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용매 중 하기 화학식 2의 나이트론-함유 화합물을 포함하는 용액에 친전자성 금속의 염 또는 착화합물을 첨가하여 수득된 혼합 용액을 반응시켜, 하기 화학식 2의 화합물 분자 내부의 삼중결합을 상기 친전자성 금속의 염 또는 착화합물로 활성화시키고 상기 나이트론 기가 산화제로서 작용하여 분자 내 산화환원 반응 및 쌍극자 고리화 반응(dipolar cycloaddition)이 일어남으로써 하기 화학식 1의 N-함유 헤테로폴리시클릭 화합물을 형성하는 것을 포함하는,
하기 화학식 1의 N-함유 헤테로폴리시클릭 화합물의 제조 방법:
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에서,
은 결합 또는 비결합을 나타내며;
은 단일결합 또는 이중결합을 나타내며;
은 이중결합 또는 삼중결합을 나타내며;
R1은 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기, -CH2-Ar, 또는 키랄성 중심이 있는 -CH-Ar이며, 여기서 상기 Ar은 페닐 또는 나프틸인 아릴을 나타내며 4-CH3O-, 3,4-di-CH3 O-, 4-CH3CH2O-, 3,4-di-CH3CH2O- 또는 4-CH3 CH2O2C-인 전자 끄는 기(electron -withdrawing group) 또는 전자 주는 기(electron-donating group)로 치환될 수 있으며,
R2 및 R3이 서로 결합되지 않는 경우 R2 및 R3는 각각 독립적으로 H, 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기이며, R2 및 R3가 서로 결합된 경우, 이들이 결합되어 형성된 고리는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬 또는 선형 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C10알콕시기로 치환될 수 있는 벤젠고리 , 포화 또는 불포 화 5-원 탄화수소 고리 또는 포화 또는 불포화 6-원 탄화수소 고리를 나타내며,
R4는 H, 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기이고,
R5는 H, 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기, C1~C6의 알킬기로 치환될 수 있는 C2 ~C10 알케닐기, C1~C6의 알킬기로 치환될 수 있는 C2 ~C10 알키닐기, -CO2(C1~C 6 알킬), 또는 페닐 또는 나프틸인 아릴기를 나타내고,
R6는 존재 하는 경우 H, 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기이고,
R7는 H, 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10 알킬기이고
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용매 중 하기 화학식 4의 나이트론-함유 화합물과 하기 화학식 5의 화합물을 포함하는 용액에 친전자성 금속의 염 또는 착화합물을 첨가하여 수득된 혼합 용액을 반응시켜, 하기 화학식 4의 화합물 분자의 삼중결합을 상기 친전자성 금속의 염 또는 착화합물로 활성화시키고 상기 나이트론 기가 산화제로서 작용하여 하기 화학식 4의 화합물과 하기 화학식 5의 화합물 분자 사이의 산화환원 반응 및 쌍극자 고리화 반응이 일어남으로써 하기 화학식 3의 N-함유 헤테로폴리시클릭 화합물을 형성하는 것을 포함하는,
하기 화학식 3의 N-함유 헤테로폴리시클릭 화합물의 제조 방법:
[화학식 3]
상기 식에서,
은 결합 또는 비결합을 나타내며;
은 단일결합 또는 이중결합을 나타내며;
R1은 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기, -CH2-Ar, 또는 키랄성 중심이 있는 -CH-Ar이고, 여기서 상기 Ar은 페닐 또는 나프틸인 아릴을 나타내며 4-CH3O-, 3,4-di-CH3O-, 4-CH3CH2 O-, 3,4-di-CH3CH2O- 또는 4-CH3CH2O2C-인 전자 끄는 기 또는 전자 주는 기로 치환될 수 있으며,
R2 및 R3 이 서로 결합되지 않는 경우 R2 및 R3는 각각 독립적으로 H, 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기, R2 및 R3가 서로 결합된 경우, 이들이 결합되어 형성된 고리는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬 또는 선형 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C10알콕시기로 치환될 수 있는 벤젠고리, 포화 또는 불포화 5-원 탄화수소 고리 또는 포화 또는 불포화 6-원 탄화수소 고리를 나타내며,
R9 및 R10은 존재하는 경우 각각 독립적으로 H, 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10 알킬기이고,
R13 및 R14은 각각 독립적으로 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10 알킬기이고;
[화학식 4]
상기 식에서,
은 결합 또는 비결합을 나타내며;
은 단일결합 또는 이중결합을 나타내며;
R1, R2, R3, R9 및 R10는 상기에서 정의된 바와 같고,
R15은 H, 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C 1~C10알킬기이고;
[화학식 5]
상기 식 중, R13 및 R14은 상기 화학식 3에서 정의된 바와 같음
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2의 나이트론-함유 화합물이 하기 화학식 8의 화합물이며, 상기 화학식 1의 N-함유 헤테로폴리시클릭 화합물이 하기 화학식 9의 화합물인 제조 방법:
[화학식 8]
[화학식 9]
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상기 식들 중,
R1 은 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기, 벤질기, 또는 벤질기 유도체이고,
R4는 H, 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기이고,
R5는 H, 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기, -CO2(C1~C6 알킬), 또는 페닐기를 나타내고,
R6는 H, 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기이고,
E는 -CO2(C1~C6 알킬)임
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2의 나이트론-함유 화합물이 하기 화학식 10의 화합물이며, 상기 화학식 1의 N-함유 헤테로폴리시클릭 화합물이 하기 화학식 11의 화합물인 제조 방법:
[화학식 10]
[화학식 11]
;
상기 식들 중,
R5는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C6 알킬기 또는 페닐기이고,
Bn은 벤질기를 나타내며,
E는 -CO2(C1~C6 알킬)임
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5
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2의 나이트론-함유 화합물이 하기 화학식 12의 화합물이며, 상기 화학식 1의 N-함유 헤테로폴리시클릭 화합물이 하기 화학식 13의 화합물인 제조 방법:
[화학식 12]
[화학식 13]
;
상기 식들 중,
R8은 H, 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C6알킬기 또는 C3~C10 시클로알킬기이고,
Bn은 벤질기를 나타내며,
X는 N-p-톨루엔설포닐, C(CH2OR11) 또는 C(CO2R12)2 을 나타내며, 여기에서, 상기 R11 는 C1~C6 알킬 또는 벤질기이고, R12은 C1~C6 알킬임
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6
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2의 나이트론-함유 화합물이 하기 화학식 14의 화합물이며, 상기 화학식 1의 N-함유 헤테로폴리시클릭 화합물이 하기 화학식 15의 화합물인 제조 방법:
[화학식 14]
[화학식 15]
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상기 식들 중,
R2 및 R3 은 H 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C6알킬기이고,
Bn은 벤질기를 나타내며,
X는 N-p-톨루엔설포닐, C(CH2OR11) 또는 C(CO2R12)2 을 나타내며, 여기에서, 상기 R11는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C6알킬 또는 벤질기이고, R12은 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C6알킬임
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7
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2의 나이트론-함유 화합물이 하기 화학식 16의 화합물이며, 상기 화학식 1의 N-함유 헤테로폴리시클릭 화합물이 하기 화학식 17의 화합물인 제조 방법:
[화학식 16]
[화학식 17]
상기 식들 중,
R 2 및 R3 은 H 또는 선형 또는 분지형의 C1~C 6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1 ~C6알킬기이고,
R9 은 H, 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C6알킬기이고,
E는 -CO2(C1~C6 알킬)이고,
Bn은 벤질기를 나타냄
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8
제 2 항에 있어서, 상기 화학식 4의 나이트론-함유 화합물이 하기 화학식 18의 화합물이며 상기 화학식 5의 화합물이 하기 화학식 19의 화합물이며, 상기 화학식 3의 N-함유 헤테로폴리시클릭 화합물이 하기 화학식 20의 화합물인 제조 방법:
[화학식 18]
[화학식 19]
[화학식 20]
;
상기 식들 중 Bn은 벤질기를 나타내고
R15은 H, 또는 선형 또는 분지형의 C1~C6의 알킬기를 포함하는 C1~C6 의 알콕시기로 치환될 수 있는 C1~C10알킬기임
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 친전자성 금속의 염이 친전자성 금속의 할라이드인 제조 방법
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 친전자성 금속이 Pt2+, Ag1+, Au3+, Cu2+, 및 Cu+1 로 이루어진 군에서 선택되는 것인 제조 방법
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13
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 친전자성 금속의 염 또는 착화합물은 Pt2+, Ag1+, Au3+, Cu2+, 및 Cu+1 로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 할라이드, [Au(IMes)]SbF6, 또는 AgSbF6 인 제조 방법
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14
제 13 항에 있어서, 상기 금속의 할라이드가 PtCl2, PtBr2, AuCl3, AgCl, AgBr, CuI, CuBr, 및 CuCl 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 제조 방법
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 친전자성 금속의 염 또는 착화합물의 함량이 0
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합 용액을 실온 내지120℃의 온도에서 반응시키는 것을 포함하는 제조 방법
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