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전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014042763
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구부림 특성을 구비한 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 관한 것으로, 유기반도체층, 금속층 및 금속산화물층이 순차적으로 적층된 다층 구조로 이루어진 상부 투명전극의 구성을 통해, 광출력 및 효율 특성이 향상된 평판 디스플레이를 얻을 수 있으며 제조 전 공정이 열증착만으로 이루어질 수 있어 추가적인 제조 설비의 확충 없이 대면적 디스플레이 소자 제작이 가능하여 제조 원가를 낮출 수 있는 유기 발광 다이오드와 이의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H05B 33/26 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01)
CPC H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01)
출원번호/일자 1020100068714 (2010.07.15)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1295200-0000 (2013.08.05)
공개번호/일자 10-2012-0007920 (2012.01.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 홍기현 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김기수 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 이일환 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 정관호 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0458470-36
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0151655-35
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0382318-79
4 보정요구서
Request for Amendment
2012.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0064063-44
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0473109-45
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0473110-92
7 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2012.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0411242-78
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0658401-58
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1089506-39
10 보정요구서
Request for Amendment
2013.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0004830-07
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2013.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0037790-37
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0096365-63
13 보정요구서
Request for Amendment
2013.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0015698-12
14 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0123033-44
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0185192-26
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0283259-63
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0283260-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
19 등록결정서
Decision to grant
2013.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0536839-48
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
기판상에 형성된 제1 전극,상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 유기화합물층을 포함하고,상기 유기화합물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공방지층, 전자수송층이 순차적으로 적층된 구조로 이루어지며,상기 제2 전극은 상기 유기화합물층 상에 유기반도체층, Ag층 및 MoO3층이 순차적으로 적층된 다층 구조로 이루어지고,상기 유기반도체층의 두께는 5 ~ 500Å이고, 상기 Ag층의 두께는 30 ~ 300Å이며, 상기 MoO3층의 두께는 5 ~ 500Å인 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 전극, 제2 전극 및 유기화합물층은 모두 열증착 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
3 3
제1 항에 있어서,상기 유기반도체층은 Bphen, ADN, TAZ 및 BCPt로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 기판은 스틸(steel)로 이루어진 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제1 항, 제2 항, 제3 항 및 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기반도체층에는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 금속 산화물 또는 전자주입 특성을 갖는 유기 화합물이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
11 11
제1 항, 제2 항, 제3 항 및 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고 상기 제2 전극은 음극인 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
12 12
제1 항, 제2 항, 제3 항 및 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고 상기 제2 전극은 양극인 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.