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유기발광다이오드

  • 기술번호 : KST2014042761
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 발광 다이오드에 관한 것이다.본 발명에 따른 유기 발광 다이오드는 기판 상에 형성된 굴절률 조절층, 상기 굴절률 조절층 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 화합물층 및 상기 유기 화합물층 상에 형성된 제2 전극을 포함하여 구성되고, 상기 굴절률 조절층의 굴절률은 상기 기판의 굴절률보다 크고 상기 제1 전극의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 유기 발광 다이오드를 구성하는 기능층 계면에서의 전반사가 효율적으로 억제되어 광 효율이 향상되고, 단순한 공정에 의해 제조됨으로써 제조비용이 저감되고 공정 효율이 향상된 유기 발광 다이오드가 제공되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01)
CPC H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01)
출원번호/일자 1020100086551 (2010.09.03)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0023421 (2012.03.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 홍기현 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 유학기 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0574529-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0090775-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0149673-54
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0382317-23
6 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0063211-37
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0474802-46
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0474803-92
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2012.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0407653-80
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0627503-91
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-1072925-69
12 보정요구서
Request for Amendment		 2013.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0002865-47
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0062943-13
14 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0021300-71
15 보정요구서
Request for Amendment		 2013.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0011050-65
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0163885-43
17 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2013.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0087703-92
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0163884-08
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
20 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0415851-37
21 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2013.09.04 수리 (Accepted) 7-8-2013-0026376-94
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되어 있으며 하나 이상의 층으로 이루어진 굴절률 조절층;상기 굴절률 조절층 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 유기 화합물층; 및상기 유기 화합물층 상에 형성된 제2 전극을 포함하고,상기 굴절률 조절층의 굴절률은 상기 기판의 굴절률보다 크고 상기 제1 전극의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
2 2
제1 항에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 유기 화합물층으로부터의 광을 서로 다른 굴절률로 굴절시키는 제1 굴절률 조절층과 제2 굴절률 조절층이 순차적으로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
3 3
제2 항에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층과 상기 제2 굴절률 조절층 중 적어도 하나의 단면 형상은 불규칙적인 나노 패싯(facet) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
4 4
제3 항에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층과 상기 제2 굴절률 조절층 중 적어도 하나는 스퍼터링 증착법 또는 전자선 증착법 또는 레이저 증착법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
5 5
제2 항에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층과 상기 제2 굴절률 조절층 중 적어도 하나는 스퍼터링 증착법 또는 전자선 증착법 또는 레이저 증착법에 의해 자발적으로 나노 패싯(facet) 구조를 형성하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
6 6
제2 항에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층은 MgO, ZnO, ITO, V2O5, RuO, CuO, SnO2, AgO, WO3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
7 7
제2 항에 있어서,상기 제2 굴절률 조절층은 ZrO2, MgO, ITO, WO3, V2O5, RuO, TiO2, PdO 및 MoO3로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
8 8
제6 항에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층의 두께는 50Å 이상 5000Å 이하인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
9 9
제7 항에 있어서,상기 제2 굴절률 조절층의 두께는 50Å 이상 5000Å 이하인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
10 10
제3 항에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층과 상기 제2 굴절률 조절층의 증착 온도는 20℃ 이상 1000℃ 이하인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
11 11
제2 항에 있어서,상기 제1 전극은 양극이고 상기 제2 전극은 음극인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
12 12
제2 항에 있어서,상기 기판은 유리 또는 폴리머로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.