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반도체 나노선 어레이과 그 제조방법
- 기술번호 : KST2014042137
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 다공성 금속박막을 제조하는 방법에 있어서, 일면에 복수의 구멍이 형성된 템플릿을 제공하는 단계, 템플릿의 일면에 금속을 증착하는 단계 및 템플릿을 식각하고 금속은 식각하지 아니하는 템플릿 에칭액을 이용하여 템플릿을 제거하여 템플릿 에칭액의 표면에 금속만 잔존시키는 단계를 포함하는 다공성 금속박막 제조방법은 개구부가 균일하고 대면적으로 저렴한 비용으로 다공성 금속 박막의 제조가 가능하며, 실리콘 기판에 나노선이 형성될 이외의 부분에만 결함없이 이송 가능하여, 종래 금속촉매를 이용한 실리콘의 화학적 습식 에칭을 통한 실리콘 나노선 제작공정에서 발생하는 실리콘의 불균일 에칭, 나노선이 형성되지 않은 수 마이크로 면적의 결함 등을 해결하여 기판의 면적과 결정학적 배향에 상관없이 수직 정렬된 실리콘 나노선을 대면적의 기판 위에 균일하게 제조할 수 있는 효과가 있다. 다공성 금속박막, 수직정렬, 반도체 나노선 어레이, 패터닝 마스크, 습식 에칭 |
|---|---|
| Int. CL | B82B 3/00 (2006.01) |
| CPC | C25D 11/04(2013.01) C25D 11/04(2013.01) C25D 11/04(2013.01) C25D 11/04(2013.01) C25D 11/04(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090083072 (2009.09.03) |
| 출원인 | 한국표준과학연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1191981-0000 (2012.10.10) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0024892 (2011.03.09) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20121017) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 발송처리완료 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.09.03) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국표준과학연구원 | 대한민국 | 대전 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이우 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 김정길 | 대한민국 | 경기도 용인시 수지구 |
| 3 | 김재천 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인이지 | 대한민국 | 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-*** |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국표준과학연구원 | 대전 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.09.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0544046-17 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.02.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.03.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0023226-10 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.05.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0271710-06 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.07.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0556171-01 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0556141-31 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.02.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0073717-60 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.04.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0277662-29 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.04.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0277696-71 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0583783-36 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5004381-25 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266645-00 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266627-88 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266640-72 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 다공성 금속박막을 제조하는 방법에 있어서,일면에 타원형, 정사각형, 직사각형 및 정다각형 중 적어도 어느 하나의 형상인 복수의 구멍이 형성된 템플릿을 제공하는 단계;상기 템플릿의 일면에 금속을 증착하는 단계; 및상기 템플릿을 식각하고 상기 금속은 식각하지 아니하는 템플릿 에칭액을 이용하여 상기 템플릿을 제거하여 상기 템플릿 에칭액의 표면에 상기 금속만 잔존시키는 단계를 포함하는 다공성 금속박막 제조방법 |
| 2 |
2 제1항에 있어서,상기 템플릿의 구멍의 단면은 규칙적인 형상인 것을 특징으로 하는 다공성 금속박막 제조방법 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 제1항에 있어서, 상기 템플릿의 재질은 알루미나이고,상기 구멍은 알루미늄 아노다이징(anodizing)방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 다공성 금속박막 제조방법 |
| 5 |
5 제1항에 있어서, 상기 다공성 금속박막을 잔존시키는 단계 이후에상기 다공성 금속박막의 표면이 매끄럽게 되도록 상기 다공성 금속박막의 표면을 연마하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 금속박막 제조방법 |
| 6 |
6 제1항 내지 제2항 및 제4항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 다공성 금속박막 |
| 7 |
7 일면에 타원형, 정사각형, 직사각형 및 정다각형 중 적어도 어느 하나의 형상인 복수의 구멍이 형성된 템플릿의 일면에 금속을 증착하여 다공성 금속박막을 형성하는 단계;상기 템플릿을 식각하여 상기 다공성 금속박막을 분리하는 단계;실리콘기판의 일면에 상기 다공성 금속박막을 이송(transfer)시키는 단계; 및상기 이송된 다공성 금속박막을 촉매로 상기 실리콘기판을 식각하는 실리콘 에칭액을 이용하여 나노선을 형성하는 단계를 포함하고,상기 이송시키는 단계는이송용액 표면에 상기 다공성 금속박막을 띄우는 a)단계; 상기 다공성 금속박막의 상기 이송용액과 접하는 면이 상기 실리콘기판의 일면과 맞닿도록 상기 다공성 금속박막의 일 측부터 순차적으로 상기 실리콘기판의 일면과 접촉시키는 b)단계; 및상기 실리콘기판에 잔존하는 상기 이송용액을 증발시키는 c)단계를 포함하며, 상기 이송용액은 상기 실리콘 에칭액과 동일한 성분을 가지며,상기 c)단계는상기 다공성 금속박막과 접촉한 부분에서 상기 이송용액에 의해 실리콘기판이 일부 식각되어 상기 다공성 금속박막과 상기 실리콘기판이 밀착되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 어레이 제조방법 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 삭제 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 제7항에 있어서,상기 이송용액은 탈이온수 이고,상기 c)단계 이후에, 상기 다공성 금속박막이 이송된 실리콘기판을 무수에탄올(C2H5OH)에 담지시키는 단계를 더 포함하며,상기 나노선을 형성하는 단계는상기 무수에탄올에 상기 실리콘 에칭액을 더 첨가하는 단계; 및상기 다공성 금속박막을 촉매로 실리콘기판을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 어레이 제조방법 |
| 12 |
12 제7항에 있어서,상기 나노선의 종횡비(=길이/지름)는 상기 실리콘기판의 식각 시간의 조절을 통해 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 어레이 제조방법 |
| 13 |
13 제 7항에 있어서, 상기 실리콘 에칭액은 과산화수소(H2O2)용액에 HF 또는 NH4F중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 어레이 제조방법 |
| 14 |
14 삭제 |
| 15 |
15 제7항에 있어서, 상기 템플릿의 재질은 알루미나이고,상기 구멍은 알루미늄 아노다이징(anodizing)방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 어레이 제조방법 |
| 16 |
16 제7항에 있어서, 상기 다공성 금속박막을 분리하는 단계 이후에상기 다공성 금속박막의 표면이 매끄럽게 되도록 상기 다공성 금속박막의 표면을 연마하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 어레이 제조방법 |
| 17 |
17 삭제 |
| 18 |
18 삭제 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 삭제 |
| 21 |
21 삭제 |
| 22 |
22 제7항, 제11항 내지 제13항 및 제15항 내지 제16항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 반도체 나노선 어레이 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | KR101220522 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 2 | US20120168713 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | WO2011028054 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 4 | WO2011028054 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 | ||||
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 기본사업 | 한국표준과학연구원 | 기관고유사업 | 3-1-3 반도체 나노 측정제어기술개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1191981-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090903 출원 번호 : 1020090083072 공고 연월일 : 20121017 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120928 청구범위의 항수 : 12 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 반도체 나노선 어레이 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20171011 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국표준과학연구원 대전 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 256,500 원 | 2012년 10월 11일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2015년 10월 06일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2016년 09월 30일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.09.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0544046-17 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.02.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.03.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0023226-10 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.05.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0271710-06 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.07.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0556171-01 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0556141-31 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2012.02.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0073717-60 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.04.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0277662-29 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.04.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0277696-71 |
| 10 | 등록결정서 | 2012.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0583783-36 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5004381-25 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266645-00 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266627-88 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266640-72 |
| 기술번호 | KST2014042137 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국표준과학연구원 |
| 기술명 | 반도체 나노선 어레이과 그 제조방법 |
| 기술개요 |
다공성 금속박막을 제조하는 방법에 있어서, 일면에 복수의 구멍이 형성된 템플릿을 제공하는 단계, 템플릿의 일면에 금속을 증착하는 단계 및 템플릿을 식각하고 금속은 식각하지 아니하는 템플릿 에칭액을 이용하여 템플릿을 제거하여 템플릿 에칭액의 표면에 금속만 잔존시키는 단계를 포함하는 다공성 금속박막 제조방법은 개구부가 균일하고 대면적으로 저렴한 비용으로 다공성 금속 박막의 제조가 가능하며, 실리콘 기판에 나노선이 형성될 이외의 부분에만 결함없이 이송 가능하여, 종래 금속촉매를 이용한 실리콘의 화학적 습식 에칭을 통한 실리콘 나노선 제작공정에서 발생하는 실리콘의 불균일 에칭, 나노선이 형성되지 않은 수 마이크로 면적의 결함 등을 해결하여 기판의 면적과 결정학적 배향에 상관없이 수직 정렬된 실리콘 나노선을 대면적의 기판 위에 균일하게 제조할 수 있는 효과가 있다. 다공성 금속박막, 수직정렬, 반도체 나노선 어레이, 패터닝 마스크, 습식 에칭 |
| 개발상태 | 아이디어창안 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 전계효과트랜지스터, 이차전지, vertical transistor, nanosensor, solar cell등에 응용 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스,기술지도, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345095882 |
|---|---|
| 세부과제번호 | K09007 |
| 연구과제명 | 전략산업측정기술개발(일반) |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 기초기술연구회 |
| 연구주관기관명 | 한국표준과학연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200901~200912 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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| 심판사항 정보가 없습니다 |
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