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질화갈륨계 반도체와 금속기판과의 접합방법과 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2014042765
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체와 강철을 기반으로 하는 기판의 접합방법과 이를 통한 화합물 반도체 소자에 관한 것이다. 금속을 기반으로 하고 있는 강철 기판과 화합물반도체 기판을 접합하기 위하여 두 기판 위에 금속접합층을 각각 형성하고, 두 기판의 금속접합층을 마주 보게 한 상태에서 금속접합층의 녹는점 이상의 온도를 유지하면서 일정압력을 인가한다. 그러면, 두 금속접합층이 서로 확산되어 두 기판 사이에 접합이 이루어진다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01)
출원번호/일자 1020100063839 (2010.07.02)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1186556-0000 (2012.09.21)
공개번호/일자 10-2012-0003150 (2012.01.10) 문서열기
공고번호/일자 (20121008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 송양희 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0429712-11
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0041034-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0072948-04
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0532589-66
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0919730-83
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-1013188-64
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-1027484-46
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0056834-14
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0056833-68
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0361081-53
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0520467-67
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0520468-13
14 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0513745-37
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화갈륨계 반도체상에 제 1 전도성 확산방지층과 제 1 금속 접합층을 순차적으로 적층하는 단계;금속기판상에 제 2 전도성 확산방지층과 제 2 금속 접합층을 순차적으로 적층하는 단계; 및상기 제 1 금속 접합층과 제 2 금속 접합층을 접합하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 금속 접합층과 제 2 금속 접합층은 상호 접촉된 상태에서 가열 및 가압되어 접합되며,상기 금속기판은 열팽창계수가 6
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 금속기판은 Cr을 10중량% ~ 15중량% 함유한 강판인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체와 금속기판과의 접합방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 금속기판은 Ti을 1중량% ~ 10중량% 함유한 강판인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체와 금속기판과의 접합방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 금속기판은 Ni을 10중량% ~ 40중량% 함유한 강판인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체와 금속기판과의 접합방법
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 금속기판의 두께는 10㎛ ~ 1000㎛인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체와 금속기판과의 접합방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전도성 확산방지층의 두께는 10nm ~ 10㎛인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체와 금속기판과의 접합방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 금속 접합층은 Au, Sn, Al, Pb, Cr, Ti, In, Pd 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체와 금속기판과의 접합방법
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전도성 확산방지층은 Cr, Ru, Pt, Ni, Pd, Ir, Rh, Nb, W, Ti 및 Ta를 포함하는 금속과, RuOx, NiOx, IrOx, RhOx, NbOx, TiOx, TaOx 및 CrOx를 포함하는 산화물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체와 금속기판과의 접합방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전도성 확산방지층은, 상기 금속 간의 합금층 또는 상기 금속과 산화물이 교대로 적층된 적층구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체와 금속기판과의 접합방법
13 13
제 1 항, 제 4 항 내지 제 6 항, 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 접합방법에 의해 형성된 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.