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오목렌즈의 틀이 형성된 반도체 기판 상부에 고분자 물질을 형성하는 단계와,
상기 고분자 물질의 상부에 포토레지스트를 전면 형성하고 상기 포토레지스트의 일부를 선택적으로 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,
상기 포토레지스트 패턴에 대하여 가열 공정 및 용융시켜 반구 형태의 볼록렌즈 어레이를 형성하는 단계와,
상기 오목렌즈의 틀이 형성된 상기 반도체 기판으로부터 상기 볼록렌즈 어레이가 형성된 상기 고분자 물질을 분리하여 마이크로 콜리메이터를 제작하는 단계
를 포함하는 마이크로 콜리메이터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 고분자 물질은, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane)인 마이크로 콜리메이터의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,
상기 폴리디메틸실록산은, 상기 반도체 기판 상부에 스핀 코팅을 통해 형성하고, 오븐을 통해 응고시키며, 애셔(asher)를 이용하여 산소 플라즈마에 노출시켜 응착시키는 마이크로 콜리메이터의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,
상기 산소 플라즈마의 노출 시간은, 50초∼1분10초의 범위인 마이크로 콜리메이터의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,
상기 폴리디메틸실록산의 두께는, 스핀코터의 분당 회전수를 조정하여 상기 마이크로 콜리메이터내 볼록렌즈의 초점거리 보다 상대적으로 얇게 형성하는 마이크로 콜리메이터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 마이크로 콜리메이터는, 비평행의 광양자테(photonic quantum ring) 광원에 대하여 평행의 광양자테 광원으로 변환하는 마이크로 콜리메이터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,
상기 평행의 광양자테 광원은, 광섬유를 통과하여 원거리에 위치한 다른 기기로 전달하는 마이크로 콜리메이터의 제조 방법
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8
제 6 항에 있어서,
상기 비평행의 광양자테 광원은, 상기 마이크로 콜리메이터내 볼록렌즈를 통과하여 집광되고, 상기 마이크로 콜리메이터내 오목렌즈를 거치며 최소 스팟 크기(spot size)로 발산하는 마이크로 콜리메이터의 제조 방법
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9
제 8 항에 있어서,
상기 오목렌즈는, 상기 볼록렌즈의 초점거리 내에 위치해야 하는 마이크로 콜리메이터의 제조 방법
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10
제 1 항에 있어서,
상기 가열 공정은, 핫 프레이트 혹은 오븐을 통해 150℃∼160℃ 이내의 범위의 온도와 10분 전후의 시간으로 진행하는 마이크로 콜리메이터의 제조 방법
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