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버퍼층을 이용한 실리콘 기판 위의 산화아연 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014042758
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Si 기판과 ZnO 박막 사이에 버퍼층을 배치하여 Si 기판과 ZnO 박막 간의 격자 불일치도를 줄여줌과 동시에 Si 기판의 Si과 ZnO 사이의 확산 반응과 실리사이드 생성 반응을 줄여줌으로써, Si 기판에 고 품질의 ZnO 박막을 형성할 수 있도록 하여 Si 기반 기술에 ZnO의 광전기적 특성을 활용할 수 있게 하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 버퍼층은 MgO, CaO, BaO, SrO, TiN, TaN, ZrN, CrN, NiO, CoO, MnO, TiO, CdO, VO, CsCl, CsBr, CsI 및 Y2O3 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020100102960 (2010.10.21)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1135928-0000 (2012.04.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120413) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유학기 대한민국 경상북도
2 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0681024-62
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0425807-48
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0614009-62
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0614008-16
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0010728-52
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Si 기판상에 버퍼층을 개재하여 ZnO 박막을 형성하는 방법으로, 상기 버퍼층은 MgO, CaO, BaO, SrO, TiN, TaN, ZrN, CrN, NiO, CoO, MnO, TiO, CdO, VO, CsCl, CsBr, CsI 및 Y2O3 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 박막의 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층과 ZnO 박막은 동일한 증착 방법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 ZnO 박막의 형성 방법
3 3
제 1 항 있어서,상기 버퍼층은 2층 이상의 다층 구조로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 ZnO 박막의 형성 방법
4 4
제 2 항에 있어서,상기 증착 방법은 전자선 증착법, 펄스 레이저 증착법, 스퍼터링 법, 유기화학 증착법 또는 화학 기상 증착법인 것을 특징으로 하는 ZnO 박막의 형성 방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 다층 구조는 MgO, CaO, BaO, SrO, TiN, TaN, ZrN, CrN, NiO, CoO, MnO, TiO, CdO, VO, CsCl, CsBr, CsI, 또는 Y2O3로 이루어진 군에서 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 박막의 형성 방법
6 6
제 3 항에 있어서,상기 다층 구조는 3층 구조로 되어 있고, 중앙부에 MgO층이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 ZnO 박막의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.