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탄소필라 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소필라전극

  • 기술번호 : KST2014042119
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 전극에 관한 것으로, 상세하게는 절연성 재질의 기판 상부로 바닥전극을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 바닥전극 상부로 촉매층을 형성하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 촉매층이 형성된 기판에 탄소 나노튜브를 성장시키는 단계(단계 3)를 포함하는 탄소 나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소 나노튜브 전극을 제공한다.본 발명의 탄소나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 전극은 전극을 광기능기가 달린 폴리머 레진을 열화시켜 제조함으로써 고가의 금속 및 증착과정이 필요하지 않은 효과가 있으며, 탄소 나노튜브를 성장시켰을 때 탄소 나노튜브와 우수한 접촉저항 특성을 갖는 효과가 있다. 또한 본 발명의 탄소나노튜브 전극은 우수한 전기화학적 특성 및 우수한 접촉저항 특성을 가지며 이에 따라 고감도 전기화학센서, 연료전지 및 전자빔원등에 적용 가능한 효과가 있다.
Int. CL G01N 27/30 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G01N 27/30(2013.01) G01N 27/30(2013.01) G01N 27/30(2013.01) G01N 27/30(2013.01) G01N 27/30(2013.01)
출원번호/일자 1020120091216 (2012.08.21)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1195163-0000 (2012.10.22)
공개번호/일자 10-2012-0098571 (2012.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20121029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2010-0116840 (2010.11.23)
관련 출원번호 1020100116840
심사청구여부/일자 Y (2012.08.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정오 대한민국 대전 유성구
2 박세린 대한민국 대전 서구
3 장현주 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2012.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0669897-80
2 등록결정서
Decision to grant
2012.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0614176-59
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리카(SiO2)층으로 절연된 기판 상부로 폴리머를 코팅하고 이를 패터닝하는 단계(단계 a);상기 단계 1의 패터닝된 부분의 상부로 폴리머를 코팅하고 패터닝하여 필라(pillar)구조로 적층하는 단계(단계 b); 및상기 단계 2의 필라구조로 적층된 폴리머를 열처리하여 탄화시키는 단계(단계 c)를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소필라 전극의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 a의 기판은 실리콘, 석영(quartz), 사파이어, 강화유리 및 알루미나를 포함하는 군으로부터 선택되는 절연성재질의 기판인 것을 특징으로 하는 탄소필라 전극의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 a의 폴리머는 광기능기를 가지는 폴리머인 것을 특징으로 하는 탄소필라 전극의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 a의 코팅은 스핀코팅을 통해서 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소필라 전극의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 단계 b의 폴리머는 광기능기를 가지는 폴리머인 것을 특징으로 하는 탄소필라 전극의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 단계 c의 열처리는 800 내지 1000 의 온도에서 20 내지 40 분의 시간동안 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소필라 전극의 제조방법
7 7
제1항의 제조방법을 통해 제조되는 탄소필라 전극
지정국 정보가 없습니다
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1 KR101325212 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국화학연구원 기관고유사업 바이오 모니터링 기술 개발
2 지식경제부 한국화학연구원 기관고유사업 셀 인터페이스(cell-interface) 전극 개발(창의적연구)