태양 전지 및 그 제조 방법이 제공된다. 이중 반사 방지막을 포함하는 태양 전지 형성 방법은, 실리콘 기판 상에 에미터(emitter) 층을 형성하는 단계, 상기 형성된 에미터 층 상에 니켈(Ni)/구리(Cu)/은(Ag)을 포함하는 전면 전극을 형성하는 단계, 상기 에미터 층 상의 상기 전면 전극이 형성되지 않은 부분에 황화아연(ZnS) 층 및 불화마그네슘(MgF2) 층을 갖는 반사 방지막을 증착하는 단계, 및 상기 전면 전극 및 상기 이중의 반사 방지막을 함께 열처리하는 단계를 포함한다.
Int. CL	H01L 31/04 (2014.01)
CPC	H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자	1020100089360 (2010.09.13)
출원인	세종대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1151413-0000 (2012.05.23)
공개번호/일자	10-2012-0027652 (2012.03.22) 문서열기
공고번호/일자	(20120601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.09.13)
심사청구항수	11

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	세종대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이수홍	대한민국	경기도 성남시 분당구
2	김민정	대한민국	인천광역시 서구
3	이재두	대한민국	충청북도 충주시 봉현로 **

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	세종대학교산학협력단		서울특별시 광진구 능동로 *** (군

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.09.13	수리 (Accepted)	1-1-2010-0592604-78
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2011.02.08	수리 (Accepted)	1-1-2011-0090046-05
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.04.13	수리 (Accepted)	4-1-2011-5073277-77
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.06.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.07.15	수리 (Accepted)	9-1-2011-0061413-32
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2011.10.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0620299-17
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2011-1032421-09
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.12.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-1032423-90
9	등록결정서 Decision to grant	2012.05.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0277306-37

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 이중 반사 방지막을 포함하는 태양 전지 형성 방법에 있어서,실리콘 기판 상에 에미터(emitter) 층을 형성하는 단계,상기 형성된 에미터 층 상에 전면 전극을 형성하는 단계,상기 에미터 층 상의 상기 전면 전극이 형성되지 않은 부분에 이중의 반사 방지막을 증착하는 단계, 및상기 전면 전극 및 상기 이중의 반사 방지막을 함께 열처리하는 단계를 포함하되, 상기 전면 전극은 니켈 도금막, 구리 도금막, 및 은 도금막을 포함하고,상기 이중의 반사 반지막은 불화마그네슘(MgF2) 층 및 황화아연(ZnS) 층을 포함하는 반사 방지막, 불화마그네슘(MgF2) 층 및 이산화타이타늄(TiO2) 층을 포함하는 반사 방지막, 이산화규소(SiO2) 층 및 질화규소(SiN) 층을 포함하는 반사 방지막, 불화마그네슘(MgF2) 층 및 산화세륨(CeO2) 층을 포함하는 반사 방지막 중 어느 하나인 태양 전지 형성 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 전면 전극을 형성하는 단계는,상기 에미터 층 상에 니켈 도금막을 형성하는 단계,상기 형성된 니켈 도금막 상에 구리 도금막을 형성하는 단계, 및상기 형성된 구리 도금막 상에 은 도금막을 형성하는 단계를 추가 포함하며,상기 열처리 단계는, 상기 니켈 도금막, 상기 구리 도금막, 상기 은 도금막 및 상기 이중 반사 방지막을 함께 열처리하는 것인, 태양 전지 형성 방법
3	3 제 2 항에 있어서,상기 니켈 도금막을 형성하는 단계는, 상기 니켈 도금막을 무전해 도금법(electroless plating)을 이용하여 형성하며,상기 구리 도금막을 형성하는 단계는, 전해 도금법(electro plating)과 LIP(light-induced plating)법을 함께 이용하여 상기 구리 도금막을 형성하며,상기 은 도금막을 형성하는 단계는, LIP(light-induced plating)법을 이용하여 상기 은 도금막을 형성하는 것인, 태양 전지 형성 방법
4	4 제 2 항에 있어서,상기 이중의 반사 방지막을 증착하는 단계는,황화아연(ZnS) 및 불화마그네슘(MgF2)을 진공 증착 방법으로 연속적으로 증착하는 것인, 태양 전지 형성 방법
5	5 제 4 항에 있어서,상기 열처리 하는 단계는, 어닐링 로(Annealing furnace)를 이용하여, 370 ~ 390 ℃의 온도에서 25 ~ 35분 동안 0
6	6 제 4 항에 있어서,상기 에미터 층을 형성하는 단계는, 상기 형성된 에미터 층 상에 산화막 층을 형성하는 단계를 추가 포함하며,상기 산화막은 250Å의 두께로 형성되고, 상기 황화아연(ZnS) 층은 560Å의 두께로 증착되며, 상기 불화마그네슘(MgF2) 층은 1060Å의 두께로 증착되는 것인, 태양 전지 형성 방법
7	7 이중 반사 방지막을 갖는 태양 전지에 있어서,실리콘 기판,상기 실리콘 기판 상에 형성된 에미터 층,상기 에미터 층 상의 일부에 형성된 전면 전극, 및상기 에미터 층 상의 상기 전면 전극이 형성되지 않은 부분에 형성된 이중의 반사 방지막을 포함하되,상기 전면 전극은 니켈 도금막, 구리 도금막, 및 은 도금막을 포함하고,상기 이중의 반사 방지막은 불화마그네슘(MgF2) 층 및 황화아연(ZnS) 층을 포함하는 반사 방지막, 불화마그네슘(MgF2) 층 및 이산화타이타늄(TiO2) 층을 포함하는 반사 방지막, 이산화규소(SiO2) 층 및 질화규소(SiN) 층을 포함하는 반사 방지막, 불화마그네슘(MgF2) 층 및 산화세륨(CeO2) 층을 포함하는 반사 방지막 중 어느 하나인 것을 포함하며,상기 전면 전극 및 상기 이중의 반사 방지막은 하나의 공정에 의해 열처리된 것인, 이중 반사 방지막을 갖는 태양 전지
8	8 제 7 항에 있어서,상기 전면 전극은 니켈 도금막, 구리 도금막 및 은 도금막을 포함하며, 상기 니켈 도금막, 상기 구리 도금막, 상기 은 도금막 및 상기 이중 반사 방지막은 함께 열처리된 것인, 이중 반사 방지막을 갖는 태양 전지
9	9 제 8 항에 있어서,상기 이중의 반사 방지막은, 황화아연(ZnS) 및 불화마그네슘(MgF2)이 진공 증착 방법에 의해 연속적으로 증착된 것인, 이중 반사 방지막을 갖는 태양 전지
10	10 제 9 항에 있어서,상기 전면 전극 및 상기 이중의 반사 방지막은, 어닐링 로(Annealing furnace)를 이용하여 370 ~ 390 ℃의 온도에서 25 ~ 35분 동안 0
11	11 제 9 항에 있어서,상기 에미터 층과 상기 이중 반사 방지막 사이에 형성된 산화막을 더 포함하며,상기 산화막은 250Å의 두께로 형성되고, 상기 황화아연(ZnS) 층은 560Å의 두께로 형성되며, 불화마그네슘(MgF2) 층은 1060Å의 두께로 형성된 것인, 이중 반사 방지막을 갖는 태양 전지

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1151413-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20100913 출원 번호 : 1020100089360 공고 연월일 : 20120601 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120511 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 이중 반사 방지막을 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170524

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	237,000 원	2012년 05월 23일	납입
제 4 년분	금 액	197,400 원	2015년 04월 29일	납입
제 5 년분	금 액	197,400 원	2016년 04월 27일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.09.13	수리 (Accepted)	1-1-2010-0592604-78
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2011.02.08	수리 (Accepted)	1-1-2011-0090046-05
3	출원인정보변경(경정)신고서	2011.04.13	수리 (Accepted)	4-1-2011-5073277-77
4	선행기술조사의뢰서	2011.06.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2011.07.15	수리 (Accepted)	9-1-2011-0061413-32
6	의견제출통지서	2011.10.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0620299-17
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2011-1032421-09
8	[명세서등 보정]보정서	2011.12.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-1032423-90
9	등록결정서	2012.05.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0277306-37


기술번호	KST2014041191
자료제공기관	NTB
기술공급기관	세종대학교
기술명	이중 반사 방지막을 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법
기술개요	이중 반사 방지막을 포함하는 태양 전지 및 그 제조 방법이 제공된다. 이중 반사 방지막을 포함하는 태양 전지 형성 방법은, 실리콘 기판 상에 에미터(emitter) 층을 형성하는 단계, 상기 형성된 에미터 층 상에 니켈(Ni)/구리(Cu)/은(Ag)을 포함하는 전면 전극을 형성하는 단계, 상기 에미터 층 상의 상기 전면 전극이 형성되지 않은 부분에 황화아연(ZnS) 층 및 불화마그네슘(MgF2) 층을 갖는 반사 방지막을 증착하는 단계, 및 상기 전면 전극 및 상기 이중의 반사 방지막을 함께 열처리하는 단계를 포함한다.
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	태양 에너지, 전지
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이센스,기술협력,기술지도,기타,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415101049
세부과제번호	20093060010010
연구과제명	19% 이상 고효율 결정질 실리콘 태양전지의 상업화를 위한 laser doping technology 개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	(주)신성홀딩스
성과제출연도	2009
연구기간	200904~201203
기여율	0.5
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)


과제고유번호	1415101625
세부과제번호	2008-N-BL-HM-E-04-0000
연구과제명	PESC형 Si태양전지의 저가화를 위한 Cu 전면전극 개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	세종대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200808~201107
기여율	0.5
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

[1020100089360]	이중 반사 방지막을 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법	새창보기

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