요약 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 기판 상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 포함하는 발광 구조체가 제공된다. 제 1 반도체층 상에 제 1 전극이 제공되고 상기 제 2 반도체층 상에 제 2 전극이 제공된다. 제 1 전극과 제 2 전극 사이에서 제 1 반도체층의 상부면에 제 1 트렌치가 제공된다. 제 1 트렌치 내에 제 1 나노 구조체가 제공된다. |
---|---|
Int. CL | H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/24 (2014.01) |
CPC | H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100006035 (2010.01.22) |
출원인 | 영남대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1140139-0000 (2012.04.19) |
공개번호/일자 | 10-2011-0086353 (2011.07.28) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20120502) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.01.22) |
심사청구항수 | 17 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 영남대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 경산시 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 오지원 | 대한민국 | 경상북도 경산시 백양로 |
2 | 박일규 | 대한민국 | 경상북도 경산시 대학로**길 * |
3 | 장자순 | 대한민국 | 대구광역시 수성구 |
4 | 장선호 | 대한민국 | 경상북도 경산시 조영길 |
5 | 김세민 | 대한민국 | 대구광역시 수성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 영남대학교 산학협력단 | 경상북도 경산시 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.01.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0045061-01 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0042323-31 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.06.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0310070-32 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.07.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0541597-96 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0541596-40 |
7 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2012.02.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0096575-56 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.03.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0230217-91 |
9 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2012.03.21 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0230218-36 |
10 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2012.04.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0196570-41 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5029868-88 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5037590-23 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5175631-14 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5220555-67 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판 상의, 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 포함하는 발광 구조체;상기 제 1 반도체층 상의 제 1 전극;상기 제 2 반도체층 상의 제 2 전극;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에서 상기 제 1 반도체층의 상부면에 제공된 제 1 트렌치; 및상기 제 1 트렌치 내의 제 1 나노 구조체를 포함하는 발광 다이오드 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 트렌치는 상기 제 1 전극의 적어도 일부를 둘러싸는 발광 다이오드 |
3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극과 마주보는 전면, 상기 전면과 대향하는 후면 및 상기 전면과 후면을 연결하는 측면을 포함하고, 상기 제 1 트렌치는 상기 전면 및 상기 측면을 둘러싸는 발광 다이오드 |
4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 나노 구조체는 ZnxO1-x(0003c#x003c#1) 나노 와이어들을 포함하는 발광 다이오드 |
5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 나노 구조체와 상기 제 1 트렌치 사이에, 또는 상기 제 1 나노 구조체의 상부 또는 중간부에 제 1 금속 아일랜드들을 더 포함하는 발광 다이오드 |
6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조체는 상기 제 1 트렌치를 둘러싸는 측벽을 포함하고 상기 제 1 트렌치는 상기 측벽으로부터 이격되는 발광 다이오드 |
7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 트렌치는 상기 제 1 전극으로부터 이격되는 발광 다이오드 |
8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 제 1 나노 구조체의 적어도 일부를 덮는 발광 다이오드 |
9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조체 상의 투명 전극층;상기 투명 전극층의 상부면에 제공된 제 2 트렌치; 및상기 제 2 트렌치 내의 제 2 나노 구조체를 더 포함하고,상기 발광 다이오드를 위에서 보았을 때, 상기 제 2 트렌치는 상기 제 1 트렌치의 적어도 일부를 둘러싸는 발광 다이오드 |
10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층의 상부면에 제공된 제 3 트렌치; 및상기 제 3 트렌치 내의 제 3 나노 구조체를 더 포함하고,상기 발광 다이오드를 위에서 보았을 때, 상기 제 3 트렌치는 상기 제 1 트렌치의 적어도 일부를 둘러싸는 발광 다이오드 |
11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 제 3 트렌치는 상기 발광 구조체의 측벽에 인접하는 발광 다이오드 |
12 |
12 기판 상에 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층을 차례로 형성하는 것;상기 활성층 및 상기 제 2 반도체층을 식각하여 상기 제 1 반도체층을 노출하는 것;상기 노출된 제 1 반도체층에 제 1 트렌치를 형성하는 것;상기 제 1 트렌치 내에 제 1 금속 촉매층을 형성하는 것;상기 제 1 금속 촉매층을 열처리하여 제 1 금속 아일랜드들을 형성하는 것; 및상기 제 1 금속 아일랜드들을 시드로 상기 제 1 트렌치 내에 제 1 나노 구조체를 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 금속 아일랜드들을 형성하는 것 및 상기 제 1 나노 구조체를 형성하는 것은 동일 반응로에서 수행되는 발광 다이오드의 제조 방법 |
14 |
14 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 나노 구조체를 형성하는 것은 열 화학 기상 증착 장치의 반응로에서 상기 제 1 금속 아일랜드들 상에 산화 아연(ZnO) 파우더 또는 아연(Zn)파우더를 제공하여 ZnxO1-x(0003c#x003c#1) 나노 와이어를 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
15 |
15 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 반도체 층 상에 제 1 전극을 형성하는 것 및 상기 제 2 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
16 |
16 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층 상에 투명 전극층을 형성하는 것;상기 투명 전극층의 상부면에 제 2 트렌치를 형성하는 것; 및상기 제 2 트렌치 내에 제 2 나노 구조체를 형성하는 것을 더 포함하고,상기 제 2 트렌치는 상기 제 1 트렌치와 동시에 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법 |
17 |
17 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층의 상부면에 제 3 트렌치를 형성하는 것; 및상기 제 3 트렌치 내에 제 3 나노 구조체를 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 영남대학교 산학협력단 | 산업기술융합산업원천기술개발 | LED-IT 융합산업화 연구센터지원사업 |
특허 등록번호 | 10-1140139-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20100122 출원 번호 : 1020100006035 공고 연월일 : 20120502 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120402 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 33/20 발명의 명칭 : 나노 구조체를 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170420 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2012년 04월 20일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 298,490 원 | 2015년 05월 15일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 289,800 원 | 2016년 04월 15일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.01.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0045061-01 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2011.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0042323-31 |
4 | 의견제출통지서 | 2011.06.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0310070-32 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.07.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0541597-96 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0541596-40 |
7 | 거절결정서 | 2012.02.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0096575-56 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.03.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0230217-91 |
9 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2012.03.21 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0230218-36 |
10 | 등록결정서 | 2012.04.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0196570-41 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5029868-88 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5037590-23 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5175631-14 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5220555-67 |
기술번호 | KST2014041542 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 영남대학교 |
기술명 | 나노 구조체를 갖는 발광 다이오드 |
기술개요 |
발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 기판 상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 포함하는 발광 구조체가 제공된다. 제 1 반도체층 상에 제 1 전극이 제공되고 상기 제 2 반도체층 상에 제 2 전극이 제공된다. 제 1 전극과 제 2 전극 사이에서 제 1 반도체층의 상부면에 제 1 트렌치가 제공된다. 제 1 트렌치 내에 제 1 나노 구조체가 제공된다. |
개발상태 | 실용화단계 |
기술의 우수성 | |
응용분야 |
LED제품 - 램프, 등, 간판과 같은 다양한 LED조명으로 활용 - TV, 모니터 등의 디스플레이에 적극 활용 - 현재 트렌드와 부합하는 스마트폰, 태블릿PC와 같은 휴대용 단말기에 활용 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,기타, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415127652 |
---|---|
세부과제번호 | M002400013 |
연구과제명 | LED-IT융합산업화연구센터 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200906~201405 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415108062 |
---|---|
세부과제번호 | 10033630 |
연구과제명 | LED-IT 융합 산업화 연구센터 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200906~201405 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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심판사항 정보가 없습니다 |
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