맞춤기술찾기

이전대상기술

광 양자테 레이저 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014042702
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시 예에 따른 광 양자테 레이저 소자 제조 방법은 반도체 기판 상부에 제 1 반사층과 p형 제 2 반사층 사이에 활성화층을 형성하는 단계와, 상기 활성층의 측면이 드러나도록 선택 식각하여 메사를 형성하는 단계와, 상기 메사 형성된 반도체 기판 전면에 대해 산화 공정을 실시하여 상기 식각된 제 2 반사층의 표면을 선택적으로 산화시켜 산화층을 형성하는 단계와, 상기 산화 공정을 거친 결과물 상에 보호층을 형성한 후 상기 메사의 상부가 드러나도록 상기 보호층의 일부를 제거하는 단계를 포함한다.이와 같이, 본 발명은 산화 공정을 통해 제 2 반사층의 일부 영역에 산화층을 형성하여 두 개의 물질로 구성된 제 2 반사층의 굴절율의 차이를 높임으로써, 적은 층수의 제 2 반사층을 이용하여 레이저 소자의 발진 조건을 충분히 만족할 수 있을 뿐만 아니라 제 2 반사층 내부에서 흡수 또는 산란 등의 광 손실 문제를 해결할 수 있다.
Int. CL H01S 5/30 (2006.01) H01S 5/00 (2006.01)
CPC H01S 5/18344(2013.01) H01S 5/18344(2013.01) H01S 5/18344(2013.01) H01S 5/18344(2013.01)
출원번호/일자 1020100006598 (2010.01.25)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1121019-0000 (2012.02.21)
공개번호/일자 10-2011-0087121 (2011.08.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.25)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김창훈 대한민국 부산광역시 북구
2 김영천 대한민국 서울특별시 중구
3 권오대 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 신미향 대한민국 부산광역시 연제구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0049882-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005619-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0234465-02
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0496902-84
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0496901-38
7 등록결정서
Decision to grant
2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0060865-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상부에 제 1 반사층과 p형 제 2 반사층 사이에 활성화층을 형성하는 단계와,상기 활성층의 측면이 드러나도록 선택 식각하여 메사를 형성하는 단계와,상기 메사 형성된 반도체 기판 전면에 대해 산화 공정을 실시하여 상기 식각된 제 2 반사층의 표면을 선택적으로 산화시켜 산화층을 형성하는 단계와,상기 산화 공정을 거친 결과물 상에 보호층을 형성한 후 상기 메사의 상부가 드러나도록 상기 보호층의 일부를 제거하는 단계를 포함하며,상기 제 2 반사층은, GaN 및 AlGaN이 순차적으로 적층된 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는광 양자테 레이저 소자 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화층을 형성하는 단계는, 상기 식각된 제 2 반사층의 테두리 일정 영역만을 산화시켜 상기 산화층을 형성하는광 양자테 레이저 소자 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 식각된 제 2 반사층 표면 테두리에서 중앙쪽으로 산화되는 산화층 폭은 레일리 대역폭을 토대로 결정되는광 양자테 레이저 소자 제조 방법
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 반사층은, GaAs 및 AlGaAs의 다층막 구조로 형성되는 광 양자테 레이저 소자 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 산화 공정은 캐리어가스인 질소로 인해 수증기의 산소 분위기를 갖는 퍼니스 내부에서 이루어지는 광 양자테 레이저 소자 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 보호층은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막으로 형성되는광 양자테 레이저 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.