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제1 유기층/무기층/제2 유기층이 차례로 적층된 다층 봉지막의 제조방법에 있어서,유기층은 플라즈마 보강 화학기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에 의해 박막으로 증착하고,무기층은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)에 의해 박막으로 증착하고,제1 유기층/무기층/제2 유기층을 차례로 적층한 이후 기판 온도 150℃에서 2～3시간 동안 추가 어닐링하는 것을 특징으로 하는 다층 봉지막의 제조방법
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제1항에 있어서, 유기층의 재료가 메틸사이클로헥산, 헥사플루오로프로필렌, 플루오로카본, 또는 폴리테트라플루오로에틸렌인 것을 특징으로 하는 다층 봉지막의 제조방법
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제1항에 있어서, 무기층의 재료가 Al2O3, SiO2, Si3N4, TiO2 및 Ta2O5로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 봉지막의 제조방법
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제1항에 있어서, 유기층은 실온에서 플라즈마 보강 화학기상증착법에 의해 형성된 플라즈마-중합된 메틸사이클로헥산으로 구성된 박막인 것을 특징으로 하는 다층 봉지막의 제조방법
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제1항에 있어서, 무기층은 150～200℃에서 원자층 증착법(ALD)에 의해 형성된 Al2O3으로 구성된 박막인 것을 특징으로 하는 다층 봉지막의 제조방법
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제1항에 있어서,무기층은 플라즈마 보강 원자층 증착법(PEALD)에 의해 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 다층 봉지막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 다층 봉지막의 두께가 300 nm 이하이고, 제1 유기층과 제2 유기층의 두께가 동일한 것을 특징으로 하는 다층 봉지막의 제조방법
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제7항에 있어서,무기층의 두께가 20 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 다층 봉지막의 제조방법
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플라즈마 보강 화학기상증착법(PECVD)에 의해 형성된 제1 유기층 박막; 원자층 증착법(ALD)에 의해 형성된 무기층 박막; 및 플라즈마 보강 화학기상증착법(PECVD)에 의해 형성된 제2 유기층 박막이 차례로 적층된 다층 봉지막으로서,제1 유기층/무기층/제2 유기층을 차례로 적층한 이후 기판 온도 150℃에서 2～3시간 동안 추가 어닐링하여 제조된 것을 특징으로 하는 다층 봉지막
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제10항에 있어서, 유기층의 재료가 메틸사이클로헥산이고, 무기층의 재료가 Al2O3인 것을 특징으로 하는 다층 봉지막
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플렉시블 기판 상에 게이트 전극, 유기물 절연체, 유기물 반도체, 소스-드레인 전극을 차례로 형성하는 단계; 제1 유기층/무기층/제2 유기층이 차례로 적층된 다층 봉지막을 형성하는 단계로서, 제1 유기층 박막 및 제2 유기층 박막은 플라즈마 보강 화학기상증착법(PECVD)에 의해 형성하고, 무기층 박막은 원자층 증착법(ALD)에 의해 형성하고, 제1 유기층/무기층/제2 유기층을 차례로 적층한 후 150℃에서 2~3 시간 동안 어닐링함으로써 다층 봉지막을 형성하는 단계를 포함하는 다층 봉지막으로 봉지된 플렉시블 유기 반도체 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 플렉시블 기판은 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에테르 설폰(PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리 카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리노보넨(PNB), 사이클로올레핀 폴리머(COP), 사이클로올레핀 코폴리머(COC), 올리고페닐렌 설파이드(OPS), 폴리페닐렌 설파이드(PPS) 및 산화 다공성 실리콘(OPS)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 봉지막으로 봉지된 플렉시블 유기 반도체 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 유기물 절연체로서, 가교 PVP, PVA 및 에폭시 중 선택된 유기물 폴리머를 사용하는 것을 특징으로 하는 다층 봉지막으로 봉지된 플렉시블 유기 반도체 소자의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 유기물 반도체로서, 펜타센을 사용하는 것을 특징으로 하는 다층 봉지막으로 봉지된 플렉시블 유기 반도체 소자의 제조방법
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플렉시블 기판;상기 기판 상에 차례로 형성된 게이트 전극, 유기물 절연체, 유기물 반도체 및 소스-드레인 전극으로 이루어지는 유기 전자 소자; 및상기 유기 전자 소자가 밀봉되도록, 플라즈마 보강 화학기상증착법(PECVD)에 의해 형성된 제1 유기층 박막, 원자층 증착법(ALD)에 의해 형성된 무기층 박막 및 플라즈마 보강 화학기상증착법(PECVD)에 의해 형성된 제2 유기층 박막을 차례로 적층하고, 기판 온도 150℃에서 2～3시간 동안 추가 어닐링하여 제조되는 다층 봉지막을 포함하는 플렉시블 유기 반도체 소자
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제17항에 있어서, 상기 다층 봉지막의 유기층의 재료가 메틸사이클로헥산이고, 무기층의 재료가 Al2O3인 것을 특징으로 하는 플렉시블 유기 반도체 소자
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