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실리콘 박막의 저온 고속 증착 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2014042760
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 위에 실리콘 박막을 고속으로 증착할 수 있는 실리콘 박막 증착 장치 및 이를 이용한 실리콘 박막 증착 방법에 관한 것이다. 실리콘 박막의 증착 방법은, 기판을 세척하여 기판 표면의 이물질을 제거하고, 기판을 챔버 내부에 장착하고, 냉각 유체를 이용하여 기판을 냉각시키고, 챔버를 가열하여 기판과 챔버 사이에 온도 구배를 형성하고, 챔버 내부로 실리콘 소스 가스를 주입 후 실리콘 소스 가스를 가열 및 열분해하여 기판 위에 실리콘 박막을 증착하는 단계들을 포함한다. 박막, 증착, 소스가스, 챔버, 기판, 냉각, 지지, 가열, 제어부
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01)
CPC H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01)
출원번호/일자 1020090053969 (2009.06.17)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1073051-0000 (2011.10.06)
공개번호/일자 10-2010-0135532 (2010.12.27) 문서열기
공고번호/일자 (20111012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조문호 대한민국 경북 포항시 남구
2 이근희 대한민국 경북 포항시 남구
3 이동훈 대한민국 대구 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0366895-22
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0131922-28
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0334423-61
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0334424-17
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0562425-35
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
기판을 세척하여 상기 기판 표면의 이물질을 제거하고; 챔버의 내부에 순환 관부와 제1 관부 및 제2 관부를 포함하는 기판 냉각부를 설치하고; 상기 기판을 상기 순환 관부와 접촉하도록 상기 챔버 내부에 장착하고; 상기 순환 관부로 냉각 유체를 공급하여 상기 기판을 냉각시키고; 상기 챔버를 가열하여 상기 기판과 상기 챔버 사이에 온도 구배를 형성하고; 상기 챔버 내부로 실리콘 소스 가스를 주입 후 실리콘 소스 가스를 가열 및 열분해하여 상기 기판 위에 실리콘 박막을 증착하는 단계들을 포함하며, 상기 제1 관부는 상기 순환 관부와 상기 챔버의 외부를 연결하여 상기 순환 관부로 냉각 유체를 공급하고, 상기 제2 관부는 상기 제1 관부를 둘러싸 상기 제1 관부와 함께 이중관을 구성하며 상기 순환 관부와 상기 챔버의 외부를 연결하여 냉각에 사용된 냉각 유체를 배출하는 실리콘 박막의 저온 고속 증착 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 온도 구배를 형성하는 단계 및 상기 박막을 증착하는 단계에서도 상기 순환 관부에 상기 냉각 유체를 지속적으로 공급하는 실리콘 박막의 저온 고속 증착 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 냉각 유체의 유량 및 상기 실리콘 소스 가스의 압력에 비례하여 상기 온도 구배를 높이는 실리콘 박막의 저온 고속 증착 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 실리콘 박막을 증착하는 단계에서, 상기 기판과 상기 실리콘 소스 가스의 온도 차이는 100℃ 내지 200℃의 범위에 속하는 실리콘 박막의 저온 고속 증착 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 실리콘 박막을 증착하는 단계에서, 상기 기판의 온도는 0℃ 내지 600℃의 범위에 속하는 실리콘 박막의 저온 고속 증착 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 유리, 석영, 알루미나 및 플라스틱 중 어느 하나로 제조되는 실리콘 박막의 저온 고속 증착 방법
8 8
제1항, 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 소스 가스는 헬륨 가스 또는 수소 가스에 희석된 모노실란 가스를 포함하는 실리콘 박막의 저온 고속 증착 방법
9 9
실리콘 소스 가스를 공급받는 챔버; 상기 챔버에 설치되어 상기 챔버를 가열하는 챔버 가열부; 상기 챔버의 내부에 장착되며, 실리콘 박막이 증착될 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판과 접촉하도록 상기 기판 지지부에 설치되며 냉각 유체의 순환을 이용하여 상기 기판을 냉각시키는 순환 관부와, 상기 순환 관부와 상기 챔버의 외부를 연결하여 상기 순환 관부로 냉각 유체를 공급하는 제1 관부와, 상기 제1 관부를 둘러싸 상기 제1 관부와 함께 이중관을 구성하며 상기 순환 관부와 상기 챔버의 외부를 연결하여 냉각에 사용된 냉각 유체를 배출하는 제2 관부를 포함하는 기판 냉각부; 및 상기 챔버 가열부 및 상기 기판 냉각부와 연결되어 상기 챔버와 상기 기판의 온도를 각각 제어하는 제어부 를 포함하는 실리콘 박막의 저온 고속 증착 장치
10 10
삭제
11 11
제9항에 있어서, 상기 기판 냉각부는, 상기 제2 관부를 둘러싸며 내부를 진공으로 유지하는 보호 관부를 더 포함하는 실리콘 박막의 저온 고속 증착 장치
12 12
제9항 또는 제11항에 있어서, 상기 기판 지지부는 상기 순환 관부를 수용하는 내부 공간을 형성하며, 상기 기판보다 작은 크기의 개구부가 형성된 상면을 포함하는 실리콘 박막의 저온 고속 증착 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.