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전자선 증착장비를 이용한 인듐 주석 산화물 나노 막대 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014042773
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 공정에서 널리 사용되고 있는 전자선 증착장비를 사용하여 ITO 펠릿을 타겟에 하여 전자선을 조사하여 증발된 인듐, 주석 및 산소를 이용하여 ITO 나노 막대를 제조함으로써 산화 반응을 위한 가스 주입이 필요하지 않고, 저비용으로 ITO 나노 막대를 대량 생산할 수 있는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 ITO 나노 막대의 제조방법은, 반응가스를 사용하지 않고, ITO 산화물로 이루어진 타겟에 전자선을 조사하여 타겟으로부터 증발된 인듐, 주석 및 산소를 이용하여 기판에 ITO 나노 막대를 형성하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/203(2013.01) H01L 21/203(2013.01) H01L 21/203(2013.01)
출원번호/일자 1020100047398 (2010.05.20)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1217786-0000 (2012.12.26)
공개번호/일자 10-2011-0127898 (2011.11.28) 문서열기
공고번호/일자 (20130102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 유학기 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0324796-51
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0169824-10
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0414307-62
4 보정요구서
Request for Amendment		 2012.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0068593-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0504011-97
6 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0443623-54
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0504010-41
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0732117-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
경사증착과 반응가스를 사용하지 않고, ITO 산화물로 이루어진 타겟에 전자선을 조사하여 타겟으로부터 증발된 인듐, 주석 및 산소를 이용하여 VLS 성장과정에 의해 기판에 ITO 나노 막대를 형성하는 것을 특징으로 하는 ITO 나노 막대의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판의 온도는 초기에 증착된 인듐과 주석이 액상 상태를 유지할 수 있는 최저 온도 이상인 것을 특징으로 하는 ITO 나노 막대의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 80℃ ~ 기판의 융점 미만으로 유지되는 것을 특징으로 하는 ITO 나노 막대의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 표면에너지의 조절을 통해 형성되는 ITO 나노 막대의 크기 또는 밀도를 조절하는 것을 특징으로 하는 ITO 나노 막대의 제조방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,형성되는 ITO 나노 막대의 배향성 또는 밀도를 조절하기 위한 버퍼층을 상기 기판상에 증착하는 것을 특징으로 하는 ITO 나노 막대의 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 단결정 기판, 다결정 기판, 또는 비정질 기판인 것을 특징으로 하는 ITO 나노 막대의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 버퍼층은 Al2O3, Cr2O3, Fe2O3, Ti2O3, V2O3, Ga2O3, Rh2O3, ZnSe, BeO, ZnS, ZnO, SiC, GaN, ZnTe, MgO, CaO, BaO, SrO, TiN, TaN, ZrN, CrN, NiO, CoO, MnO, TiO, CdO, VO, CsCl, CsBr, CsI, DLC, Be, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, Mn, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Sr, Y, Zr, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Sn, Hf, Re, Os, Ir, Pt, Au, W 또는 이들 물질을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 ITO 나노 막대의 제조방법
8 8
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 상에 나노크기의 도트(Dot) 형상의 촉매를 형성시키는 것을 특징으로 하는 ITO 나노 막대의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 촉매는 Au, Ni, Pt, Pd, Ru, Ag, In, 또는 Sn으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 ITO 나노 막대의 제조방법
10 10
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