| 1 |
1
기판 상에 희생층 및 식각 정지층을 형성하는 것;상기 식각 정지층 상에 발광 구조체를 형성하는 것;상기 발광 구조체 상에 제 1 전극층을 형성하는 것;상기 제 1 전극층 상에 구조 지지층을 형성하는 것;상기 기판 및 상기 희생층을 선택적으로 제거하여 상기 식각 정지층을 노출하는 것; 상기 식각 정지층을 제거하여 상기 발광 구조체의 하부면을 노출하는 것; 및상기 노출된 발광 구조체 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하고,상기 식각 정지층은 p형 GaxN1-x(0003c#x003c#1)층이고, 상기 희생층은 n형 또는 도핑되지 않은(un-doped) InxAlyGa1-x-yN(0003c#x003c#1,0003c#y003c#1)층인 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 식각 정지층은 알루미늄 및 인듐 중 적어도 하나 이상을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 희생층을 제거하는 것은 상기 식각 정지층을 제거하지 않고 상기 기판 및 상기 희생층을 선택적으로 제거하는 선택적 습식 식각에 의하여 수행되는 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 선택적 습식 식각은 수산화칼륨, 황산-인산 용액, 염산, 수산화나트륨 중 적어도 하나 이상을 포함하는 용액으로 수행되는 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 선택적 습식 식각은 20～300℃에서 수행되는 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 5 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 희생층을 제거하는 것은:PEC 식각(Photo electro chemical etch)으로 상기 기판의 일부를 제거하는 것; 및선택적 습식 식각에 의하여 잔류된 상기 기판 및 상기 희생층을 제거하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 5 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 희생층을 제거하는 것은 상기 선택적 습식 식각 전에 상기 기판의 일부를 연마 공정으로 제거하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 5 항에 있어서, 상기 식각 정지층을 제거하는 것은 PEC 식각 또는 건식 식각을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어, SiC, GaN, Si 또는 GaAs 기판인 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조체를 형성하는 것은:상기 식각 정지층 상에 제 1 반도체층을 형성하는 것;상기 제 1 반도체층 상에 활성층을 형성하는 것;상기 활성층 상에 제 2 반도체층을 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층은 n형 GaxN1-x(0003c#x003c#1)으로 형성되고, 상기 활성층은 InyGa1-yN(0≤y003c#1)으로 형성되고, 상기 제 2 반도체층은 p형 GazN1-z(0003c#z003c#1)으로 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 14 |
14
제 1 항에 있어서, 상기 구조 지지층을 형성하는 것은 접착층을 이용하여 상기 발광 구조체 상에 상기 구조 지지층을 부착하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
|
| 15 |
15
제 1 항에 있어서, 상기 구조 지지층은 실리콘 기판 또는 금속 기판으로 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법
|
