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선택적 증착법을 이용한 반도체 소자의 콘택트 형성방법

  • 기술번호 : KST2014042759
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전이금속의 원자층 증착 공정과 자기조립 단분자막을 이용하여 원하는 부분에 박막을 증착할 수 있어 실리콘 소자의 콘택트 형성에 적용할 수 있는 방법에 관한 것으로서, 자기조립 단분자막을 원하는 부분에 코팅하여 표면 개질을 행한 뒤 원자층 증착 공정을 실행하여 개질된 표면, 혹은 개질되지 않은 표면 위에만 선택적으로 증착이 일어나도록 한다. 이를 사용하여 실리콘 전자소자의 콘택트 형성시에 간편화된 방법으로 기존의 방법을 대체 할 수 있다. 원자층 증착 공정, 자기조립 단분자막, 코발트, 니켈, 금속 박막, 콘택트, 실리사이드
Int. CL H01L 21/24 (2006.01) H01L 21/3205 (2006.01)
CPC H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01)
출원번호/일자 1020090025405 (2009.03.25)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1078309-0000 (2011.10.25)
공개번호/일자 10-2010-0107228 (2010.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20111031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.25)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이한보람 대한민국 서울특별시 강서구
2 김우희 대한민국 서울특별시 성북구
3 김형준 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0179750-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058736-68
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0520897-53
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0038247-66
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0038248-12
7 등록결정서
Decision to grant
2011.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0424782-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
소스, 드레인, 게이트 및 상기 게이트의 양측에 형성되는 스페이서를 구비한 반도체 소자의 콘택트 형성방법으로, 상기 스페이서에 선택적으로 결합하는 자기조립 단분자막을 상기 반도체 소자에 도포하여 상기 스페이서의 표면을 개질하는 단계; 원자층 증착법을 통해 상기 표면이 개질된 부분을 제외한 상기 반도체 소자의 표면에 금속 박막을 형성하는 단계; 및 금속 박막을 열처리하여, 실리사이드를 형성하고 상기 자기조립 단분자막을 분해하여 제거하는 단계;를 포함하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 소자는 MOSFET 소자인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 자기조립 단분자막은 그 반응기가 산화물에 반응하고 작용기는 소수성을 띠는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 원자층 증착법은 열적(thermal) ALD인 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 자기조립 단분자막은 OTS (Octadecyltrichlorosilane)를 기반으로 한 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 박막은 코발트, 니켈 또는 이의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 원자층 증착법의 금속전구체는 bis(N,N'-diisopropylacetamidinato)cobalt(II) 또는 bis(dimethylamino-2-methyl-2-butoxo)nickel 이고, 반응물은 암모니아(NH3)를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
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