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a) 반도체 기판 상부에 다수개의 관통 공동이 형성된 망형의 금속막을 형성하는 촉매형성단계;b) 상기 금속막을 촉매로 상기 반도체 기판을 습식 에칭하여, 일 단이 반도체 기판에 부착된 다수개의 반도체 나노와이어를 제조하는 부분에칭단계; 및c) 상기 반도체 나노와이어가 형성된 반도체 기판을 액상인 매질에 담지하고, 상기 매질을 초음파 전달 매체로 하여, 50 내지 200W의 파워 및 10kHz 내지 100kHz의 주파수로 상기 반도체 기판에 초음파를 인가하여 상기 반도체 나노와이어를 반도체 기판으로부터 절단하고, 하기 관계식 1 및 하기 관계식 2를 만족하는 반도체 기판으로부터 독립된 다수개의 반도체 나노와이어 및 금속막이 잔류하는 반도체 기판을 얻는 절단단계;를 포함하는 반도체 나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 c) 단계 후, 상기 c) 단계에서 얻어진 금속막이 잔류하는 반도체 기판을 이용하여 상기 부분에칭 단계 및 상기 절단단계가 반복적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 c) 단계의 반도체 나노와이어의 길이는 상기 b) 단계의 상기 습식 에칭이 수행되는 시간에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 매질은 에탄올을 포함하는 C1~C5의 저가알콜, 탈이온수 및 상기 반도체 기판의 습식 에칭액에서 하나 또는 둘 이상 선택된 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 반도체 기판의 습식 에칭액인 상기 매질은 상기 부분에칭단계에 사용된 습식 에칭액인 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 b) 단계 후 및 상기 c) 단계 전,상기 금속막을 양극으로, 상기 습식에칭의 에칭 용액에 담지된 백금 전극을 음극으로 하여, 상기 금속막에 전압 또는 전류를 인가하여 상기 금속막과 접촉하는 반도체 나노와이어를 양극산화시키는 단계;가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 b) 단계는상기 금속막을 촉매로 상기 반도체 기판을 습식 에칭하는 에칭단계; 및상기 금속막을 양극으로, 상기 습식에칭의 에칭 용액에 담지된 백금 전극을 음극으로 하여, 상기 금속막에 전압 또는 전류를 인가하여 상기 금속막과 접촉하는 반도체 나노와이어를 양극산화시키는 산화단계;를 포함하며,상기 에칭단계 및 산화단계를 일 단위공정으로, 상기 단위공정이 적어도 2회 이상 반복 수행되며,상기 산화단계에 의해 기판에 부착된 다수개의 반도체 나노와이어에 형성된 적어도 둘 이상의 다공성 마디가 각각 상기 c) 단계에 의해 절단되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어의 제조방법
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