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나노 구조체를 갖는 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2014041542
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 기판 상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 포함하는 발광 구조체가 제공된다. 제 1 반도체층 상에 제 1 전극이 제공되고 상기 제 2 반도체층 상에 제 2 전극이 제공된다. 제 1 전극과 제 2 전극 사이에서 제 1 반도체층의 상부면에 제 1 트렌치가 제공된다. 제 1 트렌치 내에 제 1 나노 구조체가 제공된다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/24 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100006035 (2010.01.22)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1140139-0000 (2012.04.19)
공개번호/일자 10-2011-0086353 (2011.07.28) 문서열기
공고번호/일자 (20120502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.22)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오지원 대한민국 경상북도 경산시 백양로
2 박일규 대한민국 경상북도 경산시 대학로**길 *
3 장자순 대한민국 대구광역시 수성구
4 장선호 대한민국 경상북도 경산시 조영길
5 김세민 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0045061-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0042323-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0310070-32
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0541597-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0541596-40
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0096575-56
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0230217-91
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.03.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0230218-36
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0196570-41
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상의, 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 포함하는 발광 구조체;상기 제 1 반도체층 상의 제 1 전극;상기 제 2 반도체층 상의 제 2 전극;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에서 상기 제 1 반도체층의 상부면에 제공된 제 1 트렌치; 및상기 제 1 트렌치 내의 제 1 나노 구조체를 포함하는 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 트렌치는 상기 제 1 전극의 적어도 일부를 둘러싸는 발광 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극과 마주보는 전면, 상기 전면과 대향하는 후면 및 상기 전면과 후면을 연결하는 측면을 포함하고, 상기 제 1 트렌치는 상기 전면 및 상기 측면을 둘러싸는 발광 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 나노 구조체는 ZnxO1-x(0003c#x003c#1) 나노 와이어들을 포함하는 발광 다이오드
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 나노 구조체와 상기 제 1 트렌치 사이에, 또는 상기 제 1 나노 구조체의 상부 또는 중간부에 제 1 금속 아일랜드들을 더 포함하는 발광 다이오드
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조체는 상기 제 1 트렌치를 둘러싸는 측벽을 포함하고 상기 제 1 트렌치는 상기 측벽으로부터 이격되는 발광 다이오드
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 트렌치는 상기 제 1 전극으로부터 이격되는 발광 다이오드
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 제 1 나노 구조체의 적어도 일부를 덮는 발광 다이오드
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조체 상의 투명 전극층;상기 투명 전극층의 상부면에 제공된 제 2 트렌치; 및상기 제 2 트렌치 내의 제 2 나노 구조체를 더 포함하고,상기 발광 다이오드를 위에서 보았을 때, 상기 제 2 트렌치는 상기 제 1 트렌치의 적어도 일부를 둘러싸는 발광 다이오드
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층의 상부면에 제공된 제 3 트렌치; 및상기 제 3 트렌치 내의 제 3 나노 구조체를 더 포함하고,상기 발광 다이오드를 위에서 보았을 때, 상기 제 3 트렌치는 상기 제 1 트렌치의 적어도 일부를 둘러싸는 발광 다이오드
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 제 3 트렌치는 상기 발광 구조체의 측벽에 인접하는 발광 다이오드
12 12
기판 상에 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층을 차례로 형성하는 것;상기 활성층 및 상기 제 2 반도체층을 식각하여 상기 제 1 반도체층을 노출하는 것;상기 노출된 제 1 반도체층에 제 1 트렌치를 형성하는 것;상기 제 1 트렌치 내에 제 1 금속 촉매층을 형성하는 것;상기 제 1 금속 촉매층을 열처리하여 제 1 금속 아일랜드들을 형성하는 것; 및상기 제 1 금속 아일랜드들을 시드로 상기 제 1 트렌치 내에 제 1 나노 구조체를 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 제 1 금속 아일랜드들을 형성하는 것 및 상기 제 1 나노 구조체를 형성하는 것은 동일 반응로에서 수행되는 발광 다이오드의 제조 방법
14 14
제 12 항에 있어서, 상기 제 1 나노 구조체를 형성하는 것은 열 화학 기상 증착 장치의 반응로에서 상기 제 1 금속 아일랜드들 상에 산화 아연(ZnO) 파우더 또는 아연(Zn)파우더를 제공하여 ZnxO1-x(0003c#x003c#1) 나노 와이어를 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
15 15
제 12 항에 있어서, 상기 제 1 반도체 층 상에 제 1 전극을 형성하는 것 및 상기 제 2 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
16 16
제 12 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층 상에 투명 전극층을 형성하는 것;상기 투명 전극층의 상부면에 제 2 트렌치를 형성하는 것; 및상기 제 2 트렌치 내에 제 2 나노 구조체를 형성하는 것을 더 포함하고,상기 제 2 트렌치는 상기 제 1 트렌치와 동시에 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법
17 17
제 12 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층의 상부면에 제 3 트렌치를 형성하는 것; 및상기 제 3 트렌치 내에 제 3 나노 구조체를 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 영남대학교 산학협력단 산업기술융합산업원천기술개발 LED-IT 융합산업화 연구센터지원사업