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전자선 증착장비를 이용한 산화아연 나노 막대 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014042772
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자선 증착 장비를 이용하여 ZnO 나노 막대를 제작함으로써, 아연 기상을 형성하기 위한 고온 공정이 필요하지 않으며, 산화 반응을 위한 가스 주입이 필요하지 않고, 촉매의 사용으로 인한 오염이 없는 나노 막대를 제작할 수 있을 뿐만 아니라, 진공 증착장비를 활용함에 있어 나노 막대의 성장을 쉽게 조절할 수 있는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 ZnO 나노 막대의 제조방법은, 반응가스를 사용하지 않고, ZnO로 이루어진 타겟에 전자선을 조사하여 타겟으로부터 증발된 아연과 산소를 이용하여 기판에 ZnO 나노 막대를 형성하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/203(2013.01) H01L 21/203(2013.01) H01L 21/203(2013.01)
출원번호/일자 1020100047407 (2010.05.20)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1243633-0000 (2013.03.08)
공개번호/일자 10-2011-0127904 (2011.11.28) 문서열기
공고번호/일자 (20130314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 유학기 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0324816-87
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0169825-66
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0412720-69
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0504038-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0586304-69
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0586305-15
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0732786-24
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.12.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-1077059-06
9 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0076998-21
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
경사증착과 반응가스를 사용하지 않고, ZnO로 이루어진 타겟에 전자선을 조사하여 타겟으로부터 증발된 아연과 산소를 이용하여 버퍼층이 형성된 기판상에 ZnO 나노 막대를 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 막대의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 기판은 단결정 기판, 다결정 기판, 또는 비정질 기판인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 막대의 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 버퍼층은 Al2O3, Cr2O3, Fe2O3, Ti2O3, V2O3, Ga2O3, Rh2O3, ZnSe, BeO, ZnS, SiC, GaN, ZnTe, MgO, CaO, BaO, SrO, TiN, TaN, ZrN, CrN, NiO, CoO, MnO, TiO, CdO, VO, CsCl, CsBr, CsI 또는 이들 물질을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 막대의 제조방법
5 5
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 기판상에 나노 크기의 도트(Dot) 형상의 촉매를 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 막대의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 촉매는 Au, Ni, Pt, Pd, Ru, Ag, In, Sn, Al, Ga, Cd, 또는 Zn인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 막대의 제조 방법
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.