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투명기판 위에 형성된 제1전극, 전자포획층, 광전변환층, 정공 포획층 및 제2 전극을 포함하는 유기태양전지에 있어서,상기 전자포획층의 재질은 비정질 산화아연이며, 인버티드 구조인 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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제 1항에 있어서,상기 비정질 산화아연은, 졸-겔 법으로 합성된 산화아연 전구체와 물 또는 알코올을 1:0
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제 1항에 있어서,상기 전자포획층은 스핀 코팅 또는 딥 코팅 방법을 사용하여 상기 제1전극 상부에 도입되는 비정질 산화아연 박막인 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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제 3항에 있어서,상기 비정질 산화아연 박막은, 산화아연 전구체와 물 또는 알코올을 1:0
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제 3항에 있어서,상기 비정질 산화아연 박막은, 스핀 코팅 또는 딥 코팅 후 UVO 클리너에서 5분 내지 1시간 동안 UV를 조사한 후 가열판에서 80 내지 300℃, 30분 내지 3시간동안 열처리되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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(1) 졸-겔법을 통해 산화아연 전구체를 합성하는 단계; (2) 상기 합성된 산화아연 전구체에 용매를 일정 비율로 혼합하여 산화아연 전구체 용액을 제조하는 단계;(3) 상기 제조된 산화아연 전구체 용액을 코팅하여 박막을 형성 후, 유브이(UV) 조사 시간 및 열처리 온도를 변화시키는 단계; 및 (4) 상기 형성된 산화아연 박막을 적용한 인버티드 구조의 유기태양전지를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 산화아연 전자포획층을 도입한 인버티드 구조의 유기태양전지의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 제 (2) 단계에 산화아연 전구체는 물 또는 알코올을 1:0
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제 6항에 있어서,상기 제 (3) 단계에 스핀 코팅 또는 딥 코팅 방법을 사용하여 제1전극 상부에 도입되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 (3) 단계에서 비정질 산화아연 박막은, 스핀 코팅 또는 딥 코팅 후 UVO 클리너에서 5분 내지 1시간 동안 UV를 조사한 후 가열판에서 80 내지 300℃, 30분 내지 3시간동안 열처리되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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