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금속을 포함하는 도전층과 절연층이 존재하는 기판 상에 Co(CO)4(또는 Co2(CO)8) 전구체를 이용하여 상기 도전층에만 코발트 박막을 증착하는 단계를 포함하는 코발트 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 코발트 박막을 증착하는 단계는 150℃ 이하의 온도에서 수행되는 코발트 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 코발트 박막을 증착하는 단계는 10 torr 이하에서 수행되는 코발트 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 도전층은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 납(Pb), 아연(Zn), 인듐(In), 카드뮴(Cd), 크롬(Cr) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 어느 하나 이상 선택된 금속을 포함하는 코발트 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 도전층은 구리로 이루어진 배선층과 상기 배선층과 상기 절연층 사이에 존재하는 확산방지층을 포함하는 코발트 박막의 선택적 증착방법
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제5항에 있어서,상기 확산방지층은 티타늄(Ti), 탄탄륨(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 또는 이들의 질화물을 포함하는 코발트 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 절연층은 실리콘산화물을 포함하는 코발트 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 코발트 박막을 증착하는 단계 이전에 상기 절연층 상에 소수성 기능기를 흡착시키는 단계를 포함하는 코발트 박막의 선택적 증착방법
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제8항에 있어서,상기 소수성 기능기를 흡착시키는 단계는 HMDS를 흡착시켜 수행되는 코발트 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 코발트 박막을 증착하는 단계는 화학기상증착 또는 원자층 화학증착에 의해 수행되는 코발트 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 코발트 박막을 증착하는 단계 이전에,기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층에 홈을 형성하는 단계;상기 홈과 상기 절연층 상부면을 피복하는 확산방지층을 형성하는 단계;상기 홈을 매립하는 금속층을 형성하는 단계; 및상기 절연층이 노출될 때까지 상기 확산방지층 또는 상기 금속층을 연마하는 단계를 포함하는 코발트 박막의 선택적 증착방법
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