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술폰화 페닐실록산 고체산 촉매, 이의 제조방법, 및 이를 이용한5-히드록시메틸푸르푸랄의제조방법

  • 기술번호 : KST2014042125
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 술폰화 페닐실록산 고체산 촉매의 제조방법, 이에 따라 제조된 술폰화 페닐실록산 고체산 촉매 및 이를 이용한 과당으로부터 5-히드록시메틸푸르푸랄(5-HMF)의 제조방법에 관한 것이다. 술폰화 페닐실록산 고체산 촉매의 다양한 제조법을 통해 제조된 촉매를 과당의 탈수반응에 적용하여 5-히드록시메틸푸르푸랄(5-HMF)를 선택적으로 제조할 수 있다. 최적화된 합성방법에 의해 제조된 술폰화 페닐실록산 고체산 촉매물질은 촉매활성과 안정성이 매우 우수하며, 반응후 분리 재사용할 수 있고 연속반응식 공정에서도 우수한 활성과 안정성을 제공함으로써 5-히드록시메틸푸르푸랄(5-HMF)의 효율적인 제조방법을 제공할 수 있다.
Int. CL B01J 31/02 (2006.01) C07D 307/48 (2006.01) B01J 35/02 (2006.01)
CPC B01J 31/02(2013.01) B01J 31/02(2013.01) B01J 31/02(2013.01) B01J 31/02(2013.01)
출원번호/일자 1020120112432 (2012.10.10)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1363471-0000 (2014.02.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한요한 대한민국 대전 유성구
2 김형록 대한민국 대전 유성구
3 유광희 대한민국 충남 천안시 동남구
4 조경호 대한민국 경기 안성시
5 이정호 대한민국 대전 유성구
6 이기인 대한민국 대전 유성구
7 레 녹 특 베트남 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0822870-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0037999-25
4 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0086276-00
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
페닐트리알콕시실란(PTAS) 및 디페닐디알콕시실란(DPDAS)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 실리콘 단량체로 제조되는 페닐실록산 구조체; 및상기 페닐실록산 구조체의 페닐기에 도입되는 술폰산(SUL)을 포함하되,상기 페닐트리알콕시실란(PTAS) 및 디페닐디알콕시실란(DPDAS)에서 알콕시는 C1-4의 직쇄 또는 측쇄의 알콕시이고, 상기 페닐트리알콕시실란(PTAS), 디페닐디알콕시실란(DPDAS) 및 술폰산(SUL)은 페닐트리알콕시실란(PTAS) 1
2 2
페닐트리알콕시실란(PTAS) 및 디페닐디알콕시실란(DPDAS)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 실리콘 단량체를 산성수용액에 첨가하여 페닐실록산 구조체를 제조하는 단계(단계 1); 및상기 페닐실록산 구조체가 갖는 페닐기를 술폰화하는 단계(단계 2);를 포함하는 술폰화 페닐실록산 고체산 촉매의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 실리콘 단량체는 테트라알콕시실란을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 술폰화 페닐실록산 고체산 촉매의 제조방법
4 4
제 2 항에 있어서,상기 산성수용액은 염산 수용액인 것을 특징으로 하는 술폰화 페닐실록산 고체산 촉매의 제조방법
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 단계 1에서 물은 상기 단량체에 대하여 0
6 6
페닐트리알콕시실란(PTAS) 및 디페닐디알콕시실란(DPDAS)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 실리콘 단량체로 제조되는 페닐실록산 구조체; 및상기 페닐실록산 구조체의 페닐기에 도입되는 술폰산(SUL)을 포함하되,상기 페닐트리알콕시실란(PTAS) 및 디페닐디알콕시실란(DPDAS)에서 알콕시는 C1-4의 직쇄 또는 측쇄의 알콕시이고, 상기 페닐트리알콕시실란(PTAS), 디페닐디알콕시실란(DPDAS) 및 술폰산(SUL)은 페닐트리알콕시실란(PTAS) 1
7 7
과당을 용매에 용해시켜 반응용액을 준비하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 준비한 반응용액과 제 1 항의 술폰화 페닐실록산 고체산 촉매를 접촉하여 탈수반응시키는 단계(단계 2); 를 포함하는 술폰화 페닐실록산 고체산 촉매를 이용한 5-히드록시메틸푸르푸랄(5-HMF)의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 용매는 이소프로필알코올, 디메틸설폭사이드, 물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 술폰화 페닐실록산 고체산 촉매를 이용한 5-히드록시메틸푸르푸랄(5-HMF)의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 단계 2의 탈수반응은 80 ℃ 내지 150 ℃에서 0
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 단계 2의 탈수반응은 80 내지 150 ℃의 온도범위에서 촉매 부피를 기준으로 과당 반응용액을 시간당 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획예산처 한국화학연구원 정부출연 일반사업 나노촉매 플랫폼 기술 기반구축사업
2 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 그린화학 촉매기술의 설계 및 공정기술 개발